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[发明专利]一种封装结构及其形成方法、封装系统-CN202310707881.X在审
发明人：王俊文;宋倩倩;华文宇;洪齐元 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提供了一种封装结构及其形成方法、封装系统，所述封装结构包括：沿第一方向堆叠排布的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构接近所述第二半导体结构的一侧包括第一键合层；所述第二半导体结构接近所述第一半导体结构的一侧包括第二键合层；所述第一键合层和所述第二键合层构成混合键合层；所述第一半导体结构和/或所述第二半导体结构包括散热通道；所述散热通道至少部分位于所述混合键合层内；所述散热通道与冷却装置连接。
一种封装结构及其形成方法系统

[发明专利]一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法-CN200910053505.3无效
发明人：魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种具有绝缘埋层的半导体衬底的制备方法，包括如下步骤：提供键合衬底，所述键合衬底包括剥离层、第一半导体层以及腐蚀停止层；提供第二半导体支撑衬底；在第一半导体层或者第二半导体支撑衬底表面形成绝缘埋层，或者在第一半导体层和第二半导体支撑衬底的表面均形成绝缘埋层；将第二半导体支撑衬底与键合衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去剥离层和腐蚀停止层。本发明的优点在于，利用带有腐蚀停止层的多层结构键合衬底同支撑衬底相键合，以获得混合晶向衬底；由于采用了腐蚀停止层控制减薄工艺，因此该混合晶向衬底顶层半导体厚度均匀。
一种具有绝缘半导体衬底制备方法

[实用新型]二维运动混合机-CN201820026741.0有效
发明人：杨文龙;徐向荣 -专利权人：江西金衡康生物科技有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： B01F11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种二维运动混合机，属于制药机械技术领域，包括转筒、摇摆架、机架和控制台，控制台设置在机架上，具有启动键、停止键和计时模块,启动键通过计时模块与第一驱动电机和第二驱动电机连接,停止键与第一驱动电机和第二驱动电机连接；计时模块根据设定的延时时间分步启动第一驱动电机和第二驱动电机；本实用新型的二维运动混合机，在控制台的启动键与第一驱动电机和第二驱动电机之间设置有计时模块，在按动启动键后，第一驱动电机和第二驱动电机不会立即启动
驱动电机计时模块启动键二维运动混合机控制台本实用新型停止键人员安全人员离开延时启动制药机械摇摆架按动延时转筒

[发明专利]简易数字符号汉字输入法及其键盘-CN01134427.X无效
发明人：陈松 -专利权人：陈松
申请日： 2001-11-01 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： G06F3/023 文献下载
摘要：，通过象形、谐音、取字的某部分、取相同笔画数及行书的笔型特征联系起来，以小键盘的15个键为基础形成编码与拆字规则，并且具有15键6码及15键4码两套编码规则，另外将小键盘15个键映射到大键盘上，可实现中文，英文，数字混合输入。本发明实现了简单易学，高效方便，中英文混合输入，还可通过两键合为一键来减少总键数，以满足特殊应用的要求，是一种较理想的输入法，可充分体现汉字的优越性。
简易数字符号汉字输入法及其键盘

[发明专利]键帽加工工艺及键帽-CN201310653511.9无效
发明人：黎柏松 -专利权人：珠海市智迪科技有限公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C08L55/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种键帽加工工艺，包括步骤：将透明ABS塑料和珠光粉混合后进行加工，以形成用于加工键帽体的抽粒料；将抽粒料通过注塑工艺加工形成键帽体；在键帽体的表面喷涂黑色涂料；对喷涂后的键帽体进行镭雕以在其表面上形成字符，进而获得键帽成品。通过上述方式，键帽加工过程中，能够简化工艺流程、缩短加工周期和降低损耗。
加工工艺

