专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]圆筒形溅射-CN201610150557.2有效
  • 鹤田好孝 - JX金属株式会社
  • 2016-03-16 - 2019-03-26 - C23C14/34
  • 本发明的目的在于提高圆筒形基材与圆筒形溅射部件之间的接合性。本发明提供一种由圆筒形基材与圆筒形溅射部件的接合体形成的圆筒形溅射,当设用于使圆筒形基材与上述圆筒形溅射部件相接合的接合材料的厚度为d(mm)、设接合材料的线膨胀系数为αl(μm/μmK),并设接合材料的熔点与室温之差为⊿T(K)时,圆筒形溅射部件的接合材料一侧的十点平均粗糙度(Rz)满足d(μm)×αl(μm/μmK)×⊿T(K)≤Rz(μm)。
  • 圆筒溅射
  • [发明专利]一种靶面角度可调节的防溅射-CN202211093865.8在审
  • 郑鸿儒;范林东;胡建龙;孟德利;戴路 - 长光卫星技术股份有限公司
  • 2022-09-08 - 2023-01-20 - G01M13/00
  • 一种靶面角度可调节的防溅射,涉及用于降低溅射产物返流污染的防溅射系统技术,解决现有对不同来流条件产生的溅射产物及返流污染物的降低效果不佳的技术问题。本发明包括防溅射骨架主体、防溅射翅片组和固定支杆组;防溅射骨架主体包括冷却圆管、上冷却直管、下冷却直管、支撑管、进液管和出液管;冷却圆管所在平面法向上、下两端分别连接有出液管、进液管;冷却圆管分别与上冷却直管、下冷却直管焊接连通;下冷却直管下方设置有支撑管,支撑管两端焊接在冷却圆管上;多个防溅射翅片组组成一个圆形平板;上冷却直管和下冷却直管上分别固定有两个固定支杆组。本发明减少高能粒子轰击面积并调节轰击角度,降低溅射产物生成量。
  • 一种角度调节溅射
  • [发明专利]磁记录膜用溅射-CN201380011254.7有效
  • 荻野真一 - 吉坤日矿日石金属株式会社
  • 2013-05-22 - 2017-09-26 - G11B5/851
  • 一种磁记录膜用溅射,其含有C,其特征在于,拉曼散射光谱测定中的G谱带与D谱带的峰强度比(IG/ID)为5.0以上。本发明的课题在于提供能够制作粒状结构的磁性薄膜而不使用昂贵的共溅射装置的分散有C颗粒的磁记录膜用溅射、特别是Fe‑Pt基溅射,虽然具有碳为难烧结的材料、而且碳之间容易形成聚集体的问题,还存在溅射中碳块容易脱离而在溅射后的膜上产生大量粉粒的问题,但是本发明的课题在于提供能够解决上述问题的高密度溅射
  • 记录溅射
  • [发明专利]磁性材料溅射及其制造方法-CN201610562180.1在审
  • 荻野真一;中村祐一郎 - 吉坤日矿日石金属株式会社
  • 2013-02-26 - 2016-10-26 - C23C14/34
  • 本发明涉及磁性材料溅射及其制造方法。一种磁性材料溅射,其为含有氧化物的磁性材料溅射,其特征在于,氧化物的平均粒径为400nm以下。一种含有氧化物的磁性材料溅射的制造方法,其特征在于,通过PVD或CVD法在基板上将磁性材料成膜,接着从该成膜后的磁性材料上除去基板,接着将该成膜后的磁性材料粉碎而得到靶用原料,然后将该原料烧结。本发明的课题在于得到能够抑制导致溅射时产生粉粒的氧化物的异常放电的磁性材料靶、特别是非磁性材料颗粒分散型强磁性材料溅射
  • 磁性材料溅射及其制造方法
  • [发明专利]溅射成膜装置-CN201980006240.3有效
  • 阪上弘敏;大野哲宏 - 株式会社爱发科
  • 2019-06-28 - 2022-05-10 - C23C14/35
  • 本发明提供了能够在利用磁控管溅射进行成膜时抑制在溅射材的外周部中非腐蚀区域的发生的技术。本发明是在真空中利用磁控管溅射法对一个成膜对象物进行成膜的溅射成膜装置。在本发明中,具有:磁控管发生用的磁石装置10,相对于一个溅射材7配置在与溅射面7a相反侧,在放电时在沿着该溅射材7的溅射面7a的方向上移动;内侧屏蔽部21,接近配置在溅射材7的外周部的周围,被设为浮动电位
  • 溅射装置
  • [发明专利]制备组分渐变薄膜的磁控溅射-CN01140442.6无效
  • 李德杰;黄静华;卜东生;王红光 - 清华大学;上海广电电子股份有限公司
  • 2001-12-07 - 2004-07-14 - C23C14/35
  • 制备组分渐变薄膜的磁控溅射,属于磁控溅射技术领域,特别涉及一种薄膜制备的磁控溅射的结构。本发明的特点是在一个靶体内放置两个并列的由单环形跑道磁场构成的双环形跑道结构,其两种溅射材分别放置在两个环形磁场的对应位置上。或者是采用两种单环形跑道结构,一种单环形跑道磁场是由内外平行的左右两半环形跑道构成,两种溅射材分别放置在环形磁场左右两半的位置上;另一种单环形跑道磁场与普通的溅射结构相同,它将两种溅射材放置在单环形磁场左右两半的位置上本发明可利用同一个靶和电源实现两种薄膜的溅射,实现缓慢均匀的薄膜组分渐变过渡。其过程容易控制,可以避免不同溅射电源之间的干扰。适合于大面积和大批量生产的组分渐变薄膜的制备。
  • 制备组分渐变薄膜磁控溅射

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