[发明专利]NOR闪存的集成工艺方法

摘要

本发明提供了一种NOR闪存的集成工艺方法，包括：提供形成有栅氧化层、浮栅层、ONO膜层及控制栅层的衬底；刻蚀所述控制栅层及所述ONO膜层以得到控制栅结构；形成第一浮栅结构；执行自对准源极离子注入以形成自对准源极注入区；形成第二浮栅结构，其中，所述控制栅结构及所述第二浮栅结构构成栅极结构；对衬底执行轻掺杂离子注入以形成轻掺杂扩散区。本发明形成栅极结构的过程是：先形成控制栅结构，再形成第一浮栅结构，最后行成第二浮栅结构，这样不会一次性形成高深宽比的沟槽，避免了沟槽中的光刻胶去除不干净的情况，提高了后续对衬底进行离子注入时离子掺杂的均匀性。