“沿栅宽”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1934180个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种大栅宽的GaN基微波功率器件-CN201721577261.5有效
发明人：王洪;周泉斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大栅宽的GaN基微波功率器件。该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的第一介质层、长条状的源电极、鱼骨状分布的漏电极、环状的栅电极、隔离上下两层电极的第二介质层、互连金属电极pad。本实用新型制备的大栅宽的GaN基微波功率器件，输入信号的相移小、器件的寄生电容小、信号增益高、功率附加效率高、输出功率高，同时，器件的制造工艺简单，节省芯片面积，重复性好，适用于高频率、高功率的无线通信
微波功率器件大栅本实用新型异质结外延介质层电极功率附加效率互连金属寄生电容上下两层输出功率无线通信信号增益制造工艺长条状高功率高频率漏电极鱼骨状源电极栅电极相移制备雷达隔离芯片覆盖

[发明专利]一种具有反射栅结构的声表面波射频识别标签-CN201610919415.8在审
发明人：肖夏;徐梦茹;袁庆 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G06K19/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有反射栅结构的声表面波射频识别标签，包括压电基底3及设置在其上的叉指换能器IDT和七组反射栅2，IDT的金属电极周期数为9，宽度90um，长1000um，高为0.1μm；七组反射栅对应的金属电极周期数分别为23.5,24,24.5,25,25.5,26,26.5，并且每组反射栅的栅宽,栅长，栅高相同，使得七组反射栅的中心频率满足正交频率编码条件，按照频率从小到大的顺序给七组栅编号，按照频率编号，将奇数编号的四组反射栅放置于IDT的一侧，将偶数编号的三组反射栅放置于IDT的另一侧，两列栅距离IDT的距离相同。
一种具有反射结构表面波射频识别标签

[发明专利]NOR闪存的集成工艺方法-CN201911253418.2在审
发明人：梁建芳;田志;王奇伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种NOR闪存的集成工艺方法，包括：提供形成有栅氧化层、浮栅层、ONO膜层及控制栅层的衬底；刻蚀所述控制栅层及所述ONO膜层以得到控制栅结构；形成第一浮栅结构；执行自对准源极离子注入以形成自对准源极注入区；形成第二浮栅结构，其中，所述控制栅结构及所述第二浮栅结构构成栅极结构；对衬底执行轻掺杂离子注入以形成轻掺杂扩散区。本发明形成栅极结构的过程是：先形成控制栅结构，再形成第一浮栅结构，最后行成第二浮栅结构，这样不会一次性形成高深宽比的沟槽，避免了沟槽中的光刻胶去除不干净的情况，提高了后续对衬底进行离子注入时离子掺杂的均匀性
nor 闪存集成工艺方法

[实用新型]防止活性物质裂纹的板栅结构-CN201220067883.4有效
发明人：袁芳;张建华 -专利权人：江苏理士电池有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01M4/73 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防止活性物质裂纹的板栅结构，该板栅包括板栅体（1）和极耳（2），极耳（2）连接在板栅体（1）的上边框上，其特征在于：在位于极耳（2）下方的板栅体（1）上分布带锥度的筋（4）；其中，在板栅体（1）的上边框内设弧形角（3）；其中，板栅体（1）的上边框比下边框宽0.1mm-0.3mm。本实用新型使边框与筋条的结合力增加，板栅翻转时承受的外力更大，操作过程中不容易造成极耳下方活性物质裂纹，避免了铅膏裂隙或松动，降低了报废率，节约了成本。
防止活性物质裂纹结构

[实用新型]一种太阳能电池片及其印刷网版-CN201720521599.2有效
发明人：岳小宝;曹铭;周彬;衡阳;郑旭然;邢国强 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池片及其印刷网版，电池片受光区个数为偶数时，沿横向方向，设于最中间的主栅作为中心主栅，沿向左渐远中心主栅的方向，受光区的横向尺寸依次递增，沿向右渐远中心主栅的方向，受光区的横向尺寸依次递增，受光区个数为奇数时，沿横向方向，位于最中间的受光区为中心受光区，相邻设于中心受光区左侧的主栅作为左主栅，相邻设于中心受光区右侧的主栅作为右主栅，沿向右渐远左主栅的方向，受光区的横向尺寸依次递增，沿向左渐远右主栅的方向
一种太阳能电池及其印刷

