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[发明专利]一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法及应用-CN202110002896.7有效
发明人：魏洁;杨少延;陈怀浩;魏鸿源 -专利权人：南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用磁控溅射在硅衬底上制备金属锆薄膜的方法，包括：1对硅衬底进行高温烘烤；2降低硅衬底温度，通入溅射气体，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3在第二溅射功率下对金属锆靶材进行射频磁控溅射预处理；4在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属锆层；5通入混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化锆成核层；6在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行薄氮化锆阻挡层沉积生长；7通入溅射气体，在第六溅射功率下采用射频磁控溅射沉积金属锆薄膜；8停止通入气体，对金属锆薄膜高温退火；9将硅衬底温度降至室温。
一种利用磁控溅射衬底制备金属薄膜方法应用

[发明专利]一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法及应用-CN202110003038.4有效
发明人：魏洁;陈怀浩;杨少延;魏鸿源;高洁 -专利权人：南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法，包括：1、对硅衬底进行高温烘烤；2、降低硅衬底温度，通入溅射气体氩气，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3、在第二溅射功率下对金属铪靶材进行射频磁控溅射预处理；4、在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属铪层；5、通入反应气体氮气与溅射气体氩气形成混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化铪成核层；6、在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行氮化铪薄膜沉积生长；7、停止通入溅射气体氩气，在氮气气氛下对氮化铪薄膜高温退火；8、将硅衬底温度降至室温。
一种结晶质量氮化薄膜制备方法应用

[发明专利]一种通过磁控溅射镀膜机提高不同金属膜间结合力的方法-CN202011502529.5在审
发明人：周东平 -专利权人：镇江晶鼎光电科技有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过磁控溅射镀膜机提高不同金属膜间结合力的方法，属于磁控溅射镀膜技术领域，包括如下加工步骤：（1）将基材表面清洗干净，烘干，置于磁控溅射镀膜机内；（2）设定好磁控溅射镀膜机的真空度、功率，以满功率状态在基材上对金属A溅射到所需厚度；（3）再采用满功率的50%状态对金属A溅射t1时间，对金属B溅射t2时间；（4）再用满功率的30%对金属A溅射t3时间，采用满功率的70%对金属B溅射t4时间；（5）再用满功率状态对金属B溅射到所需厚度；（6）溅射结束后自然冷却到室温，即可取出产品。该种方法通过磁控溅射镀膜机在两种金属膜层之间增加多层过渡层，可提高金属膜层之间的结合力。
一种通过磁控溅射镀膜提高不同金属膜结合方法

[发明专利]一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法-CN202210638878.2在审
发明人：王浪平;孙田玮;黄新放;王小峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法，它涉及一种提高磁控溅射沉积效率的方法。本发明要解决现有磁控溅射沉积效率低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、溅射。本发明用于采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法。
一种采用液态金属功率脉冲磁控溅射提高沉积效率方法

[实用新型]一种曲面玻璃镀膜设备-CN201820881702.9有效
发明人：谢智威 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种曲面玻璃溅射镀膜设备，包括溅射镀膜装置，还包括：用于输送曲面玻璃的输送装置；设置在输送装置的侧边、用于获取输送装置上待镀膜曲面玻璃的高度的获取装置；与获取装置相连、用于根据获取装置获取到的高度以及所需镀膜层的厚度计算与高度相对应的溅射功率的信号处理器；分别与信号处理器及溅射镀膜装置相连、用于在待镀膜曲面玻璃进入溅射镀膜装置的镀膜区域内时控制溅射镀膜装置利用与高度相对应的溅射功率进行溅射镀膜的功率控制装置。本申请公开的上述技术方案，获取装置获取曲面玻璃的高度，信号处理器计算与高度对应的溅射功率，溅射镀膜装置利用与高度对应的溅射功率进行镀膜，从而提高曲面玻璃镀膜层的均匀性。
曲面玻璃溅射镀膜装置获取装置溅射功率输送装置镀膜信号处理器镀膜层信号处理器计算功率控制装置溅射镀膜设备本实用新型镀膜区域镀膜设备厚度计算溅射镀膜均匀性侧边申请