[发明专利]含水粘合剂胶乳的生产方法-CN200680014725.X有效
发明人： T·威廉斯;M·巴雷尔;K·－F·李;F·特萨里;S·威格豪斯;P·布吕兰茨;E·C·霍策 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2006-04-27 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C08F265/02 文献下载
摘要：一种通过在水相中多阶段乳液聚合生产含水粘合剂胶乳的方法，其包括连续步骤：1)在水相中自由基聚合烯键式不饱和的可自由基聚合单体的混合物A，该混合物以与混合物A酸值10－100mgKOH/g相当的比例包含至少一种具有至少一个酸基的单体和0.5－5重量％至少一种烯键式多不饱和单体；2)中和在工艺步骤1)中形成的聚合物的酸基；3)在工艺步骤2)获得的产物的存在下，自由基聚合至少一种可自由基聚合的烯键式不饱和单体的混合物B，该混合物以与混合物B或混合物B的每种的酸值为0到低于5mgKOH/g相当的比例包含至少一种具有至少一个酸基的单体、以与混合物B或混合物B的每种的羟基值为0到低于5mgKOH/g相当的比例包含至少一种具有至少一个羟基的单体，以及至少一种基于混合物B或混合物B的每种为0.5－5wt％的烯键式多不饱和单体，其中混合物A与至少一种混合物B的重量比为15∶85－85∶15，而且其中工艺步骤2)中的中和在至少90wt％的混合物A单体已经完成聚合后开始
含水粘合剂胶乳生产方法

[发明专利]一种增加虚实结合度的虚拟体育系统-CN200910244319.8有效
发明人：马菲莹 -专利权人：新奥特（北京）视频技术有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H04N5/262 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加虚实结合度的虚拟体育系统，包括：第一图形工作站，包括摄像机信号接收模块、三维图形获取模块、混合输出模块，所述摄像机信号接收模块用于接收摄像机采集的前景信号；所述三维图形获取模块用于接收当前赛事直播的三维图形数据；所述混合输出模块用于依据所述三维图形数据及前景信号进行混合输出；色键器，用于将所述混合输出信号作为色键背景，将相应的前景信号作为色键前景进行合成输出。
一种增加虚实结合虚拟体育系统

[发明专利]一种用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺-CN201610054714.X在审
发明人：胡思平;朱继锋 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，在不平坦的待键合晶圆表面形成阻挡层和平坦层薄膜，接着，对平坦层薄膜进行平坦化处理，形成平坦的表面，平坦化可以停止与阻挡层，接着，使用键合工艺对所述待键合晶圆进行键合，本发明能够有效解决键合晶圆平坦化程度不高的问题，有利于进行晶圆的键合，提高键合的成功率。
一种用于混合式工艺预处理

[发明专利]改善厚膜混合集成电路同质键合系统质量一致性的方法-CN201210537316.5有效
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了改善厚膜混合集成电路同质键合系统质量一致性的方法，该方法在原有工艺的基础上，增加厚膜键合区表面整平工艺，具体是：选择贵金属抛光液，通过局部抛光机对每个键合区进行抛光，使其表面平整度≤0.1μm；然后用机械掩模方法，在高真空溅射台或蒸发台中，在键合区表面形成一层铝薄膜、或镍-铬-铝或铬-铜-铝复合薄膜；最后，按常规混合集成电路集成工艺，将半导体芯片和片式元器件集成在厚膜基片上，半导体芯片的键合采用硅-铝丝键合，管脚与基片之间采用金丝键合，实现质量一致性好、可靠性高的金-金、铝-铝同质键合。
改善混合集成电路同质系统质量一致性方法

[发明专利]一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法-CN201210442236.1有效
发明人：李铁;高安然;戴鹏飞;鲁娜;萨姆·海米拉;帕西·盖里奥;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，首先提供一硅基芯片与一PDMS芯片，采用丙酮和酒精对所述硅基芯片及所述PDMS芯片进行超声清洗，然后采用氧气及第二气体的混合等离子体对所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面进行处理，最后将所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片的键合面相互贴合并进行按压，以键合所述硅基芯片及PDMS芯片。具有以下有益效果：1）该方法在常温下进行，克服了高温键合带来的成品率低，操作耗时等缺点；2）该工艺过程简单，成品率高，键合速度快，强度高，不会发生漏液现象；3）由于硅基芯片加工工艺成熟，可以制作复杂结构，硅基芯片与PDMS芯片的键合有助于实现复杂结构的微流控芯片。
一种采用混合等离子体实现芯片 pdms 方法

