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[实用新型]化学实验教学教具-CN201822269680.3有效
发明人：孟丽聪;刘艳娟;幺琳 -专利权人：唐山学院
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G09B23/24 文献下载
摘要：本实用新型提供化学实验教学教具，支撑柱固定在底座上，支撑杆固定在支撑柱的顶端，在支撑杆固定有卡子，反应容器通过卡子安装在反应支架上，保护罩的底端通过安装卡箍安装在反应容器的开口处，在保护罩的底端内侧固定有防溅射层，在防溅射层的上方填充有吸附层，在吸附层和防溅射层之间设置气体阻隔装置，气体回收器通过气体回收卡箍安装在保护罩的顶端。通过在反应容器上加盖保护装置，通过保护装置能够保护实验人员不会受到反应过程中的刺激性气体或由于反应现象过于强烈而溅射出来的化学试剂的损害。
保护罩防溅射保护装置卡子吸附层支撑杆支撑柱底端化学实验教学气体阻隔装置本实用新型刺激性气体气体回收器反应现象反应支架化学试剂气体回收安装卡开口处教具加盖溅射卡箍底座填充损害

[发明专利]一种表面氧化方法-CN202110247606.5在审
发明人：高佳 -专利权人：东莞市峰谷纳米科技有限公司
申请日： 2021-03-06 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明是一种表面氧化方法，包括以下步骤：S1、将产品表面进行粗清理，将粗清理后产品吹干；S2、将粗清理后产品放置入真空腔中，真空腔中设置有隔离板，隔离板将真空腔分为溅射腔室与氧化腔室，对真空腔进行抽真空，真空腔中真空度范围为5pa‑0.05pa；S3、向溅射腔室内通入惰性气体，通入惰性气体速度范围为10‑5000sccm，向氧化腔室中通入活性气体及惰性气体，通入气体的速度范围为10‑5000sccm；本发明中采用石墨电极作为氧化靶源，对惰性气体与活性气体进行电离生成氧离子、氧化合物，产品在高速旋转前提下，先溅射后氧化实施；分步对完成溅射镀膜的产品表面进行氧化处理，可使镀膜的产品氧化率达到99.9%。
一种表面氧化方法

[发明专利]用于真空溅射沉积的设备及其方法-CN202010428072.1有效
发明人：丹尼尔·塞韦林;托马斯·格比利;托马斯·莱普尼茨 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括：真空腔室(110)；真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极，用于在基板(200)上溅射材料；气体分配系统(130)，用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体；真空系统(140)，用于在真空腔室(110)内提供真空；和安全布置(160)，用于降低氧氢爆炸的风险，其中安全布置(160)包含连接至真空系统(140)的稀释气体馈给单元(165)，用于稀释处理气体(111)的H2含量。
用于真空溅射沉积设备及其方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200880006245.8有效
发明人：中村肇;有马央恭;今村俊一;齐藤一也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置，用反应性溅射法在保持在溅射成膜室内的基板的表面形成化合物薄膜，所述溅射成膜室包括将对成膜在所述基板的表面的化合物薄膜的膜质进行调整的膜质调整用气体导入到所述基板的背面的第一膜质调整用气体导入设备
装置方法

[发明专利]薄膜沉积方法-CN202210026845.2有效
发明人：张图 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜沉积方法，包括：通气预热步骤，向反应腔室中通入溅射气体，同时开启反应腔室中的加热装置，对反应腔室的内环境及通入反应腔室中的溅射气体进行加热；薄膜沉积步骤，继续向反应腔室中通入溅射气体，并保持加热装置开启，且开启溅射电源，向靶材加载溅射功率，以在置于基座上的晶圆表面沉积薄膜；其中，加热装置在通气预热步骤中输出的加热功率小于在薄膜沉积步骤中输出的加热功率。
薄膜沉积方法