[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备-CN201310023126.6有效
发明人：耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法和ITO薄膜溅射设备。其中ITO薄膜溅射工艺包括以下步骤：1）将直流溅射电源的输出电压限制到所述直流溅射电源的额定电压以下，且通过所述直流溅射电源对靶材施加预定功率；2）向反应腔内通入工艺气体，所述反应腔内的工艺气体压力设定为所述反应腔内的所述工艺气体能够启辉的预定压力，以使所述工艺气体在所述反应腔内启辉；和3）将所述反应腔内的工艺气体压力降低到所述预定压力以下且通过所述直流溅射电源对所述靶材施加溅射功率以进行溅射，所述溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率本发明的ITO薄膜溅射工艺可降低启辉时的电压峰值。
ito 薄膜溅射工艺方法设备

[发明专利]ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备-CN201310045824.6有效
发明人：耿波;叶华;文利辉;杨玉杰;夏威;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITO薄膜溅射工艺方法及ITO薄膜溅射设备。所述方法包括以下步骤：在向反应腔内通入工艺气体之前，控制直流溅射电源的输出电压为预定电压，并通过直流溅射电源对靶材施加预定功率；在预定时间之后向反应腔内通入工艺气体，以使工艺气体在反应腔内启辉；在启辉之后，通过直流溅射电源对靶材施加溅射功率以进行溅射，溅射功率大于等于所述预定功率且小于等于所述溅射电源的额定功率。本发明的ITO薄膜溅射工艺方法，能够大幅减小启辉电压，减小启辉瞬间粒子能量过高对GaN层的轰击，有效的减小对GaN层的损伤。
ito 薄膜溅射工艺方法设备

[发明专利]一种沟槽中溅射薄膜层填充方法和器件-CN201910294788.4有效
发明人：宋海洋;丁培军;王厚工;刘菲菲;高晓丽 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种沟槽中溅射薄膜层填充方法和器件，该方法包括：预先设定用于为待填充沟槽加热的基座温度，采用预设溅射功率向所述待填充沟槽内分层顺序填充溅射薄膜层；在后填充的所述溅射薄膜层才覆盖在在先填充的所述溅射薄膜层的表面；在后填充时采用的所述预设溅射功率与在先填充时采用的所述预设溅射功率不同；各层次薄膜层的厚度总和满足预设薄膜厚度。在对具有高深宽比的沟槽中进行溅射薄膜层填充时，可以在预设的温度下，划分为多个功率等级进行填充。在填充时，可以采用回流和沉积交替的方式，能够有效防止槽口封闭而形成槽内空洞；功率由低到高循序渐进，能够有效避免沟槽底部钉穿失效，保证器件结构完整。
一种沟槽溅射薄膜填充方法器件

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN99107621.4有效
发明人：达里尔·里斯秦诺;杨智华;汉斯·W·波耶茨伯格;坚田富夫;青地英明 -专利权人：株式会社东芝;国际商业机器公司;西门子公司
申请日： 1999-04-21 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种半导体器件的制造方法，尤其是一种薄膜溅射工艺，其中：首先在低温和低溅射功率下，在通孔的侧壁上淀积第一Al-Cu膜，然后在高温和高溅射功率下，在该第一Al-Cu膜上淀积第二Al-Cu膜，形成填充该通孔的金属互连层溅射是在同一溅射室内的低温和高温的两个步骤内完成的。在低温和低溅射功率下的淀积在该通孔内形成良好覆盖，在高温和高溅射功率下的淀积减少了工艺时间。
半导体器件制造方法

[发明专利]钨酸锆－铜梯度复合薄膜的制备方法-CN200710023646.1无效
发明人：严学华;程晓农;宋娟;赵国平 -专利权人：江苏大学
申请日： 2007-10-15 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：钨酸锆－铜梯度复合薄膜的制备方法，涉及复合薄膜制备技术领域，先进行磁控溅射靶材的制备，再对单晶Si基片按常规工艺进行表面活化处理，把复合氧化物、铜靶材和硅片分别置入主溅射室和进样室，并对主溅射室和进样室抽真空，对氧化物靶材进行预溅射清洗以去除表面杂质；调节氩气与氧气体积比为0～1之间，调节基材与靶材间距为5～15cm，调节溅射功率130～250W起辉溅射；设定镀复合氧化物靶的溅射功率为200～280W，Cu靶的溅射功率为50～70W，每间隔1小时增加Cu靶的溅射功率10～20W，同时减小复合氧化物靶的溅射功率20～50W，溅射后从主溅射室取出试样；对薄膜进行后热处理得到ZrW₂O
钨酸锆梯度复合薄膜制备方法