[实用新型]适于减小栅线遮光面积的电池片电极图案的印刷模版-CN201220245614.2有效
发明人：姚鹏;钱腾达;顾锡淼 -专利权人：嘉兴优太太阳能有限公司
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B41F15/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种适于减小栅线遮光面积的电池片电极图案的印刷模版，包括金属支撑丝网、感光乳剂层，所述感光乳剂层覆盖于所述金属支撑丝网，所述感光乳剂层设置有主栅线槽、第一副栅线槽、第二副栅线槽，所述第一副栅线槽位于所述主栅线槽与所述金属支撑丝网的侧边缘之间，所述第二副栅线槽连接在相邻的主栅线槽之间，所述第一副栅线槽的宽度从其与所述主栅线槽的连接端至另一端渐窄，所述第二副栅线槽的宽度从其中间至两端渐宽。本实用新型提供的模版的第一副栅线槽和第二副栅线槽印刷出的栅线的宽度为渐变结构，使得栅线对硅片的遮光面积减小，提高光电转换效率。
适于减小遮光面积电池电极图案印刷模版

[发明专利]RF-LDMOS短栅低方阻值栅硅化物的形成方法-CN201711317527.7在审
发明人：张卫平;张复才;陈强 -专利权人：江苏博普电子科技有限责任公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种RF‑LDMOS短栅低方阻值栅硅化物的形成方法，使用硅化物低阻栅、增加隔离等工艺技术以及优化单元器件结构及多子管并联方式，最终设计成低寄生效应的大栅宽LDMOS高功率密度版图。在0.25微米栅长的栅条上，经过金属和硅的物理‑化学反应形成的化合态，使其导电特性介于金属和硅之间，从而大大减少多晶栅的连接电阻。其工艺制作概括为：主要措施是利用Spacer技术，使得在多晶硅栅上打开硅化物形成窗口成为可能，然后是利用二步快速热退火法，形成栅硅化物，将栅方块电阻降低到设计值每方块0.5欧姆左右，对于提高器件的特征频率有积极的意义
rf ldmos 短栅低方阻值栅硅化物形成方法

[发明专利]一种半导体器件-CN202011057464.8有效
发明人：陆聪;郭芳芳;卢绍祥;曾森茂;李昀朋;郝蓓;李俊文 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件，包括衬底、位于衬底上的堆叠结构，穿过堆叠结构的栅线隔槽结构，其中，所述栅线隔槽结构具有侧壁，所述侧壁为曲面。由于半导体器件中的栅线隔槽结构通常由刻蚀工艺制作，且具有较大的深宽比，栅线隔槽结构侧壁受到材料应力的作用垂直于栅线隔槽结构侧壁所在的表面，曲面的栅线隔槽结构侧壁，使得栅线隔槽结构侧壁受到的应力方向具有多个，从而避免直线型栅线隔槽结构侧壁受到单一方向应力，出现栅线隔槽结构变形或倾斜、扭曲等问题，导致后续在填充金属过程中，出现金属填充不到位导致出现断路的问题，进而导致半导体器件失效的问题。
一种半导体器件

[发明专利]一种适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路-CN202010332805.1有效
发明人：宁宁;孟昊;田明;邓恒;张启辉;李靖;于奇 -专利权人：电子科技大学;上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路，通过共模信号采集模块中两组并联的电阻电容对宽摆幅全差分运放的共模输出进行采集并注入到共模放大模块中与共模参考电压进行比较，在共模反馈模块中生成反馈调节信号反馈至宽摆幅全差分电路中第一级负载电流源管栅端，实现通过反馈使宽摆幅全差分电路的输出共模稳定；同时在共模前馈模块中生成前馈调节信号连接至宽摆幅全差分电路中源随器的电流源管栅端，使宽摆幅全差分电路的输出共模稳定。本发明通过引入新的前馈通路为整体共模响应电路提供额外的零点，使宽摆幅全差分运算放大器整体相位裕度性能提升且不影响共模响应增益，在不影响输出摆幅的情况下提升了宽摆幅全差分运算放大器的稳定性。
一种适用于宽摆幅全差分运算放大器反馈电路

[发明专利]具有复合栅的IGBT芯片-CN201810149376.7有效
发明人：刘国友;朱春林;朱利恒 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合栅的IGBT芯片，包括晶圆基片以及形成在晶圆基片上的若干个依次排列的元胞，元胞包括两个轴对称的复合栅单元；复合栅单元包括设置于晶圆基片上的源极区和栅极区，栅极区包括设置于源极区两侧的平面栅极区和沟槽栅极区；沟槽栅极区包括沟槽栅和辅助子区。本发明提供的具有复合栅的IGBT芯片，通过将平面栅极和沟槽栅极复合于同一元胞，从而大幅度提升芯片密度并保留沟槽栅低通耗，高电流密度和平面栅宽安全工作区的特性。
具有复合 igbt 芯片