[发明专利]氧化物溅射靶及其制造方法、以及使用该氧化物溅射靶形成的氧化物薄膜-CN201980004774.2有效
发明人：奈良淳史;宗安慧 -专利权人：捷客斯金属株式会社
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种氧化物溅射靶，其特征在于，所述氧化物溅射靶含有MoO2和In2O3，Mo的含有比率以原子比计满足0.1≤Mo/(In+Mo)≤0.8，并且所述氧化物溅射靶的相对密度为80％以上。一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，在还原性气体气氛或惰性气体气氛下对氧化铟粉末和氧化钼粉末进行热压烧结。本发明的课题在于提供一种密度高的氧化物溅射靶及其制造方法。
氧化物溅射及其制造方法以及使用形成薄膜

[发明专利]太阳能真空管高选择性吸收涂层的制备方法-CN201010146222.6有效
发明人：安百军;安百盈;张振涛;刘建 -专利权人：山东帅克新能源有限公司
申请日： 2010-04-14 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能真空管高选择性吸收涂层的制备方法，是采用磁控反应溅射法，溅射气体为氩气，反应气体为高纯氮气和四氟化碳气体，设备使用一台三靶磁控溅射镀膜机，首先在玻璃管内管外壁上磁控反应溅射沉积一层的氮化钛
太阳能真空管选择性吸收涂层制备方法

[发明专利]一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法-CN201610946312.0有效
发明人：曾飞;李起;潘峰;傅肃磊;王光月 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供的氧化硅薄膜的沉积方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法在衬底上溅射即得到所述氧化硅薄膜；所述磁控溅射采用的工作气体为氨气和氩气的混合气体。本发明溅射过程中无毒无污染，工艺简单，工作气体中充入一定量氨气后得到的氧化硅薄膜中还含有氢原子和氨基等基团，它使得在同样的厚度下含有这些基团的薄膜比那些不含有这些基团的薄膜具有更大的正温度系数。
一种温度系数氧化薄膜及其沉积方法

[发明专利]调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法-CN200610023448.0无效
发明人：蔡珣;徐晔;陈秋龙;沈耀;胡亚威 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种薄膜技术领域的调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法。本发明采用直流反应磁控溅射，溅射靶为Ti－Si镶嵌靶，工作气氛为氮气和氩气的混合气氛，Ti－Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定，总工作气压固定，通过在0.002Pa－0.04Pa之间改变氮气分压，本发明可以简化原有的工艺方法，仅通过改变一种反应气体的气体分压就可方便地控制膜层的成分、微观组织结构和力学性能，具有较强的实用性。
调节磁控溅射反应气体压制 ti si 方法

[发明专利]磁控溅射装置及磁控溅射方法-CN202111472807.1在审
发明人：王康;邓慧;卢胜杰;张传彪 -专利权人：菏泽学院
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提出一种磁控溅射装置及磁控溅射方法，包括磁控溅射箱，磁控溅射箱内通过铜隔板分为磁力腔以及镀膜腔，镀膜腔内设有基片固定板，铜隔板侧壁设有靶材调距离装置以及均匀气体装置，磁力腔内设有磁力调控装置；靶材调距离装置包括定位板，对称设于定位板两侧的翻转板，以及设于翻转板远离定位板一侧的平行固定部件，磁控溅射箱顶部设有翻转驱动部件；均匀气体装置包括外罩板，设于外罩板端部的延展部件，以及设于外罩板顶部的均匀进气部件；磁力调控装置包括移动板本发明是一种便于对磁控溅射的镀膜效率进行提升的溅射装置及溅射方法。
磁控溅射装置方法

[发明专利]粘附金属层的溅射方法及半导体器件的制造方法-CN202210844693.7有效
发明人：陈献龙;洪明杰 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供了一种粘附金属层的溅射方法及半导体器件的制造方法，溅射方法包括：提供衬底；执行第一溅射工艺，以形成厚度小于或等于50埃第一粘附金属层，其中，溅射功率小于设定功率，气体流量小于设定流量；以及，执行第二溅射工艺本发明中，通过在第一溅射工艺中设置溅射功率小于设定功率及气体流量小于设定流量，以利用所形成的浓度较低的金属等离子体形成厚度小于50埃的第一粘附金属层，使其较为均匀的覆盖衬底的表面及开口的内壁并以此达到整面电性导通的效果，再利用第一粘附金属在执行第二溅射工艺过程中将集聚的电荷导走，以减少或避免等离子体诱导损伤。
粘附金属溅射方法半导体器件制造

