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[发明专利]溅射靶构件及其制造方法、溅射膜的制造方法、以及磁控溅射装置-CN202180085168.5在审
发明人：今野善纪;铃木嗣人 -专利权人：迪睿合株式会社
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明提供溅射靶构件，其可进行均匀的溅射，同时可高效使用靶母材。一种溅射靶构件，其特征在于：其是具备靶母材层的溅射靶构件，以不暴露于上述靶母材层的溅射面的方式，进一步具备含有磁性材料的磁性层。
溅射构件及其制造方法以及磁控溅射装置

[发明专利]允许厚靶的溅射阴极装置-CN200910173355.X无效
发明人： P·S·麦克莱奥德;L·D·哈特叟 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种允许厚靶的溅射装置及制作该装置的方法。该装置包括溅射靶，在溅射期间辉光放电等离子体形成于该溅射靶上。溅射靶设置于平面上，且平面的正面被定义为在溅射期间辉光放电等离子体所在的一侧，且平面的背面被定义为相对的一侧。该溅射装置还包括带有电浮置中心极和一电浮置外部极的磁路。中心极和外部极至少部分设置于由溅射靶定义的平面的正面上。
允许溅射阴极装置

[发明专利]溅射之前溅射靶的预处理-CN200710087373.7无效
发明人：维杰·D·帕克 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： C23F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过去除溅射靶的溅射表面的被损坏的表面层而在该溅射靶用于溅射工艺之前预处理该溅射靶的方法。在一个方案中，研磨该溅射靶的溅射表面以去除至少约25微米的厚度，从而获得具有约4至约32微英寸范围的平均表面粗糙度的溅射表面。在另一方案中，使用酸性蚀刻剂去除所述层。
溅射之前预处理

[实用新型]一种长寿命溅射靶材-CN201020552221.7有效
发明人：郑文翔 -专利权人：宁波江丰电子材料有限公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种长寿命溅射靶材，包括溅射面，所述溅射面的表面包括两个溅射区域，沿径向方向由外到里依次为第一溅射区域和第二溅射区域，所述第二溅射区域高于第一溅射区域，所述两个溅射区域的中心与所述溅射靶材的中心同心。解决了当溅射靶材在溅射过程中，使用寿命比较短，靶材的使用效率比较低，造成原材料浪费和增加生产成本的问题。
一种寿命溅射

[发明专利]溅射靶及制造溅射靶的方法-CN202310418177.2在审
发明人：蔡永跃;孙毅;亨里克·施密特;托马斯·谢勒 -专利权人：攀时（上海）高性能材料有限公司;普兰西股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种溅射靶及制造溅射靶的方法，溅射靶含有55重量％至80重量％Ni、余量W及一般杂质，所述溅射靶含有W相、Ni(W)固溶相、不含Ni相且不含或含有以靶材截面量测的平均面积比例小于5％的金属间相根据本发明，有效解决降低材料均匀性，影响溅射效果的技术问题，密度高且应用性能好。
溅射制造方法

[发明专利]氧化锌基溅射靶及其制造方法和薄膜晶体管-CN201310258587.1无效
发明人：朴在佑;金东朝;金度贤;全祐奭;朴柱玉;孙仁成;尹相元;李建孝;李镕晋;李伦圭 -专利权人：三星康宁精密素材株式会社;三星显示有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化锌（ZnO）基溅射靶、一种制造该氧化锌基溅射靶的方法和一种具有使用该氧化锌基溅射靶沉积的阻挡层的薄膜晶体管（TFT）。所述氧化锌基溅射靶包括：烧结物，包括掺杂有氧化镓的氧化锌，氧化镓的含量范围为烧结物的10重量%到50重量%；背板，结合到烧结物的后表面，以支撑烧结物。氧化锌基溅射靶可以经受直流（DC）溅射，并且可以改善使用其沉积的阻挡层的接触特性和蚀刻特性。
氧化锌溅射及其制造方法薄膜晶体管

