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[发明专利]对甘油分子具有表面拉曼散射增强基底及其制备和应用-CN201410456095.8有效
发明人：何丹农;卢静;李铮;尹桂林 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及了一种对甘油分子具有明显的表面拉曼散射增强基底及其制备和应用，将普通玻璃通过用酒精、丙酮和去离子水逐一超声清洗，用氮气枪吹干；利用磁控溅射技术，在经过处理的玻璃基底上沉积Ag纳米晶颗粒，将磁控溅射室本底真空抽至10^-5Pa后，通入氩气并调整气体流量计控制气体流量在20-30sccm，溅射气压在0.5-0.72Pa，采用纯度超过99.99%的银靶，溅射功率控制在20-30W，溅射时间为30本发明通过将Ag纳米晶颗粒直接溅射在玻璃基底上，可以显著增强甘油分子的信号。
甘油分子具有表面散射增强基底及其制备应用

[发明专利]一种金属薄膜溅射的PVD工艺-CN201510375208.6有效
发明人：高建峰;唐兆云;殷华湘;李俊峰;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺，所述设备包括：与射频电源相连接的靶材、基座及侧置线圈，所述靶材以可自转的形式安装在溅射腔室的顶部，所述基座位于溅射腔室的底部，所述侧置线圈位于溅射腔室的侧壁，靶材与侧置线圈施加射频电源共同作用于惰性气体，产生等离子体。由于该设备增加了侧置线圈及与其相连接的射频电源，并通过调节惰性气体压力，提高了等离子体密度，结合PVD溅射的其他工艺参数，能形成电学性能良好，并且在沟槽表面覆盖效果良好的薄膜，可延续溅射沉积工艺应用到22
一种金属薄膜溅射 pvd 设备工艺

[发明专利]溅射装置及溅射方法-CN200980123959.1无效
发明人：森本直树;近藤智保;镰田恒吉;中村久三 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种建设装置，该装置结构简单，成本低廉，在该溅射装置中，可以对具有大高径比的微孔上以良好的覆盖特性成膜。该溅射装置具有设置在真空室2内的一靶3和衬底W，该靶与该衬底相对设置；在所述靶的溅射面3a前方产生隧道状磁场的磁铁组件4、将溅射气体导入于所述真空室内的气体导入装置7，以及对所述靶施加负的电位的溅射电源还具备有用以产生一垂直磁场的磁场产生装置11u，11d，该磁场的磁力线M垂直的通过所述靶的溅射面及整个衬底的表面，且磁力线之间有规定的间距。
溅射装置方法

[发明专利]一种磁控溅射低温制备DLC薄膜的方法-CN201410742990.6在审
发明人：李刚;吕起鹏;王锋;公发全;邓淞文;孙龙;金玉奇 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射制备DLC薄膜的方法，采用在沉积室内引入一等离子体区域的方法，提高镀膜时工作气体的离化率，基于此种方法对传统磁控溅射技术的进行改进，采用中频或脉冲直流电源溅射石墨靶，并控制工作气体压强、温度、时间、溅射功率等工艺条件，在衬底上沉积DLC薄膜。
一种磁控溅射低温制备 dlc 薄膜方法

[发明专利]一种溅射靶材的清洗方法-CN202310255626.6在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;张萍萍 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种溅射靶材的清洗方法，所述清洗方法包括如下步骤：真空条件下，干式等离子清洗溅射靶材；所述干式等离子清洗所用清洁气体包括包括氧气与氩气的混合气体。本发明采用干式等离子清洗的方法不仅可以去除灰尘与油污，还能够去除溅射靶材表面的氧化层，从而保证清洗后溅射靶材的洁净度，避免了清洗剂带来的二次污染，也避免了金属杂质以及脏污的影响。
一种溅射清洗方法

[发明专利]一种降低铝合金片材太阳光谱吸收率的方法-CN201410782896.3在审
发明人：王虎;王志民;冯煜东;王艺;赵慨;速小梅;王金晓;杨淼 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低铝合金片材太阳光谱吸收率的方法，首先通过抛光工艺降低铝合金基底表面粗糙度；然后依次用洗涤剂和无水乙醇对铝合金基底进行清洗，再采用超声清洗工艺对铝合金基底进行深度清洗；接着，在铝合金基底上镀制铬过渡膜，镀膜工艺采用直流磁控溅射的方法，工艺参数为：靶基距90mm，工作气体：溅射高纯氩气，工作气压0.35Pa，铬靶溅射功率600W，溅射时间3分钟；最后，在铬过渡膜上镀制铝膜，镀膜工艺采用直流磁控溅射的方法，工艺参数为：靶基距90mm，工作气体：溅射高纯氩气，工作气压0.40Pa，铝靶溅射功率400W，溅射时间6分钟；至此完成低太阳能吸收率铝合金片材的制备工艺；该制备工艺能够有效的降低铝合金片材的太阳能吸收率。
一种降低铝合金太阳光谱吸收率方法

