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[发明专利]一种基站功率放大器及提高基站功率放大器效率的方法-CN200910150106.9有效
发明人：吴广德;吴彬;鲁永安 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：基站功率放大器及提高基站功率放大器效率的方法，其中，该基站功率放大器中包括：功放漏极电压供电模块及功放模块，基站功率放大器中预设有功放输出功率与漏压的对应关系，且其中还包括：功放输出功率获取模块及功放漏极电压主控模块；功放输出功率获取模块用于将接收到的小区最大发射功率信息发送给功放漏极电压主控模块；功放漏极电压主控模块用于根据功放输出功率与漏压的对应关系得到与接收到的小区最大发射功率相对应的漏极电压值后，控制功放漏极电压供电模块输出电压值等于漏极电压值的电压；功放漏极电压供电模块用于在功放漏极电压主控模块的控制下，向功放模块输出电压值等于漏极电压值的电压；功放模块用于工作在漏极电压值的电压下。
一种基站功率放大器提高效率方法

[发明专利]绝缘体上硅MOS器件动态击穿电压的测试方法-CN201210140914.9有效
发明人：连晓谦;陈寒顺;凌耀君 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种SOI MOS器件动态击穿电压的测试方法，包括先后对漏极施加逐渐递增的漏极电压循环进行击穿测试的步骤，其中击穿测试包括：步骤A，对栅极施加电压Vg，量测漏极电流；步骤B，判断当前漏极电流是否是第一漏极电流前值的a1倍以上，若是，则将当前漏极电压作为动态击穿电压进行记录，结束测试；否则执行步骤C；步骤C，判断当前漏极电流是否在第二漏极电流前值的1/a2以下，若是，则将当前漏极电压作为烧毁电压进行记录，结束测试；否则执行步骤D；步骤D，判断Vg是否达到上限，若是，则进入下一漏极电压下的击穿测试循环，否则将当前Vg增大后返回步骤A。本发明能够准确测得烧毁电压，准确地反映器件对电压的承受能力。
绝缘体 mos 器件动态击穿电压测试方法

[发明专利]一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置-CN202310230701.3在审
发明人：何燕;孟宪伟;刘亚辉 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS器件的源漏击穿电压的测试方法及装置，所述方法包括：在MOS器件的源极和漏极之间施加测试电压，在测试过程中，逐渐增加测试电压；量测所述漏极与源极之间的电压作为测量电压；量测所述源极与接地极之间的电流作为测量电流；当所述测量电流达到预设值时,测量电压作为当前测量电流下的源漏击穿电压。根据本发明提供的MOS器件的源漏击穿电压的测试方法和装置，通过在源漏极之间施加测试电压的同时，测量源极与接地极之间的电流以及漏极与源极之间的电压，并将测量电流达到预设值时的测量电压作为源漏击穿电压，减少了测试电压的施加时间
一种 mos 器件击穿电压测试方法装置

[发明专利]存储单元的编程方法-CN200810091745.8有效
发明人：吴昭谊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-04-14 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储单元的编程方法，此编程方法为，进行一第一编程，对栅极施加第一栅极电压，漏极施加第一漏极电压，源极施加第一源极电压，以及对衬底施加第一衬底电压，以使电子进入靠近漏极侧的氮化物层中。然后，进行一第二编程，对栅极施加第二栅极电压，对漏极施加第二漏极电压，对源极施加第二源极电压以及对衬底施加第二衬底电压，以使电子进入靠近源极侧的氮化物层中。其中，第二栅极电压小于第一栅极电压。
存储单元编程方法

[发明专利]使用GIDL方法求取闪存的完整耦合系数的方法-CN01110315.9有效
发明人：蔡荣昱;黄智睦;高启弘;赵传珍 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2001-04-03 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：维持固定源极电压Vs与基底电压Vb并改变漏极电压Vd与控制栅电压Vcg，测量第一栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第一耦合系数比αd/αcg。维持固定漏极电压Vd与基底电压Vb并改变源极电压Vs与控制栅电压Vcg，测量第二栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第二耦合系数比αs/αcg。维持固定漏极电压Vd与源极电压Vs并改变控制栅电压Vcg与基底电压Vb，测量第三栅极诱导漏极漏电流的电流值以得到第三耦合系数比αb/αcg。再依据规则方程式αd+αs+αb+αcg＝1，求得漏极耦合系数αd、源极耦合系数αs、基底耦合系数αb与控制栅耦合系数αcg之值。
使用 gidl 方法求取闪存完整耦合系数