[发明专利]可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法-CN01109455.9无效
发明人：刘训春;张龙海;王润梅;李无瑕;罗明雄;吴德馨 -专利权人：中国科学院微电子中心
申请日： 2001-03-13 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种可获得纳米栅的高电子迁移率晶体管制作方法,首先1.在砷化镓等晶片上光刻有源岛区,2.然后注入质子或氧、硼离子;以常规方法形成源漏金属并合金;3.淀积绝缘层;4.光刻出栅牺牲层;5.溅射或蒸发形成薄膜;6.减薄腐蚀;7.等离子体刻蚀绝缘材料形成栅槽;8.光刻腐蚀出源漏孔,然后涂胶,常规光刻形成宽栅窗口,套刻在栅槽上;9.腐蚀窗口中栅槽下面的N+区;10.蒸发栅金属,并剥离,完成器件制作。
可获得纳米电子迁移率晶体管制作方法

[发明专利]一种栅脉冲串竞争时序的处理方法-CN202211291584.3在审
发明人：刘冀;谢刘宏;杨世航 -专利权人：中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01S7/28 文献下载
摘要：本发明提供的一种栅脉冲串竞争时序的处理方法，所述处理方法基于FPGA开发，包括如下步骤：S1：对脉冲调制信号进行延迟，用延迟后的脉冲调制信号的上升沿和下降沿分别触发生成前沿触发脉冲串和关断前沿脉冲串；S2：对脉冲调制信号进行展宽，用展宽后的脉冲调制信号的上升沿和下降沿分别触发生成关断后沿脉冲串和后沿触发脉冲串；S3：用前沿触发脉冲和关断后沿脉冲串产生次级端脉冲调制信号的上升沿；用后沿触发脉冲串和关断前沿脉冲串产生次级端脉冲调制信号的下降沿该方法能有效避免低重频、宽脉冲情况下前后沿脉冲串发生竞争造成栅极驱动波形失真的问题。
一种脉冲竞争时序处理方法

[发明专利]一种移相器的矢量合成结构-CN202111575526.9在审
发明人：黄光锐;宣凯;郭嘉帅 -专利权人：深圳飞骧科技股份有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种移相器的矢量合成结构，包括：第一矢量合成支路和第二矢量合成支路；其中，所述第一矢量合成支路包括：第一尾电流源、第一DAC偏置电路、以及第一栅宽控制电路，所述第一尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第一尾电流单元，所述第一DAC偏置电路对应设置有多个第一电流镜偏置单元；所述第二矢量合成支路包括：第二尾电流源、第二DAC偏置电路、以及第二栅宽控制电路，所述第二尾电流源包括多个宽长比逐步递增的第二尾电流单元，所述第二
一种移相器矢量合成结构

[实用新型]一种太阳能电池正面电极-CN201420412880.9有效
发明人：吴文洲;张勇平;张金宝 -专利权人：浙江良精新能源股份有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池正面电极，包括有沿横向设置的若干副栅线，所述的副栅线上沿纵向设有三根主栅线A，所述的主栅线A与副栅线导通，其特征在于：所述的相邻两主栅线A之间还设有一根主栅线B，所述的主栅线B沿纵向设置，所述的主栅线B与副栅线导通。
一种太阳能电池正面电极

[实用新型]一种太阳能电池单元和太阳能电池-CN202320540538.6有效
发明人：常永胜;陆玉刚;张岩焱;陈红 -专利权人：天合光能股份有限公司;天合光能科技（盐城）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供一种太阳能电池单元，包括光电转换本体和第一面电极，第一面电极设置于光电转换本体的第一面，第一面电极包括多条副栅线、多条第一主栅线和多条第二主栅线，多条副栅线沿第一方向依次排布且分别沿第二方向延伸；多条第一主栅线沿第二方向依次排布且分别沿第一方向延伸，第一主栅线与多条副栅线交叉并在交叉位置处连接；第一方向和第二方向相交，多条第二主栅线沿第二方向依次排布；第二主栅线与第一主栅线至少局部同层设置，第二主栅线包括多个子部，多个子部沿第一方向间隔排布，且每个子部沿第一方向延伸，子部与相邻的至少两条副栅线交叉并在交叉位置处连接。
一种太阳能电池单元