[实用新型]磁控溅射靶屏蔽装置-CN201020236484.7有效
发明人：韩成明;王青山;阎学英;李旭光 -专利权人：北京清华阳光能源开发有限责任公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射靶屏蔽装置，溅射靶的一端与溅射靶座相连接，在溅射靶座和法兰盘之间安装有绝缘密封件，屏蔽装置中间的通孔与溅射靶相套接并使该屏蔽装置抵接至该绝缘密封件上，该屏蔽装置与法兰盘之间留有间隙；其中，在该屏蔽装置的外圆周表面上设有至少一道沟槽和至少一个凸台；该屏蔽装置远离该溅射靶座的一端的端面上设有与该溅射靶同轴的至少一道凹槽。该种结构可以完全解决现有屏蔽结构存在的问题，即使屏蔽装置上部分涂覆了较厚的涂层，但由于迷宫式多沟槽结构的存在，使屏蔽装置上的涂层形成断续状，不行形成连续的涂层结构，从而也无法形成溅射阴极和法兰盘(接地阳极
磁控溅射屏蔽装置

[实用新型]一种镀膜装置-CN201820595557.8有效
发明人：刘彬 -专利权人：北京实力源科技开发有限责任公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：该装置包括镀膜仓和溅射靶，还包括设置于镀膜仓内的传送装置；传送装置包括传送辊和设置于传送辊上的载物架；载物架包括用于承载被镀工件的金属网和用于支撑金属网的骨架；骨架放置于传送辊上并通过传送辊移动；溅射靶包括上溅射靶和下溅射靶,上溅射靶和下溅射靶分别位于金属网的上下两侧，并对金属网上的被镀工件同时进行溅射。本申请中的一种镀膜装置，被镀工件无需翻转一次镀膜成型，镀膜时间相对现有技术节省一半以上，生产效率更高，且一次镀膜成型节省溅射靶材，成本更低；无需再额外设置被镀工件的翻转结构，降低了镀膜装置的结构复杂度及占用的空间
溅射靶被镀工件镀膜装置传送辊金属网镀膜传送装置镀膜仓载物架成型本实用新型结构复杂度镀膜技术翻转结构溅射靶材上下两侧生产效率真空镀膜翻转溅射承载金属占用移动支撑申请应用

[实用新型]一种磁控溅射靶随工件仿行移动装置-CN202120002801.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京实力源科技开发有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型属于磁控溅射镀膜机设备技术领域，尤其涉及一种磁控溅射靶随工件仿行移动装置，包括镀膜机主体以及方法兰筒、转架系统，所述方法兰筒设于所述镀膜机主体上，所述镀膜机主体内设有若干溅射靶，所述方法兰筒包括移动机构，所述溅射靶与所述移动机构相连接，所述转架系统设于镀膜机主体内腔底座中心位置，所述转架系统上面放置工件；本实用新型涉及镀膜设备技术领域，根据工件外型尺寸设定工件与溅射靶的间隔距离，通过移动机构对溅射靶进行垂直方向的前后位置移动，同时根据转架系统上放置工件的运行轨迹自动调节溅射靶与工件的距离，保持工件四周各个面与溅射靶的间隔距离相同来提高工件膜厚的均匀性，结构简单，操作方便。
一种磁控溅射工件仿行移动装置

[实用新型]一种多源溅射镀膜装置-CN201820718669.8有效
发明人：赵卓;周艳文;佟欣儒;武俊生;孟见成;陈雪娇;张晶;康红伟;全书仪;方方;张豫坤 -专利权人：辽宁科技大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多源溅射镀膜装置，包括靶面窗口、溅射靶、筒形外壳、传动机构、工件架、热丝，溅射靶相对设置在筒形外壳上，筒形外壳的中间固定有工件架，溅射靶与工件架之间设有热丝，热丝与溅射靶之间设有靶面窗口优点是：该装置整体结构简单，利用传动机构可实现靶面窗口的对向开合，配合相对设置的多个溅射靶，实现混合溅射多种薄膜材料的薄膜制备，还可按需求通过依次拉开靶面窗口的方式实现逐层选取不同靶材依次溅射薄膜，提高镀膜效率
溅射靶靶面筒形外壳工件架热丝溅射镀膜装置相对设置对向多源溅射开合本实用新型薄膜材料薄膜制备镀膜效率轨道靶材薄膜配合

