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[实用新型]一种溅射镀膜装置-CN201820520480.8有效
发明人：任建达 -专利权人：北京创昱科技有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种溅射镀膜装置，其包括真空腔体，真空腔体内设置有溅射靶材、与溅射靶材相对的被镀基体、出气装置，真空腔体的侧壁上设置有用于向真空腔体内通入溅射气体的进气孔，出气装置上设置有与进气孔相连的气体入口、至少两个与气体入口相连通的气体出口，各气体出口分布在溅射靶材的至少一侧。本实用新型的溅射镀膜装置，其使得溅射气体经进气孔、气体入口进入出气装置后能够经至少两个气体出口流出溅射气体提供给溅射靶材，有效地增加了向溅射靶材提供溅射气体的气体出口的数量，从而能够使得现有技术中溅射靶材表面受到的轰击很不均匀的现象得到较好地缓解，进而使得被镀基体上的镀膜膜层的均匀性和溅射靶材消耗的均匀性得到提高。
溅射靶材溅射气体气体出口溅射镀膜装置出气装置气体入口进气孔本实用新型真空腔体均匀性真空腔体内溅射靶材表面镀膜膜层不均匀有效地侧壁轰击流出消耗缓解

[发明专利]溅射系统-CN201710861105.X有效
发明人：王辰;王一鸣;王光东;胡力凡;潘敏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射系统，包括：溅射腔室；设置于所述溅射腔室内的靶材固定件，所述靶材固定件具有用于将溅射用的气体导入所述溅射腔室内的靶材侧进气孔，所述靶材固定件用于固定靶材；气体供给装置，所述气体供给装置与所述靶材侧进气孔相连通，所述气体供给装置用于供给溅射用的气体。本发明的溅射系统，与现有技术相比，解决了现有的溅射系统因靶材周围的溅射用的气体补充的较慢导致的溅射的膜的均匀性不良的技术问题。
靶材溅射系统溅射气体供给装置固定件溅射腔进气孔室内溅射腔室气体补充固定靶均匀性

[实用新型]磁控溅射设备-CN201220193104.5有效
发明人：贺凡;刘壮;张军;冯叶 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射设备，包括溅射室，安装于溅射室内的靶材，以及开口于溅射室、并与磁控溅射设备附属的真空系统之间真空相连的抽气口。还包括用于将气体送入溅射室内带有出气孔的进气管和设置于进气管与抽气口之间的挡板。进气管与挡板安装于溅射室内。上述磁控溅射设备，由于挡板的隔离作用，减弱了抽气力对溅射室内气体浓度的影响，从而使溅射室内气体浓度较均匀。另外，气体从进气管通过出气孔进入溅射室，气体分子与挡板发生碰撞，会有一部分气体分子在一定的距离内向抽气口相反的方向运动，使靶材表面区域的气体分子分布比较均匀。
磁控溅射设备

[发明专利]气流溅射装置、气流溅射用靶以及溅射靶原料的制造方法-CN201780078345.0有效
发明人：小庄孝志;高见英生;中村祐一郎;武智幹雄;三上智广 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种适合长时间稳定地以高溅射率制造溅射靶原料的气流溅射装置。气流溅射装置具备：溅射室，其内部能够成为真空；一对平板靶，其隔着间隔以彼此的溅射面对置的方式配置在所述溅射室内；一个或两个以上的气体排出口，其用于在所述一对平板靶之间供应溅射气体；用于排出溅射气体的排气口；堆积溅射粒子的部件，其以面向气体排出口的方式隔着一对平板靶之间的空间部配置成位于气体排出口的相反侧；间隔调节机构，其能够调节所述一对平板靶的间隔。
气流溅射装置以及原料制造方法

[实用新型]线性溅射源分段供气系统-CN201420253841.9有效
发明人：郭爱云 -专利权人：红安华州光电科技有限公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种线性溅射源分段供气系统，包括一路磁控溅射工艺工作气体管路、多路磁控溅射工艺反应气体管路、分段供气装置，一路所述磁控溅射工艺工作气体管路、多路所述磁控溅射工艺反应气体管路和所述分段供气装置上均设置有质量流量计和截止阀本实用新型提供了一种线性溅射源分段供气系统，解决工作气体和多种反应气体混气和供气的问题；解决混气后供气的流量的实时控制问题；解决与工艺抽气系统设计相适应的工艺供气系统气场分布设计；解决与多种磁控溅射工艺(中频反应磁控溅射、直流磁控溅射和射频磁控溅射等)相适合的问题；实现大批量稳定连续生产。
线性溅射分段供气系统