[发明专利]电压能阶差参考电路-CN200910204052.X无效
发明人：郑文昌 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2009-10-12 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种电压能阶差参考电路，包含：一第一NMOSFET，具有一漏极以及一源极；一第二NMOSFET，具有一漏极以及一源极，该第一NMOSFET的该源极以及该第二NMOSFET的该源极均耦接至具有一第一固定电压电平的一第一特定电压；以及一电压维持电路，耦接于该第一NMOSFET的该漏极以及该第二NMOSFET的该漏极，该电压维持电路是将该第一NMOSFET的该漏极的电压电平以及该第二NMOSFET的该漏极的电压电平维持在同一电压电平
电压能阶差参考电路

[发明专利]一种原边反馈变换器、及其动态响应优化方法和装置-CN202210870793.7在审
发明人：王廷营;陆杨军;朱守伟;唐海瑞;牟恬恬;王亚洲;朱民杰;李春鹏;郝英杰;孙宇;王朝英;顾亮 -专利权人：连云港杰瑞电子有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本公开提供了一种原边反馈变换器、及其动态响应优化方法和装置，装置包括：同步整流驱动器、同步整流管和调节电路，所述同步整流管的漏极连接所述调节电路的漏极电压输入端，所述同步整流管的源极连接所述调节电路的源极电压输入端，所述调节电路的漏极电压输出端连接所述同步整流驱动器的漏极电压输入端，所述调节电路的源极电压输出端连接所述同步整流驱动器的源极电压输入端；所述同步整流管漏极电压和源极电压送入所述调节电路，经所述调节电路处理后输出调节后的漏极电压和源极电压；所述调节后的漏极电压和源极电压输入所述同步整流驱动器，用于触发所述同步整流驱动器输出所同步整流管的驱动控制信号。
一种反馈变换器及其动态响应优化方法装置

[发明专利]用于仿真电阻器的集成电路-CN201110363002.3有效
发明人：赫里特·威廉·登贝斯特 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03H11/28 文献下载
摘要：在采用晶体管的情况下，晶体管被偏置到在其线性区工作，并且将依赖于AC源极-漏极电压的电压耦合到栅极电压，从而提高漏极-源极电阻相对于漏极-源极电压的线性度。通过改变栅极电压可以改变传递函数，以使得漏极-源极电阻不再依赖于漏极-源极电压。
用于仿真电阻器集成电路

[发明专利]负压保护电路-CN202111065833.2有效
发明人：牛斌;简春兵;胡业芳;陈发亮 -专利权人：深圳金信诺高新技术股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种负压保护电路，一方面，漏压控制模块根据第一电压、第二电压和漏极开关信号断开漏极电源与功放管的漏极之间的导电通路，如此通过第一电压、第二电压和漏极开关信号则可实现漏极电压的及时断开；另一方面，电压缓冲模块在接收到的第二电压变为0V时，降低输出的第六电压的电压变化速率，最终使得功放管的漏极断电且漏压降为0所需的时间远短于功放管栅极的第六电压降为0所需的时间，即功放管的漏极断电至漏压变为0期间，第六电压只变化很小的量，栅压始终在安全的负压保护之下，从而实现功放管的保护。
保护电路

[发明专利]一种钳位光电二极管的测试方法以及装置-CN201811401039.9有效
发明人：雷述宇 -专利权人：宁波飞芯电子科技有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种钳位光电二极管的测试方法以及装置。该测试方法包括：确定施加于源极与漏极上的第一电压，并监测在第一电压作用下源极和漏极之间的第一测试电流得到第一IV曲线，其中，第一电压包括施加于源极与漏极中一个级的第一静态电压以及施加于源极与漏极中另一个级的第一动态电压；根据第一IV曲线确定施加于源极与漏极上的第二电压，并监测在第二电压作用下源极和漏极之间的第二测试电流得到第二IV曲线，其中，第二电压包括施加于源极与漏极中一个级的第二静态电压以及施加于源极与漏极中另一个级的第二动态电压；根据第一IV曲线和第二IV曲线确定钳位光电二极管中钳位层的钳位电压，钳位层接地。
一种光电二极管测试方法以及装置