[实用新型]一种low-E玻璃生产系统-CN201820631393.X有效
发明人：王进来;翟高良;张国元 -专利权人：山西昱泰玻璃科技有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：一种low‑E玻璃生产系统，包括上片区、镀膜区和下片区，其镀膜区包括依次连接的进片锁室，进片过渡室，进片缓冲室，镀膜室，出片缓冲室，出片过渡室，出片锁室，镀膜室中设置有镀膜生产线，镀膜生产线包括强磁铁，溅射靶，玻璃基片，放电气体，沉积膜，溅射电源，强磁铁上下两端固定有溅射靶，强磁铁中上部设置有屏蔽罩，强磁铁下端溅射靶的下方设置有玻璃基片，玻璃基片中下部设置有腔体基座，玻璃基片与强磁铁下端溅射靶之间填充有放电气体，强磁铁上端溅射靶与腔体基座下端分别连接溅射电源。经溅射镀膜法形成的膜具有更强的结合力和较好的致密性，可控性强，适用性广，镀膜生产线结构简单，无需人工操作，镀膜效果好。
强磁铁溅射靶玻璃基片镀膜生产线出片进片下端放电气体溅射电源腔体基座生产系统镀膜区镀膜室过渡室缓冲室锁室镀膜效果溅射镀膜人工操作上下两端依次连接沉积膜结合力可控性屏蔽罩致密性上端上片下片填充

[发明专利]一种磁控溅射镀膜方法及装置-CN202110201011.6在审
发明人：刘同春;李又舟 -专利权人：湖南匡楚科技有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射镀膜方法及装置，其中磁控溅射镀膜方法包括以下步骤：将工作气体进行电离，靶材与基片之间形成气体正离子和气体负离子；气体正离子轰击靶材，靶材原子脱离靶材往靠近基片的方向运动；隔离磁场对靠近基板的空气正离子进行隔离，减少空气正离子在基片表面成膜时渗入膜中；靶材原子沉积于基片，本发明中磁控溅射镀膜方法及装置在靶材和基片之间设置隔离磁场，隔离磁场可对气体正离子进行阻拦，减少空气正离子在基片表面成膜时渗入膜中，提升膜的质量
一种磁控溅射镀膜方法装置

[发明专利]一种基于气体团簇离子束溅射的薄膜沉积方法-CN201911100724.2有效
发明人：瓦西里·帕里诺维奇;曾晓梅;亚历山大·托斯托古佐夫;付德君;刘传胜 -专利权人：武汉大学深圳研究院
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于气体团簇离子束溅射的薄膜沉积方法，将气体团簇离子束的产生过程和靶材的溅射过程分开，无气体杂质的污染，溅射出的靶材材料直接沉积为薄膜，提高了薄膜的纯度；气体团簇离子束的能量介于3‑20keV，使得靶材材料溅射率高，薄膜沉积率高，使用目标薄膜材料制成靶材，且气体团簇离子束中的单原子能量很低，不至于熔化靶材，尤其适用于制备熔点低于200℃的低熔点、多元素组分的固体电解质薄膜；环绕靶材设置2个以上的衬底
一种基于气体离子束溅射薄膜沉积方法

[发明专利]一种纳米复合多层硬质薄膜制备方法-CN200810162316.5无效
发明人：吕鹏辉;方前锋;倪浩明;刘庆;汪爱英 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层硬质薄膜的制备方法，该法包括以下步骤：(1)将衬底基片表面进行打磨、清洗、烘干；(2)将清洗好的衬底基片置于真空室里，将真空室抽真空；(3)打开加热电源，将衬底基片加热，往真空室内通入溅射气体氩气，调整镀膜功率，对衬底基片进行第一层溅射沉积；(4)经过第一设定时间沉积后，选择第二时间内的状态或者反应参数设置，或打开反应气体氮气，或在通入反应气体的情况下：改变真空室内总气压，或改变原来衬底温度，或改变反应气体与溅射气体的比率本发明采用单靶磁控溅射仪制备纳米复合多层硬质薄膜，降低了对合成设备的要求，不需要使样品台转动的机械设备，减少了对环境的噪音污染和生产成本。
一种纳米复合多层硬质薄膜制备方法

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