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[实用新型]集成设备和电子系统-CN202023062551.0有效
发明人： A·帕勒亚里;S·D·马里亚尼;I·巴尔迪;D·布拉泽利;A·P·梅利尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：集成设备包括深插塞。深插塞由深沟槽形成，深沟槽从浅沟槽隔离的浅表面在半导体主体中延伸。沟槽接触件通过浅沟槽，在浅沟槽的浅表面处与深沟槽的导电填料接触。系统包括至少一个具有深插塞的集成设备。
集成设备电子系统

[发明专利]具有在浅沟槽下的深插塞的集成设备-CN202011500998.3在审
发明人： A·帕勒亚里;S·D·马里亚尼;I·巴尔迪;D·布拉泽利;A·P·梅利尼 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及具有在浅沟槽下的深插塞的集成设备。集成设备包括深插塞。深插塞由深沟槽形成，深沟槽从浅沟槽隔离的浅表面在半导体主体中延伸。系统包括至少一个具有深插塞的集成设备。而且，用于制造该集成设备的对应过程包括以下步骤：在形成浅沟槽隔离和沟槽窗口之前形成和填充深沟槽，沟槽接触件延伸通过该沟槽窗口以与导电填料接触。
具有沟槽深插塞集成设备

[发明专利]包括基板接触插塞的半导体装置及其制造方法-CN201810110607.3有效
发明人：关川宏昭;德光成太;小室明日翔 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：当在电路区域中形成在比元件分离用的槽深的槽内形成且将布线与半导体基板电连接的基板接触插塞的情况下，防止由于基板接触开口率不足引起的基板接触插塞的电阻值的增大。将连接到布线(M1)和半导体基板(SB)并且不构成电路的基板接触插塞(SP2)形成于半导体芯片区域的边缘部的密封环区域(1B)。将基板接触插塞(SP2)埋入于比元件分离用的槽(D1)深的槽(D2)内。
包括接触半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种导电插塞的制造方法-CN200910198062.7有效
发明人：孙鹏;黄永彬;孙万峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种导电插塞的制造方法，通过在抗反射层上涂布预沾湿溶液，然后再在抗反射层上形成光刻胶，可以使形成的导电插塞的深宽比比较大，不容易发生导电插塞和导电层的短路。
一种导电制造方法

[发明专利]半导体芯片及其制造方法和半导体芯片堆叠封装-CN200810186515.X有效
发明人：李玟炯 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：深插塞穿透半导体衬底和电介质。互连电连接深插塞和顶部金属。凸点与顶部金属和互连接触。
半导体芯片及其制造方法堆叠封装

[发明专利]用于制造半导体装置的方法-CN201680080934.8有效
发明人： H.巴托夫;M.拉伊莫;L.诺尔;A.米海拉;R.米纳米萨瓦 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：p++掺杂插塞6从与源层深度（30）至少同样深并且与阱层深度（50）相比没那么深的深度延伸到与阱层深度（50）至少同样深的插塞深度（60），并且具有比阱层（5、5’）更高的掺杂浓度，所述插塞被布置在源区在第一主侧（20）上，欧姆接触作为第一主电极（20）接触源区（3、3'）、阱层（5、5’）以及插塞（6）。
阱层插塞源区沟道层掺杂宽带隙半导体半导体装置横向包围欧姆接触掺杂阱漂移层主电极源层延伸制造

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201610642822.9有效
发明人：李广宁;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底中形成沟槽；在所述沟槽中填充金属形成第一插塞，且所述第一插塞的上表面高于所述第一衬底的一表面；提供第二衬底，所述第二衬底中具有第二插塞及与所述第二插塞的一端连接的器件层，所述第二插塞的另一端在所述第二衬底的一表面处暴露；以及将所述第一衬底的一表面与所述第二衬底的一表面键合，且所述第一插塞与所述第二插塞电性连接，所述第一插塞和所述第二插塞形成通孔。本发明中，形成的通孔的深宽比更大，节省通孔占用的器件的面积，降低成本。
半导体器件制备方法

[发明专利]用于堆叠器件的互连结构和方法-CN201310410420.2在审
发明人：庄俊杰;杨敦年;刘人诚;洪丰基;许慈轩;蔡纾婷;高敏峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电（ILD）层、第一互连部件，以及将第一互连部件连接至公共导电部件的导电插塞。器件还包括导电深接塞，其与第一半导体元件中的公共导电部件和第二互连部件相连接。导电深插塞与导电插塞之间由所述第一ILD层分开。本发明还公开了用于堆叠器件的互连结构和方法。
用于堆叠器件互连结构方法

[实用新型]多用试剂瓶内盖开启器-CN201820112298.9有效
发明人：潘丹;周艳军;耿锦涛;张爱佳 -专利权人：辽宁工业大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： B67B7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型多用试剂瓶内盖开启器，主要应用于化学试剂瓶带裙边及不带裙边的内盖；夹持杆(1)由左右对称的两部分组成，夹持杆通过销轴(2)铰接在一起，夹持杆的上部分设手柄(4)，下部分设半圆柱状塞体(3)，塞体外侧设锯齿状防滑外套(6)。与塞体连接的是两个半圆形深槽插片(5)。对于有裙边的内盖，使用半圆形深槽插片插入内塞裙边与试剂瓶瓶口之间，再与前面塞体处的支点(7)，构成杠杆，手柄上提打开试剂瓶；对于没有裙边的内盖，使用时采用半圆柱状塞体伸入内盖里槽，用带锯齿状防滑结构的塞体顶住内盖壁
塞体试剂瓶裙边内盖手柄夹持杆内盖开启器半圆柱状插片深槽分设锯齿状防滑结构杠杆本实用新型防滑外套化学试剂左右对称锯齿状内盖壁弯头处铰接里槽内塞瓶口伸入下压销轴顶住应用