[发明专利]梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法-CN201910022023.5在审
发明人：汪福宪;郭鹏然;梁维新 -专利权人：广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度自掺杂纯相多元金属氧化物薄膜的磁控溅射制备方法，采用磁控共溅射法，靶A和靶B分别采用独立的直流溅射电源，并利用溅射功率渐变控制器控制共溅射过程中靶A和靶B的起始溅射功率和功率渐变速率，调控薄膜中金属离子的比例；通过在共溅射过程中控制靶A和靶B溅射组分的溅射功率，从薄膜底部至薄膜顶部形成金属离子A/B比例的梯度变化，在多元金属氧化缺陷容忍度范围内实现金属A/B比例的可控调节，在抑制杂相析出的前提下
薄膜多元金属氧化物溅射功率自掺杂制备磁控溅射金属离子共溅射渐变磁控共溅射法直流溅射电源控制器控制析出多元金属梯度变化氧化缺陷容忍度溅射可控金属调控

[发明专利]一种制备MnO₂/C复合薄膜电极材料的方法-CN201110081440.0无效
发明人：黎阳;谢华清;王继芬 -专利权人：上海第二工业大学
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：一种制备MnO2/C复合薄膜电极材料的方法，采用磁控溅射方法制备，通过控制溅射电源功率、溅射气氛、溅射偏压、溅射压强和溅射温度得到MnO2/C复合薄膜，具体步骤为：选直径2英寸的金属Mn靶和石墨靶为靶材；Mn靶采用射频电源，射频电源功率在50～150W之间；石墨靶采用直流电源，直流电源功率30～60W之间；溅射气氛为高纯Ar和高纯O2的混合气；溅射前的基底真空小于5×10-4Pa；在溅射过程中对基底施加0～-100V溅射偏压；并将溅射压强控制在0.5～1.0Pa之间内；溅射时对溅射室温度控制在室温～300℃之间。溅射气氛流量比Ar∶O2＝1∶1。本发明操作流程简单，制备的MnO2/C复合薄膜电极材料比电容高、循环稳定性好，可应用在需要高稳定性、高功率密度微型电源的场合。
一种制备 mno sub 复合薄膜电极材料方法

[其他]用于涂布基板的设备-CN201490001611.1有效
发明人：丹尼尔·塞韦林;马库斯·本德;马库斯·哈尼卡;拉尔夫·林登贝格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：所述真空处理腔室包含溅射组件。所述溅射组件包含溅射源。所述溅射组件可以相对于所述真空处理腔室的平移运动的方式移动。设备包含功率源用于向所述溅射源施加功率。设备进一步包含控制器，用于依据所述真空处理腔室中的所述溅射组件或所述溅射源的当前位置，来控制从下述内容中的至少一个：由所述电源施加到所述溅射源的所述功率、由所述电源施加到所述溅射源的电压、以及由所述电源施加到所述溅射源的电流
溅射源真空处理腔室溅射施加电源涂布基板平移运动控制器功率源移动

[发明专利]一种高功率双极脉冲磁控溅射方法-CN201410418382.X有效
发明人：王浪平;林铁贵;王小峰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种高功率双极脉冲磁控溅射方法，涉及一种双极脉冲磁控溅射方法。本发明的目的是为了解决现有的高功率单级磁控溅射电荷积累而产生的打火的技术问题。本发明的一种高功率双极脉冲磁控溅射方法是按以下步骤进行：一、安装设备；二、设置电源参数；三、预溅射；四、溅射。本发明优点：本发明方法即可有效的抑制靶的打火现象，提高溅射效率，又可获得高致密性和高结合力的薄膜。本发明应用于磁控溅射领域。
一种功率脉冲磁控溅射方法

[发明专利]具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置-CN201510708221.9有效
发明人：张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于物理气相沉积领域，涉及一种具高功率脉冲离子源的磁控溅射装置。该装置包括由偏压电源供电的工件盘、与真空泵组相连的真空腔体，真空腔体内设有不少于2个的由电源Ⅰ供电的磁控溅射靶，相邻的磁控溅射靶之间设有由电源Ⅱ供电的高功率脉冲离子源，在真空腔体内形成闭环结构。本发明将高功率脉冲离子源同磁控溅射相复合，消除了高功率脉冲电源作为磁控溅射电源时产生的离子回流现象，保证了磁控溅射所需的高离化密度，高功率脉冲离子源提高了薄膜的沉积速率。
高功率脉冲离子源磁控溅射装置磁控溅射靶电源磁控溅射真空腔供电体内磁控溅射电源物理气相沉积闭环结构离子回流偏压电源真空泵组真空腔体工件盘离化薄膜沉积复合保证

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