[发明专利]一种基于预定位自补偿式对准的晶圆级混合键合方法-CN202310816664.4在审
发明人：王诗兆 -专利权人：湖北芯研投资合伙企业(有限合伙)
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于预定位自补偿式对准的晶圆级混合键合方法，包括：在上层芯粒晶圆上制备Cu+焊帽凸点结构，经裂片后涂敷粘合剂并进行图形化压印和预固化，成型后的粘合剂高度低于凸点高度，形成正高度差；在下层晶圆上制备Cu+焊块凸点结构后涂敷粘合剂并进行图形化压印和预固化，成型后的粘合剂形成预定位台阶且粘合剂高度高于凸点结构，形成负高度差；键合时通过下层晶圆高速旋转产生的离心力以及预制粘合剂台阶完成预定位，同时下层晶圆凸点结构直径大于上层芯粒凸点结构直径，形成具有预定位自补偿对准功能的凸点键合方式。本发明能有效解决传统晶圆级混合键合工艺中晶圆级混合键合偏移大、预对准时间长、键合强度不高的问题。
一种基于预定补偿对准晶圆级混合方法

[发明专利]基于混合金属价键化合物的记忆电阻-CN200980160656.7有效
发明人： R·S·威廉斯;J·杨;M·皮克特;G·里贝罗;J·P·斯特拉钱 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种基于混合金属价键化合物的记忆电阻(100、100’、100”)，包括：第一电极(115)；第二电极(120)；与至少一层完全氧化相层(110、110a、110b)物理接触的混合金属价键相层(105)所述混合金属价键相实质上是用于完全氧化相的掺杂剂的凝集相，所述掺杂剂响应于施加的电场(125)漂移进和漂移出所述完全氧化相。所述第一和第二电极中的一个与所述混合金属价键相层或一层完全氧化相层(110a)电接触且所述第一和第二电极的另一个与所述完全氧化相层(或另一层(110b))电接触。记忆电阻通过形成任意顺序的所述混合金属价键相的层和所述完全氧化相层来形成，其中一层在另一层之上。还公开了一种可逆二极管(100’)和开启转换二极管(100”)。进一步公开了一种操作所述记忆电阻的方法。
基于混合金属化合物记忆电阻

[发明专利]光学元件及其防潮涂布方法-CN200710006104.3无效
发明人：小岛龙也;大久保拓朗;高桥崇 -专利权人：拓普康株式会社
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：通过施涂可溶氟树脂和烯键式化合物的混合溶液到玻璃基底和双折射材料膜的端面上，从而进行防潮处理。在其它情况下，在通过以预定的混合比混合可溶氟树脂和烯键式化合物制备的溶液内浸渍光学元件，以便使玻璃基底和双折射材料膜的端面防潮。双折射材料膜是相差膜。可溶氟树脂是无定形氟树脂。烯键式化合物是PTFE。
光学元件及其防潮方法

[发明专利]糖混合物及其生产和使用方法-CN201610162095.6有效
发明人：阿哈龙·伊亚尔;罗伯特·詹森;阿瑟·维特纳;莉薇特丽·马里 -专利权人：威尔迪亚有限责任公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C13K1/02 文献下载
摘要：一种糖混合物，包含：单糖；与总糖的比例≥0.06的寡糖；与总糖的比例≥0.05的二糖；与总糖的比例≥0.05的戊糖；至少一种α键合的二葡萄糖；和至少一种β键合的二葡萄糖。还公开了制备和/或使用此类混合物的方法。
混合物及其生产使用方法

[发明专利]糖混合物及其生产和使用方法-CN201180041427.0有效
发明人：阿哈龙·伊亚尔;罗伯特·詹森;阿瑟·维特纳;莉薇特丽·马里 -专利权人：威尔迪亚有限公司
申请日： 2011-06-26 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C13B50/00 文献下载
摘要：一种糖混合物，包含：单糖；与总糖的比例≥0.06的寡糖；与总糖的比例≥0.05的二糖；与总糖的比例≥0.05的戊糖；至少一种α键合的二葡萄糖；和至少一种β键合的二葡萄糖。还公开了制备和/或使用此类混合物的方法。
混合物及其生产使用方法