[实用新型]一种定深采样装置-CN201920795109.7有效
发明人：王少锋;莫中堂;许志伟;贾志强;董红领;杨梦田;常新星;郭秋枝 -专利权人：河南利诺生化有限责任公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G01N1/14 文献下载
摘要：一种定深采样装置，包括采样杆及采样器，所述采样杆为具有纵向空腔的中空采样杆，采样杆外侧沿纵轴方向设置有刻度，采样杆下端设置有搭扣，采样杆的纵向空腔内活动插设有手杆，所述手杆下端设置有取样塞，所述采样器为筒状采样器，采样器上端设置有与手杆下端取样塞适配的采样口，采样器与采样杆下端通过搭扣可拆卸连接。本实用新型提供了一种定深采样装置，其结构简单，制造成本低，可以对容器内部液体进行定深取样。
一种采样装置

[发明专利]插塞的形成方法-CN201310044553.2有效
发明人：黄敬勇;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种插塞的形成方法，首先对器件区和第一介质层进行第一步刻蚀以形成第一连接孔并填充形成第一插塞，再形成阻挡层和第二介质层，接着对第二介质层进行第二步刻蚀以形成第二连接孔，接着对第二介质层和阻挡层进行第三步刻蚀以形成第三连接孔并填充形成第三插塞；分步刻蚀能够降低每次刻蚀工艺形成的连接孔的深宽比，从而降低对刻蚀工艺的要求，使刻蚀工艺得到更好的控制，从而形成形貌较好的插塞。
形成方法

[实用新型]用于深孔板的板盖-CN202320769603.2有效
发明人：赵建华;韦懿;杨燕宇 -专利权人：武汉市景肽生物科技有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种用于深孔板的板盖，包括板盖本体，所述板盖本体的上表面设有若干呈矩形阵列排布的盲孔，所述板盖本体的下表面设有若干与盲孔一一对应的锥形孔塞，所述盲孔的底部延伸至孔塞的底部，所述孔塞的顶部外径大于底部外径且小于深孔板的深孔内径本实用新型通过在板盖本体的下表面设置若干内部中空的锥形孔塞，使得板盖与深孔板盖合时，孔塞可以轻松的塞入深孔板的深孔内，无需借助外力按压，使用更加方便；另外，通过设置孔塞的顶部外径大于底部外径且小于深孔板的深孔内径，可以降低孔塞与深孔板的深孔之间的密封性，起到透气的作用，不会造成孔内高温、高湿的环境，更适用于离体固态样本的常温存放。
用于深孔板

[发明专利]CMOS器件后端互连结构及其形成方法-CN202111187800.5在审
发明人：刘继全 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：所述衬底内具有导电层，且所述衬底暴露出所述导电层的顶部表面；位于所述衬底上的介质结构；位于所述介质结构内的接触孔，所述接触孔暴露出所述导电层的顶部表面；位于所述导电层顶部表面的保护层；位于所述接触孔内的导电插塞，所述导电插塞与所述保护层电连接。利用所述保护层降低在清洗处理的过程中对所述导电层的刻蚀损伤，使得所述导电层的高度保持不变，进而减小所述接触孔的深宽比的增加。保证形成所述导电插塞的材料能够充分的沉积至所述接触孔的底部，使得所述导电插塞与所述导电层之间的电接触性提升，进而提升最终形成的半导体结构的性能。
cmos 器件后端互连结构及其形成方法

[发明专利]集成电路的结构-CN200710128653.8有效
发明人：余振华;叶震南;姚志翔;万文恺;郑价言 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路的结构，其包括：半导体基底；金属化层，在该半导体基底上方；第一介电层，在该半导体基底与该金属化层之间；第二介电层，在该半导体基底与该金属化层之间，其中该第二介电层在该第一介电层上方；以及接触插塞，其具有上部及下部，该上部在该第二介电层中，该下部在该第一介电层中，其中该接触插塞电连接该金属化层中的金属线，且在该上部与该下部之间的界面，该接触插塞是不连续的。本发明可以有效地解决接触插塞与较高的深宽比有关的问题，并可以降低寄生电容。
集成电路结构

[实用新型]一种高温深孔塞-CN202220770545.0有效
发明人：方平平;张移民 -专利权人：深圳市佳盈通电子科技有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B05B12/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高温深孔塞，涉及深孔塞技术领域，包括深孔塞调节结构，所述深孔塞调节结构外壁的顶部固定连接有橡胶软套，所述深孔塞调节结构的外壁且位于橡胶软套的底部固定安装有环形锁紧弹片，所述环形锁紧弹片的数量为两个本实用新型通过外螺纹螺母锥座的作用，对高温深孔塞主体的顶部进行封堵，物体进入对螺纹调节螺杆的顶部造成堵塞的问题，利用铁钩钩住拉环，从而达到便于将高温深孔塞进行取出的目的，在限位拉杆的作用下，对内螺纹螺套的推出距离进行限制，防止螺纹调节螺杆从内螺纹螺套中推出，从而导柱高温深孔塞损坏无法进行二次使用的问题。
一种高温深孔塞

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