[发明专利]一种超耐磨高透过率氧化锆薄膜的制备方法-CN201711415344.9在审
发明人：彭塞奥;杨扬;金克武;王天齐;甘治平 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开一种超耐磨高透过率氧化锆薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面污渍并吹干；S2、将清洗后的衬底置入磁控溅射镀膜设备，当溅射腔体真空度符合要求时，对溅射腔体进行烘烤，排出溅射腔体内的杂质分子；S3、烘烤结束后，以锆为靶材，采用射频电源，氩气与氧气为溅射气体，通过磁控溅射在衬底沉积氧化锆薄膜；在过氧的情况下，采用大功率射频溅射，保证锆原子在沉积过程中能与反应气体充分反应得到氧化锆；大功率溅射可以保证锆原子初始能量较高
氧化锆薄膜衬底沉积高透过率溅射腔体超耐磨锆原子烘烤溅射制备保证清洗磁控溅射镀膜设备致密大功率射频膜基结合力耐磨性氩气衬底表面初始能量磁控溅射反应气体工艺过程厚度可控溅射气体射频电源杂质分子污渍溅射腔透过率氧化锆靶材吹干排出置入去除氧气体内

[发明专利]磁控溅射装置和磁控溅射方法-CN202111126707.3在审
发明人：宫下哲也;中村贯人;菊池祐介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射装置和磁控溅射方法。磁控溅射装置包括：真空容器；多个溅射机构，其分别包括靶材、磁体排列体和使磁体排列体在第一位置与第二位置之间往复移动的移动机构；电源，为了利用被选择的溅射机构在基片上进行成膜，而向上述靶材供给电功率来形成等离子体；向上述真空容器内供给用于形成上述等离子体的气体的气体供给部；和控制部，在进行上述成膜时输出控制信号，使得俯视时彼此的上述磁体排列体的移动路径的延长线交叉的上述被选择的溅射机构的该磁体排列体与上述未选择的溅射机构的该磁体排列体以彼此不靠近的方式同步地移动根据本发明，在进行磁控溅射处理时，能够抑制为了形成等离子体而施加于靶材的电压的变动。
磁控溅射装置方法

[发明专利]金属质感的无胶拉丝贴膜的生产方法及装置-CN201010225938.5有效
发明人：傅青炫;陈先锋;马尔松;夏慎领 -专利权人：淮安富扬电子材料有限公司
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C23C14/38 文献下载
摘要：本发明公开了金属质感的无胶拉丝贴膜的生产方法及装置，首先在基材上拉丝或者印刷图案；其次被拉丝的基材在放料室；最后进入溅射室；在由隔板(1)间隔的放料室(2)和溅射室(3)内安装生产装置，在放料室(2)和溅射室(3)内排布连贯的输送架(4)，在输送架(4)的首尾端分别安装放料辊(10)和收料辊(11)，在放料室(2)内位于输送架(4)的两侧安装离子源(5)，在溅射室(3)内位于输送架(4)的两侧安装一组溅射靶(9)，溅射靶(9)前安装气体反应器(8)，放料室、溅射室内各放置一个深冷捕集器(6、7)和真空泵(12、13)。该方法及装置在基材上溅射镀金属层，通过反应气体的类型产生不同的颜色，形成金属质感。
金属质感拉丝生产方法装置

[实用新型]金属质感的无胶拉丝贴膜的生产装置-CN201020257925.1有效
发明人：傅青炫;陈先锋;马尔松;夏慎领 -专利权人：淮安富扬电子材料有限公司
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了金属质感的无胶拉丝贴膜的生产装置，首先在基材上拉丝或者印刷图案；其次被拉丝的基材在放料室；最后进入溅射室；在由隔板(1)间隔的放料室(2)和溅射室(3)内安装生产装置，在放料室(2)和溅射室(3)内排布连贯的输送架(4)，在输送架(4)的首尾端分别安装放料辊(10)和收料辊(11)，在放料室(2)内位于输送架(4)的两侧安装离子源(5)，在溅射室(3)内位于输送架(4)的两侧安装一组溅射靶(9)，溅射靶(9)前安装气体反应器(8)，放料室、溅射室内各放置一个深冷捕集器(6、7)和真空泵(12、13)。该方法及装置在基材上溅射鍍金属层，通过反应气体的类型产生不同的颜色，形成金属质感。
金属质感拉丝生产装置

