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- [发明专利]图形化膜层的方法-CN201110300215.1无效
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宗登刚;徐爱斌;于涛;于世瑞;孔蔚然
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上海宏力半导体制造有限公司
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2011-09-28
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2012-01-11
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H01L21/027
- 一种图形化膜层的方法，包括：提供基底，所述基底上形成有膜层；在所述膜层上形成中间层；在所述中间层上形成图形化的深紫外光刻胶层，定义出所述膜层需要去除的区域；以所述图形化的深紫外光刻胶层为掩膜，去除所述中间层没有被所述图形化的深紫外光刻胶层覆盖的部分，形成图形化的中间层；去除所述图形化的深紫外光刻胶层；以所述图形化的中间层为掩膜刻蚀所述膜层；去除所述图形化的中间层。解决现有技术中，当膜层图形的线宽缩小至一定尺寸及更小(小于等于350nm)时，必须用深紫外光刻技术制作图形，而膜层后续的湿法刻蚀又不允许深紫外光刻胶做掩膜的矛盾。
- 图形化膜层方法
- [发明专利]一种基于光纤阵列的深紫外光刻机-CN202310580508.2在审
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陈大鹏;傅剑宇
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无锡物联网创新中心有限公司
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2023-05-23
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2023-08-22
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G03F7/20
- 本发明涉及芯片或集成电路制造技术领域，具体公开了一种基于光纤阵列的深紫外光刻机，包括深紫外激光光源、单模光纤耦合器、光开关、高精度二维光纤阵列、菲涅尔波带片阵列、放有感光基板的工件台、控制系统以及版图处理软件系统，单模光纤耦合器包括透镜和透镜后面的单模光纤，感光基板包括晶圆和设置在晶圆上的光刻胶，晶圆划分为多个曝光场，深紫外激光光源、工件台和版图处理软件系统均与控制系统电连接，深紫外激光光源的光通过透镜被引入到单模光纤中，单模光纤经过光开关后连接高精度二维光纤阵列，高精度二维光纤阵列的端面与菲涅尔波带片阵列对准；本发明提供的基于光纤阵列的深紫外光刻机，曝光线条更为精细，能够适应更多生产需求。
- 一种基于光纤阵列深紫光刻
- [发明专利]深紫外光刻制作“T”型栅的方法-CN200810054737.6有效
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杨中月
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中国电子科技集团公司第十三研究所
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2008-04-07
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2008-08-27
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G03F7/00
- 本发明公开了一种深紫外光刻制作“T”型栅的方法，该方法依次为：清洗衬底并进行干燥；涂敷深紫外化学放大光刻胶；采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影，初步形成栅根的光刻胶窗口图形；采用化学缩细溶液，对曝光开出的光刻胶窗口图形进行缩细处理；涂敷电子束抗蚀剂；涂敷深紫外化学放大光刻胶；采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影；采用深紫外光对电子束抗蚀剂进行曝光，并显影，形成栅帽的光刻胶窗口图形；采用金属蒸发的方法淀积栅电极的金属；剥离金属、去胶，完成“T”型栅的制作；该方法使“T”型栅的栅根可以突破光刻版最细线条制作的限制，节省光刻版的制作费用，同时可以使化合物半导体器件的深亚微米加工实现规模化。
- 深紫光刻制作方法
- [发明专利]InP基异质结双极晶体管的制作方法-CN201710160773.X有效
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汪宁
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中国科学院微电子研究所
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2017-03-17
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2019-11-15
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H01L29/737
- 所述方法包括：使用深紫外光源对InP基异质结双极晶体管表面的发射极外延层进行光刻，形成发射极电极；腐蚀含有所述发射极电极的发射极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层；使用深紫外光源对露出的基极外延层进行光刻，形成基极电极；腐蚀含有所述基极电极的基极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层；使用深紫外光源对露出的集电极外延层进行光刻，形成集电极电极。本发明使用PMMA光刻胶配合深紫外光刻，避免使用碱性试剂，因而有效地避免了碱性物质对GaAsSb的化学腐蚀，最大限度的保证了导电沟道和二维电子气的电学性能，提升了InP基GaAsSb的HBT的器件性能。
- inp基异质结双极晶体管制作方法
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