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[发明专利]一种矿井火与地表火共存煤田火区浅部控氧窒息治理方法-CN201910697704.1有效
发明人：仲晓星;贾新勇;朱贺;周涛;汤研;王德明;陈龙;白边疆;候飞 -专利权人：中国矿业大学;新疆维吾尔自治区煤田灭火工程局
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： E21F5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种矿井火与地表火共存煤田火区浅部控氧窒息治理方法，属于煤田火区治理技术领域，解决了现有技术中剥离工程量大、钻孔施工量大、水浆充填量大，导致工期长、高效治理难的问题。本发明方法包括以下步骤：S1.对火区地表进行局部剥离，形成阶梯型工作平台；S2.通过浅部治理钻孔注入充填料填充空洞区；S3.在平台上对火区浅部高温区降温；S4.当浅部整体温度降至100℃后，对浅部降温区进行分层封堵，并对火区进行监测；S5.若出现温度反弹对反弹区及其边界再次进行封堵；S6.若再次出现温度反弹现象，重复步骤S5；无反弹现象后，治理结束。本发明方法适用于矿井火与地表火共存的煤田火区的治理。
一种矿井地表共存煤田火区浅部控氧窒息治理方法

[发明专利]一种用于煤田火区浅部采空区的灭火材料及其制备方法-CN202210192539.6有效
发明人：廖昕;丁宇琦;范茂基;姜维;朱磊;高庶楠;黄涛;席英伟;唐强 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： A62D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于煤田火区浅部采空区的灭火材料及其制备方法，该灭火材料包括以下重量份原料：黄土25‑35份、水8‑12份、悬沙颗粒25‑50份、无机防灭火材料10‑20份、灭火固化膨胀材料15‑30份、高分子固体灭火材料5‑10份；本发明制得的煤田火区浅部采空区的灭火材料填充性能、流动性能以及保水性能较好，可快速降低煤田火区温度，有效阻止空气流动，从而防止煤田火区浅部采空区进一步燃烧，降低了煤田火区浅部采空区燃烧对大气环境的破坏，同时，节省了灭火材料和降低了灭火成本，对煤田火区浅部采空区治理具有显著的社会效益和经济效益。
一种用于煤田火区浅部采空区灭火材料及其制备方法

[实用新型]一种用于煤田的预警装置-CN202220429957.8有效
发明人：丁宇琦;廖昕;高庶楠;姜维;黄涛;朱磊;范茂基;席英伟;唐强 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G08B17/00 文献下载
摘要：探测棒安装在煤田火区浅部采空区中，温度传感器将检测的温度信号、氡探测仪利用氡同位素可以探测到煤田火区浅部采空区存在的火源位置信号及360°摄像头将捕捉的画面信号均传递给数据采集装置；工作人员可以通过数据采集装置洞察火区的位置、火区的画面和火区的温度，从而可以避免工作人员不必要的麻烦，同时还减少人员和财产方面的损失。
一种用于煤田预警装置

[发明专利]一种煤矸石场阴燃火区全包围灭火治理方法-CN202011195245.6有效
发明人：杨俊哲;李雄伟;侯彦威;陈殿赋;高小伟;江球;毛旭阁;郭建磊;朱江;薛卫龙;苏超;姜涛 -专利权人：中煤科工集团西安研究院有限公司;神华神东煤炭集团有限责任公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： E21F5/08 文献下载
摘要：本发明公开一种煤矸石场阴燃火区全包围灭火治理方法，在煤矸石场的阴燃火区外围布置帷幕钻孔并置入单向注浆管，分段加压多次注浆形成帷幕；在帷幕钻孔围成的帷幕区内间隔布置浅钻孔和深钻孔，浅钻孔内置入单向注浆管，分段加压多次注浆形成浆盖，与帷幕合围封盖火区；深钻孔内置入注浆花管，注浆充分充填火区缝隙，完成对煤矸石的包浆；并在治理期间帷幕区内留置放气兼测温钻孔；最后对全部钻孔封孔，完成对阴燃火区的全包围灭火并将治理区形成完整固结体；帷幕钻孔孔深大于阴燃火区的最大埋深，浅钻孔钻进至阴燃火区顶部，深钻孔穿透阴燃火区。
一种煤矸石场阴燃火区全包围灭火治理方法