[发明专利]一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法及应用-CN202110003038.4有效
发明人：魏洁;陈怀浩;杨少延;魏鸿源;高洁 -专利权人：南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法，包括：1、对硅衬底进行高温烘烤；2、降低硅衬底温度，通入溅射气体氩气，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3、在第二溅射功率下对金属铪靶材进行射频磁控溅射预处理；4、在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属铪层；5、通入反应气体氮气与溅射气体氩气形成混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化铪成核层；6、在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行氮化铪薄膜沉积生长；7、停止通入溅射气体氩气，在氮气气氛下对氮化铪薄膜高温退火；8、将硅衬底温度降至室温。
一种结晶质量氮化薄膜制备方法应用

[发明专利]一种反应溅射沉积速率稳定控制系统及方法-CN201711036339.7在审
发明人：曹一鸣;卫红;刘志宇 -专利权人：广州市光机电技术研究院
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应溅射沉积速率稳定控制系统，包括控制器、溅射电源、气体流量压电阀、镀膜室和多路传感反馈电路；所述控制器，通过控制信号控制溅射电源输出电流电压和工作气体、反应气体流量压电阀；多路传感反馈电路，包括等离子体光谱反馈电路、气体分压反馈电路和靶电流电压反馈电路。本发明通过监控等离子反应溅射光谱、控制工作气体和反应气体精确含量、靶电流电压等来实现溅射过程的快速反馈实时控制，实现溅射沉积速率的稳定和保证溅射薄膜成分的稳定，该发明不仅适用于较小基片、单一溅射材料，对大面积基片、复合掺杂溅射材料都有较好效果。
一种反应溅射沉积速率稳定控制系统方法

[发明专利]溅射室压力稳定方法、溅射镀膜方法和稳压溅射装置-CN201510002556.9有效
发明人：徐根;陈社诚;周志刚 -专利权人：湖南普照信息材料有限公司;湖南电子信息产业集团有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射室压力稳定方法、溅射镀膜方法和稳压溅射装，溅射室压力稳定方法包括以下步骤1)实时测量靶材溅射区域的真空值以得到实测值，实时测量靶材非溅射区域的真空值以得到参照值；2)调整抽取气体的速度使得所述实测值和所述参照值均处于预设压力范围内；3)调整抽取气体的速度使得所述实测值和所述参照值的差值均处于预设差值范围内。上述溅射室压力稳定方法测量了靶材溅射区域的真空值和靶材非溅射区域的真空值，反映了溅射室真空值的真实情况，通过调整抽取气体的速度，调节真空值达到预设值，并调整实测值和真空值的差值达到预设差值，使得溅射室压力稳定，制程气体的速度不变，保证溅射室内气体组分稳定。
溅射压力稳定方法镀膜稳压装置

[发明专利]陶瓷金属涂层-CN201810156140.6在审
发明人：托马斯·诺兰;罗桑杰拉·利迪策;史维·辛格 -专利权人：法雷奥北美有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种磁控溅射设备，包括第一独立溅射靶电源、第二独立溅射靶电源、工作气体端口、反应气体端口、被构造成容纳第一独立溅射靶电源、第二独立溅射靶电源、工作气体端口、反应气体端口和用于放置由所述磁控溅射设备进行涂层的沉积的部件的平台的真空腔处理电路被配置为通过在第一独立溅射靶电源和第二独立溅射靶电源之间交替地切换来分别交替地溅射第一靶和第二靶，以及控制一个或多个工艺参数以产生沉积在所述部件上的涂层的预定颜色。
溅射靶电源磁控溅射设备反应气体端口处理电路工作气体沉积陶瓷金属涂层预定颜色真空腔溅射容纳配置