[发明专利]陶瓷板真空溅射镀膜装置及其镀膜方法-CN201911221862.6在审
发明人：王维昀;王新强;李永德;王后锦;袁冶;康俊杰 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷板真空溅射镀膜装置及其镀膜方法，陶瓷板真空溅射镀膜装置包括真空腔室、公转工件架、内侧圆柱溅射靶、内侧平面溅射靶、内侧离子源、外侧圆柱溅射靶、外侧平面溅射靶和外侧离子源；内、外侧离子源用于基片表面镀膜前清洁及辅助沉积，有效提升镀层与陶瓷基板的浸润性和结合力；内、外侧圆柱溅射靶和内、外侧平面溅射靶可以同时对平面状或弧面状的陶瓷基板进行单、双面镀膜加工，大大提升工作效率，而且是利用公转工件架的公转带动陶瓷基板移动，陶瓷基板无需自转
陶瓷基板离子源圆柱溅射靶溅射靶镀膜真空溅射镀膜外侧平面工件架陶瓷板靶材附着力恒定镀膜效果辅助沉积工作效率基片表面间距设置内侧平面双面镀膜真空腔室弧面状结合力浸润性均匀性平面状增强膜镀层自转清洁移动加工

[发明专利]非磁性材料分散型Fe-Pt系溅射靶-CN201780003433.4有效
发明人：佐藤敦;高见英生;中村祐一郎 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低用于使Fe‑Pt磁性相有序化的热处理温度的溅射靶，该溅射靶可避免在溅射时产生微粒。该溅射靶是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶，具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe_1‑αPt_α)_1‑βGe_β(α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数)表示的组成的磁性相，在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA元素分布图中，该磁性相的Ge的浓度为30质量％以上的Ge基合金相的面积比率(S_{Ge30质量％})的平均值，与根据溅射靶的全体组成计算的Ge的面积比率(S_Ge)之比(S_{Ge30质量％}/S
溅射靶非磁性材料面积比率研磨分散型元素分布图热处理原子数比垂直的基合金溅射面溅射

[发明专利]溅射靶、透明导电膜及它们的制造方法-CN02816424.5有效
发明人：井上一吉;松崎滋夫 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：由氧化铟和氧化锡构成的溅射靶，其中，锡原子的含有率为铟原子和锡原子合计的3～20原子％，且溅射靶中结晶的最大粒径为5μm以下。该溅射靶在用溅射法进行透明导电膜成膜时，可以抑制在靶表面生成小结，可以稳定性良好地进行溅射。
溅射透明导电它们制造方法

[发明专利]物理气相沉积的靶结构-CN201810722214.8在审
发明人：陈秉源;陈宏政;谢志轩;王御轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶结构包括本体，所述本体具有第一侧及相对的第二侧。第一溅射靶耦合到所述本体的所述第一侧。所述第一溅射靶包含第一材料。第二溅射靶耦合到所述本体的所述第二侧。所述第二溅射靶包含第二材料。
溅射靶耦合到取向物理气相沉积第二材料第一材料颗粒污染旋转机构原位沉积靶结构沉积配置制造生产

[发明专利]一种AlSc溅射靶材EBSD样品的制样方法-CN202110455805.5在审
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;李静云 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G01N23/20058 文献下载
摘要：本发明提供了一种AlSc溅射靶材EBSD样品的制样方法，所述制样方法包括如下步骤：(1)线切割AlSc溅射靶材，得到溅射靶材块；(2)对步骤(1)所得溅射靶材块的表面进行至少3次机械研磨，得到机械研磨块本发明提供的制样方法能够对AlSc溅射靶材进行表面处理，使其能够用于EBSD检测，使所得EBSD成像图片清晰，保证了EBSD的分析效果。
一种 alsc 溅射 ebsd 样品方法