[实用新型]一种大功率介槽火盖-CN201920653348.9有效
发明人：黄泽光 -专利权人：佛山市长庚金属制品有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： F23D14/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种大功率介槽火盖，包括火盖上盖和火盖下盖，所述的火盖下盖上端外环边部一的整个端面上沿径向设有火盖浅介槽和火盖深介槽，火盖浅介槽和火盖深介槽间隔设置，火盖下盖的上部设有下盖内环边部一，火盖下盖的下部设有下盖内环边部二和下盖外环边部二；所述的火盖上盖下部设有倒置的U形槽，U形槽的外侧设有向轴线倾斜的上盖外环侧壁，火盖上盖下端内侧设有与下盖内环边部一扣合的上盖内环边部。本实用新型由于火盖下盖上端外环边部一的整个端面上沿径向设有火盖浅介槽和火盖深介槽，火盖介槽上端是开口，便于直接压铸成型，并且可以压铸不同尺寸的介槽，所以不需要打众多的孔，便于加工，大幅度提高生产效率。
一种大功率介槽火盖

[发明专利]绝缘体上硅MOS晶体管结构-CN201110218147.4有效
发明人：蒙飞 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据本发明的绝缘体上硅MOS晶体管结构包括：背部栅极，布置在背部栅极上的体区氧化层、布置在体区氧化层上的硅片层；布置在硅片层中的第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、以及有源区。其中，有源区包括源极区域S以及漏极区域。其中，在第一方向上，依次布置了第一浅沟槽隔离区的第一部分、第二浅沟槽隔离区的第一部分、有源区、第二浅沟槽隔离区的第二部分、第一浅沟槽隔离区的第二部分；并且在第二方向上，依次布置了漏极区域、沟道区域、源极区域
绝缘体 mos 晶体管结构

[发明专利]半导体器件的终端结构版图-CN202111615563.8有效
发明人：于绍欣 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的终端结构版图，包括：并排设置的有源区及浅沟槽隔离区；栅极结构区，横跨所述有源区和所述浅沟槽隔离区；场板区，横跨所述有源区和所述浅沟槽隔离区，包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述有源区内，所述第二部分从所述第一部分的端部延伸至所述浅沟槽隔离区内，所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度，以使所述栅极结构区仅覆盖所述第一部分的部分宽度；第一电连接区，位于所述浅沟槽隔离区内的所述栅极结构区内
半导体器件终端结构版图

[发明专利]一种防止源漏区漏电的结构及其制备方法-CN202211726768.8在审
发明人：黄倩;宁宁;姜晓丽;杨洋;方婧婷 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止源漏区漏电的结构的制备方法，包括：在衬底上制作浅槽隔离区；在制作栅极结构前，先在所述浅槽隔离区表面制作绝缘填充部以填充所述浅槽隔离区表面的凹陷。本发明还公开了一种防止源漏区漏电的结构。本发明通过在STI工艺之后的浅槽隔离区表面生成不会转化成导电介质的绝缘填充部，使浅槽隔离区能有效隔离源漏，达到了防止源漏区漏电的技术效果。
一种防止源漏区漏电结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202310056245.5有效
发明人：陈兴;黄普嵩 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：该半导体结构包括：具有第一表面的衬底；位于衬底中的多个浅沟槽隔离结构，相邻浅沟槽隔离结构之间具有第一区域或第二区域，每个浅沟槽隔离结构靠近第一区域的一侧端部具有第一凹陷部，靠近第二区域的一侧端部具有第二凹陷部，第一凹陷部的内表面面积比第二凹陷部的小，且第一凹陷部具有比第二凹陷部小的曲率半径；第一类型掺杂区，位于与第一区域对应的衬底中，第一凹陷部位于第一类型掺杂区与相邻的浅沟槽隔离结构之间；第二类型掺杂区，位于与第二区域对应的衬底中，第二凹陷部位于第二类型掺杂区与相邻的浅沟槽隔离结构之间，相邻浅沟槽隔离结构之间的第一类型掺杂区的长度大于第二类型掺杂区。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]浅沟槽隔离能力测试结构及其测试方法-CN202110728159.5在审
发明人：徐敏;朱月芹;陈雷刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离能力测试结构及其测试方法，应用于半导体领域。在本发明实施例中，在衬底中限定呈梳状结构的第一有源区和第二有源区，并使第一有源区的多个齿部与第二有源区的多个齿部交错设置，从而在第一有源区的齿部和与第一有源区的齿部相邻的第二有源区的齿部之间形成浅沟槽隔离结构，然后在第一有源区梳状结构的柄部和第二有源区梳状结构的柄部上形成第一金属插塞和第二金属插塞，再通过所述第一金属插塞和所述第二金属插塞对所述浅沟槽隔离结构进行浅沟槽隔离能力测试，从而可快速地实现浅沟槽隔离能力检测
沟槽隔离能力测试结构及其方法