[实用新型]一种具有在线清洗功能的磁控溅射靶-CN200520011542.5无效
发明人：刘阳 -专利权人：北京实力源科技开发有限责任公司;刘阳
申请日： 2005-04-08 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提出一种具有在线清洗功能和预防离子刻蚀清洗过程污染的磁控溅射靶。这种磁控溅射靶的靶材为圆管形或圆盘形或圆环形，可绕其中心轴线旋转，在旋转所经过的部分圆周区域用屏蔽壁形成局部空间，其中充入惰性气体；通过内部磁场控制，在靶材的圆管形外表面上，形成两组发射方位基本固定的轴向长条形溅射跑道，主溅射电源连接于靶材与镀膜机主阳极之间，进行溅射镀膜，辅助清洗电源连接于靶材与局部空间内的清洗阳极之间，对靶材表面溅射刻蚀清洗。这种磁控溅射靶在较高的反应气体浓度下，也能够保持靶面的溅射工作状态稳定，提高了化合物薄膜的沉积速率，本实用新型还便于对靶材进行离子刻蚀清洗，基本防止了工件表面污染和靶材之间的交叉污染。
一种具有在线清洗功能磁控溅射

[发明专利]用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法-CN200810234755.2有效
发明人：李清文;陈同来;杨晓杰;勇振中 -专利权人：苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： B01J23/78 文献下载
摘要：本发明提供一种用于超长碳纳米管生长的高效复合催化剂薄膜的制备方法，先将硅衬底清洗后，并吹干，放入反应磁控溅射装置的反应室中，沉积前反应室背底绝对压力低于5×10-3Pa；采用Fe和Mg靶材作为溅射靶，或采用Fe和Al靶材作为溅射靶，以Ar气和O2气作为溅射气体，Ar气和O2气的流量比控制在1～10之间，待硅衬底温度加热至200～700℃后，溅射气体引入反应室至沉积室，整体压强达到1～10Pa后，开始溅射成膜，溅射功率控制在40～100W之间，靶材与衬底的垂直间距为50～100mm，控制沉积膜厚度在1～5nm；沉积完成后，随炉冷却至室温，切断气体源，取出成品，从而获得Mg-Fe-O或Al-Fe-O催化剂薄膜
用于超长纳米生长高效复合催化剂薄膜制备方法

[发明专利]以氮气为掺杂源一步法制备氮掺杂P型氧化锌薄膜的方法-CN201110160741.2无效
发明人：彭寿;王芸;彭程;沈洪雪 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种以氮气为直接掺杂源一步法制备氮掺杂P型氧化锌薄膜的方法，即磁控溅射法。在磁控溅射过程中，以金属锌为靶材，以氩气为溅射气体，氧气和氮气为反应气体，在磁控溅射腔室真空度达到10-4Pa时，通入一定比例的氩气，氧气和氮气；在进行磁控溅射镀膜的过程中，使其工作气压、溅射功率、基片偏压、镀膜时间都保持一定值的情况下，进行磁控溅射镀膜，而后无需进行后续的热处理，直接一步法获得氮掺杂P型氧化锌薄膜。本发明方法简单，以氮气为直接掺杂源，气体及工作参数可靠性强，薄膜质量较好，电阻率可在一定范围内进行很好的控制。而且可一步法制备P型氧化锌薄膜。
氮气掺杂一步法制备氧化锌薄膜方法

[发明专利]薄膜的制造方法及带有该薄膜的灯泡-CN01818480.4无效
发明人：桥本尚隆;小俣雄二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2001-09-04 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01K3/00 文献下载
摘要：在成膜装置的真空室(4)内，在以旋转轴为中心进行自转的旋转椭圆体基体(2)上按照溅射法形成薄膜时，通过气体压力为0.04～5.0Pa，或作为溅射气体，使用Ar气体和N₂气体的混合气体，按Ar气体为100时N₂气体为1～6来设定其分压比，或使用Ar气体和O₂气体的混合气体，按Ar气体为100时O₂气体为6来设定其分压比，薄膜形成开始时的输入功率在整个溅射处理中最大，或者在覆盖体基体上施加负偏压，从而使薄膜的截面或表面的粗糙少，减小膜厚分布。
薄膜制造方法带有灯泡

[发明专利]一种晶圆背面金属薄膜及其制备方法-CN201710160262.8有效
发明人：张大华;黄建伟;肖海波;罗海辉;谭灿健;肖强 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆背面金属薄膜及其制备方法，包括在晶圆背面溅射形成第一金属层；在晶圆背面与第一金属层接触处形成第一金属与硅的合金层；在第一金属层上溅射形成第二金属层；在第二金属层上溅射形成第三金属层，控制溅射后晶圆温度低于设定值，并在溅射时通入保护气体；关闭第三金属溅射，保持腔体中气体流通，当晶圆温度低于设定值，开启第三金属溅射，控制溅射后晶圆温度低于设定值，若第三金属层厚度未达目标值，则重复该步骤；若达目标值，在第三金属层上溅射形成第四金属层。
溅射晶圆金属层第一金属层金属薄膜第二金属层金属溅射晶圆背面制备种晶背面电参数测试保护气体晶圆碎片气体流通严重翘曲合金层接触处划片腔体封装金属重复