[发明专利]一种立方氮化硼薄膜的制备方法-CN201610914489.2在审
发明人：李丙文;马宁 -专利权人：富耐克超硬材料股份有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种立方氮化硼薄膜的制备方法，属于超硬薄膜材料领域，该制备方法以Si晶片为衬底、hBN为靶材进行射频溅射，包括以下步骤（1）衬底预溅射溅射气体为惰性气体，溅射功率160‑400W，衬底负偏压‑280~‑350V，衬底温度500℃，预真空度1.3×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压1.3~2Pa，溅射时间5~15min；（2）薄膜成核溅射气体为惰性气体与N2的混合气体，溅射功率100‑400W，衬底负偏压‑200~‑300V，衬底温度400~600℃，预真空度1×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压1.33~2Pa，溅射时间15~45min；（3）薄膜生长溅射气体为氮气或惰性气体与N2的混合气体溅射功率200‑400W，衬底负偏压‑130~‑200V，衬底温度200~300℃，预真空度1×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压0.6~1.5Pa，溅射时间45‑120min；（4）退火。
一种立方氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种反应溅射等离子体控制系统及方法-CN201410131649.7无效
发明人：王小辉;卫红;曹一鸣;刘志宇;陈霞;莫忠 -专利权人：广州市光机电技术研究院
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应溅射等离子体控制系统及方法，所述控制系统包括控制器、电源、气体流量压电阀、镀膜室和多路传感反馈；所述控制器，通过控制信号控制溅射电源输出电流电压和工作气体、反应气体流量压电阀；多路传感反馈，包括等离子体光谱反馈电路、气体分压反馈电路和靶电流电压反馈电路。本发明通过监控等离子反应溅射光谱、控制工作气体和反应气体精确含量、靶电流电压等来实现溅射过程的快速反馈实时控制，实现溅射沉积速率的稳定和保证溅射薄膜成分的稳定。不仅适用于较小基片、单一溅射材料，对大面积基片、复合掺杂溅射材料都有较好效果。
一种反应溅射等离子体控制系统方法

[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备-CN201310023126.6有效
发明人：耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法和ITO薄膜溅射设备。其中ITO薄膜溅射工艺包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率本发明的ITO薄膜溅射工艺可降低启辉时的电压峰值。
ito 薄膜溅射工艺方法设备

[发明专利]溅射腔室-CN201910831322.3有效
发明人：纪红;史小平;兰云峰;秦海丰;赵雷超;张文强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本揭露涉及溅射腔室。一种溅射腔室包括基座、进气口、出气口和内衬结构。基座置于溅射腔室内，用于承载工作件。进气口置于基座的上方，进气口用于至少通入反应气体和溅射气体，其中反应气体与溅射气体的气体流量比例小于1，且溅射腔室的工作压力低于10mTorr。出气口置于基座的下方，出气口用于与抽气装置连接以将溅射腔室维持在预定的环境。内衬结构置于溅射腔室内且于加工时环绕基座以形成反应区，内衬结构将进气口和出气口隔离并在溅射腔室内形成相互独立的进气通道和出气通道，进气通道连通进气口和反应区，出气通道连通反应区和出气口，其中内衬结构用于使反应气体在反应区内均匀分布
溅射

[发明专利]一种单向可视低辐射玻璃的制作方法-CN201310718207.8无效
发明人：魏佳坤 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司
申请日： 2013-12-21 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种单向可视低辐射玻璃的制作方法,A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Nb₂O₅层；B、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，交流电源溅射铝旋转靶，在Nb₂O₅层上磁控溅射Al₂O₃层；C、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤B中的Al₂O₃层上磁控溅射Ag层；D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射Al平面靶，在步骤C中Ag层上磁控溅射Al层；E、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤D中的Al层上磁控溅射TiO₂层。
一种单向可视辐射玻璃制作方法

[实用新型]一种溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源-CN201920116372.9有效
发明人：邵玮;汤俊杰 -专利权人：南通纳瑞纳米科技有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源，包括靶材、喷气小孔和狭缝，所述靶材的上方设置有磁控溅射区域，且磁控溅射区域的左右两侧均安装有外壳，所述喷气小孔设置于磁控溅射区域的内表面，所述狭缝连接于三级储气环和二级储气环的中间位置该溅射气体均匀喷洒的磁控溅射靶源设置狭缝连通二级储气环和一级储气环，同理狭缝也连通着剩下的几个储气环，由于狭缝截面积小于一级储气环的截面积，因此大量溅射气体存储于一级储气环内，当一级储气环内的气体压强升高后，气体将沿着圆周型狭缝进入到二级储气环内，同理其他几个储气环中也是如此，这样的设计可保持通向磁控溅射区域的气体的气压均匀，从而保证溅射气体均匀。
储气狭缝溅射气体磁控溅射磁控溅射靶源均匀喷洒喷气小孔靶材连通本实用新型气体压强左右两侧内表面圆周型气压升高存储保证

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