[实用新型]一种鳍型半导体器件-CN201922167972.0有效
发明人：李迪 -专利权人：唐世沅
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该鳍型半导体器件包括：衬底和第一鳍片部，所述第一鳍片部立设于所述衬底上，所述第一鳍片部具有根部区和硅锗区，所述根部区与所述衬底连接，所述硅锗区位于所述根部区上方，所述硅锗区中含有锗元素；浅沟道隔离结构，所述浅沟道隔离结构形成在所述衬底上，所述浅沟道隔离结构位于所述第一鳍片部的宽度方向的两侧，位于所述浅沟道隔离结构上方的所述硅锗区的高度范围为45nm‑60nm；栅极结构，所述栅极结构跨设在所述硅锗区的中间区域上，所述栅极结构覆盖在至少一部分所述硅锗区和所述浅沟道隔离结构；所述硅锗区被所述栅极结构覆盖的区域形成沟道区，所述沟道区的锗元素的含量为20％‑35％。
一种半导体器件

[发明专利]双浅沟槽隔离的形成方法-CN201410459326.0在审
发明人：王永刚;李杰 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种双浅沟槽隔离的形成方法，包括：在基底表面形成氧化层和硬掩膜层，所述基底具有第一区域与第二区域；刻蚀所述第一区域和第二区域上的所述硬掩膜层和氧化层，直至暴露出基底表面，所述第一区域被暴露的表面形成第一部分区域，所述第二区域被暴露的表面形成第二部分区域；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一部分区域形成第一浅沟槽，刻蚀所述第二部分区域形成第二浅沟槽；保护第二浅沟槽，并以所述硬掩膜层为掩膜进一步刻蚀所述第一浅沟槽形成第三浅沟槽采用所述方法形成的双浅沟槽隔离形状稳定，均一性高，形貌好。
沟槽隔离形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810250479.2有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有鳍部，鳍部上方形成有栅极结构；对栅极结构两侧的鳍部进行第一离子注入，以形成浅掺杂区；形成覆盖浅掺杂区的介质层；和对介质层和鳍部进行第一退火处理形成覆盖浅掺杂区的介质层，并经过退火处理，减缓了浅掺杂区内部离子的浓度梯度，减小沟道电阻。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种IGBT及其制作方法-CN201210530076.6无效
发明人：谈景飞;朱阳军;胡爱斌;张文亮;王波 -专利权人：上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT及其制作方法，所述IGBT包括：位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；位于所述半导体衬底上表面内的阱区、源区和浅阱区，其中，所述阱区内设置有源区，所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平，所述阱区和所述浅阱区不接触且掺杂类型相同；位于所述阱区、浅阱区和源区表面上的源极；位于所述半导体下表面的背面结构，所述背面结构包括集电区。所述IGBT工作时，一部分空穴电流可以经过集电区-漂移区-阱区，流入源极，一部分空穴电流可以经过集电区-漂移区-浅阱区，流入源极。可见，所述浅阱区为IGBT提供了一个额外的电流通道对空穴电流进行分流，进而提高了IGBT的闩锁电流，增加IGBT抗闩锁能力。
一种 igbt 及其制作方法

[发明专利]嵌入式闪存的结构及嵌入式闪存的制造方法-CN201410466050.9有效
发明人：胡勇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提出了一种嵌入式闪存结构及嵌入式闪存的制造方法，在多晶硅器件区域形成由浅槽隔离结构隔离开的多个有源区和多个虚拟有源区，通过定义多晶硅器件区域的浅沟槽隔离光罩，使图案化浅沟槽隔离光阻形成在虚拟有源区和一部分浅槽隔离结构的上方，暴露出有源区和另一部分浅槽隔离结构，在进行离子注入时，为了不影响闪存器件的性能，通常离子注入的角度均被固定，通过调节有源区、虚拟有源区、浅沟槽隔离结构及图案化浅沟槽隔离光阻的线宽和图案化浅沟槽隔离光阻之间的间距避免离子对有源区造成二次重复注入
嵌入式闪存结构制造方法

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