[发明专利]一种采用结型场效应晶体管的输入浪涌保护装置-CN200910309032.9有效
发明人：杨先庆;奥格杰·米历克;周景海 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：所述JFET的栅极被钳位至一预设值，其漏极从一输入电源接收一输入电压，其源极连接至一下游装置的输入端且一电阻连接于所述漏极与所述栅极之间或连接于所述源极与所述栅极之间。因此，当漏极电压约等于钳位栅极电压时，源极电压约等于漏极电压。当漏极电压增大，大于钳位栅极电压时，源极电压小于漏极电压。
一种采用场效应晶体管输入浪涌保护装置

[发明专利]具有补偿结构的半导体器件-CN201510246933.3有效
发明人： A·威尔梅洛斯;F·希尔勒;B·费舍尔;J·韦耶斯 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有补偿结构的半导体器件，包括：半导体本体，包括晶体管单元和位于漏极层和晶体管单元之间的漂移区。漂移区包括补偿结构。在耗尽电压之上，第一输出电荷梯度偏离第二输出电荷梯度小于5％，通过将漏极源极电压从耗尽电压增加至最大漏极源极电压而获取第一输出电荷梯度，通过将漏极源极电压从所述最大漏极源极电压减小至耗尽电压而获取第二输出电荷梯度在耗尽电压处，第一输出电荷梯度呈现最大曲率。
具有补偿结构半导体器件

[发明专利]主动式显示器的驱动方法-CN200510074967.5有效
发明人：唐宇骏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2005-06-06 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：上述启动薄膜晶体管的步骤包括提供一栅极驱动电压于薄膜晶体管的栅极；提供一源极显示电压于薄膜晶体管的源极；以及提供一漏极显示电压于薄膜晶体管的漏极。上述重置薄膜晶体管电性的步骤包括提供一栅极重置电压予薄膜晶体管的栅极；提供一源极重置电压予薄膜晶体管的源极；以及提供一漏极重置电压予薄膜晶体管的漏极。栅极重置电压小于或等于源极重置电压或漏极重置电压，而源极重置电压或漏极重置电压为可调。
主动显示器驱动方法

[发明专利]半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置-CN201610796634.1有效
发明人：染谷满;武井学;原田信介 -专利权人：富士电机株式会社;国立研究开发法人产业技术总合研究所
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供即使对栅极施加AC电压，也能够正确测定导通时的阈值电压的波动的半导体装置的评价方法及半导体装置的评价装置。作为被测定物的MOSFET的漏极与恒定电压源连接，源极和基体接地。AC电压源通常对MOSFET的栅极持续施加最大电压为MOSFET的阈值电压以上的应力电压。恒定电压源在MOSFET被施加有应力电压时，向MOSFET的源极‑漏极间施加源极‑漏极间电压，并且持续测定并监视流通于MOSFET的源极‑漏极间电流。MOSFET的阈值电压的波动量基于由恒定电压源测定的MOSFET的源极‑漏极间电流的波动量而得到。
半导体装置评价方法

[发明专利]运行期间在半桥中的功率开关的漏极到源极监控-CN202211136104.6在审
发明人： M·扎诺斯;C·穆尔塔扎;P·斯坦普林格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及运行期间在半桥中的功率开关的漏极到源极监控。驱动电路控制半桥，该半桥包括高侧功率开关和低侧功率开关。驱动器电路可以包括：高侧比较单元，被配置为确定第一漏极到源极电压，其中当高侧功率开关导通时，第一漏极到源极电压与高侧功率开关相关联；以及低侧比较单元，被配置为确定第二漏极到源极电压，其中当低侧功率开关导通时，第二漏极到源极电压与低侧功率开关相关联。高侧比较单元还可以被配置为确定第三漏极到源极电压，其中当高侧功率开关关断时，第三漏极到源极电压与高侧功率开关相关联，低侧比较单元还可以被配置为确定第四漏极到源极电压，其中当低侧功率开关关断时，第四漏极到源极电压与低侧功率开关相关联
运行期间中的功率开关漏极到源极监控

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