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[发明专利]一种双层沟道结构的突触晶体管-CN202010040658.0在审
发明人：霍文星 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层沟道结构的突触晶体管，包括衬底，所述衬底上设置有通过栅绝缘层与源电极、漏电极相隔开的栅电极，所述源电极和漏电极在同层间隔设置；所述栅绝缘层与源电极、漏电极之间设置有低电阻率沟道层和高电阻率沟道层；所述低电阻率沟道层位于栅绝缘层与高电阻率沟道层之间，所述低电阻率沟道层的厚度为3nm‑10nm；所述高电阻率沟道层位于低电阻率沟道层与源电极、漏电极之间，所述高电阻率沟道层的厚度为40nm‑100nm本发明旨在提供一种通过在晶体管内设置高低电阻的双层沟道结构，使晶体管的转移特性曲线中制造出存储窗口，实现仿生突触信号。
一种双层沟道结构突触晶体管

[发明专利]一种动态电阻及芯片及电路-CN201811002311.6在审
发明人：张少锋;周仲建 -专利权人：成都方舟微电子有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态电阻及芯片及电路，所述动态电阻包括：一个N沟道耗尽型器件和一个P沟道耗尽型器件，N沟道耗尽型器件和P沟道耗尽型器件前后串联，N沟道耗尽型器件的源极与P沟道耗尽型器件的源极相连，N沟道耗尽型器件的栅极与P沟道耗尽型器件的漏极相连，P沟道耗尽型器件的栅极与N沟道耗尽型器件的漏极相连，N沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输入端，P沟道耗尽型器件的漏极为动态电阻电流输出端；具有电路损耗小，对浪涌电流完全隔离；与采用PTC热敏电阻相比较，具有响应快，电隔离更彻底，电路发热小等优点。
耗尽型器件动态电阻电路漏极源极芯片电流输出端电流输入端电路损耗浪涌电流完全隔离电隔离发热串联响应

[发明专利]射频识别系统中天线的电压限幅模块-CN201210225616.X无效
发明人：曾维亮 -专利权人：成都市宏山科技有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H04B1/18 文献下载
摘要：本发明公开了射频识别系统中天线的电压限幅模块，包括第一N沟道增强型场效应管、第二N沟道增强型场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第一电容，第一电阻的两端分别与第一N沟道增强型场效应管的漏极和第二电阻连接，第二电阻与第二N沟道增强型场效应管的漏极连接。第三电阻和第四电阻串联后与第一电容并联构成串并联线路，该串并联线路设有第三电阻的一端与第一电阻和第二电阻之间的线路连接。第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管两者的栅极均与第三电阻和第四电阻之间的线路连接。本发明通过调整第一N沟道增强型场效应管和第二N沟道增强型场效应管实现天线的电压限幅，不会对功率产生影响。
射频识别系统天线电压限幅模块

[发明专利]一种电子软开关-CN201710136657.4在审
发明人：张宏泽 -专利权人：张宏泽
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子软开关，该电子软开关非常适用于电池供电的智能终端设备中，由P沟道场效应管、第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、按钮开关、第一电阻、第二电阻和第三电阻组成，所述第一电阻一端、按钮开关一端均与P沟道场效应管的源极相连，所述第一电阻另一端、第一N沟道场效应管的漏极、第二N沟道场效应管漏极均与P沟道场效应管的栅极相连，所述按钮开关另一端、第二电阻一端均与第二N沟道场效应管的栅极相连，所述第二电阻另一端与第三电阻一端相连，所述第一N沟道场效应管的源极、第二N沟道场效应管的源极和第三电阻另一端均接地。
一种电子开关

[实用新型]一种电子软开关-CN201720224234.3有效
发明人：张宏泽 -专利权人：张宏泽
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子软开关，该电子软开关非常适用于电池供电的智能终端设备中，由P沟道场效应管、第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、按钮开关、第一电阻、第二电阻和第三电阻组成，所述第一电阻一端、按钮开关一端均与P沟道场效应管的源极相连，所述第一电阻另一端、第一N沟道场效应管的漏极、第二N沟道场效应管漏极均与P沟道场效应管的栅极相连，所述按钮开关另一端、第二电阻一端均与第二N沟道场效应管的栅极相连，所述第二电阻另一端与第三电阻一端相连，所述第一N沟道场效应管的源极、第二N沟道场效应管的源极和第三电阻另一端均接地。
一种电子开关

[发明专利]一种内嵌偏置电路的太赫兹倍频器-CN201510149414.5有效
发明人：孟进;张德海;蒋长宏;赵鑫 -专利权人：中国科学院空间科学与应用研究中心
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H03B19/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌偏置电路的太赫兹倍频器，所述倍频器包含上腔体和下腔体；所述上腔体内设置第一输入波导沟道、第一主沟道、第一偏置沟道、第二偏置沟道、第一放置电阻沟道以及第一输出波导沟道；所述上腔体中所有沟道为设置在腔体上的凹槽，第一输入波导的末端与第一主沟道连接，第一主沟道的另一端与第一输出波导连接；所述下腔体内设置第二输入波导沟道、第二主沟道、第三偏置沟道、第四偏置沟道、第二放置电阻沟道以及第二输出波导沟道；其中第一石英电路安装在第三偏置沟道内，第二石英电路安装在第二主沟道内，贴片电阻安装在第二放置电阻沟道内；其中，上腔体的表面与下腔体的表面密闭贴和。
一种偏置电路赫兹倍频器

[实用新型]一种超低损耗理想二极管-CN201821304820.X有效
发明人：陈石平;陈顺清;郑彩霞;彭进双 -专利权人：广州奥格智能科技有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及二极管技术领域，尤其是一种超低损耗理想二极管，包括组合逻辑控制电路和第一P沟道MOS管，组合逻辑控制电路包括第二P沟道MOS管、第三P沟道MOS管、第一电阻和第二电阻，第一P沟道MOS管的漏极连接第二P沟道MOS管的源极，第一P沟道MOS管的源极电连接第三P沟道MOS管的源极，第一P沟道MOS管的栅极电连接第三P沟道MOS管的漏极，第二P沟道MOS管的栅极连接第二P沟道MOS管的漏极和第三P沟道MOS管的栅极，第二P沟道MOS管的漏极通过第一电阻接地，第三P沟道MOS管的漏极通过第二电阻接地。
漏极源极理想二极管超低损耗电阻接地控制电路组合逻辑电连接电阻本实用新型二极管技术栅极连接

[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的电子系统-CN202310187329.2在审
发明人：禹明勋;姜周宪;朴玄睦;禹钟昊;卢寿星;卢英智 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，包括：栅极堆叠结构，包括交替地堆叠的绝缘图案和导电图案；存储沟道结构，延伸穿过栅极堆叠结构；以及位线焊盘，在存储沟道结构上，其中，存储沟道结构包括可变电阻层、围绕可变电阻层的沟道层和围绕沟道层的沟道绝缘层，并且位线焊盘的底表面接触可变电阻层的顶表面、沟道层的顶表面和沟道绝缘层的顶表面。
半导体器件包括电子系统

[实用新型]单相表信号功率放大电路-CN200920201758.6有效
发明人：刘其君;蒙根;李颂清;邵柳东 -专利权人：宁波三星电气股份有限公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单相表信号功率放大电路，包括第一电容、第一电阻、P沟道MOS管、N沟道MOS管、第二电阻、第三电阻、电感、第二电容；它还包括第四电阻和肖特基稳压管，所述第四电阻的一端接信号输入端，所述第四电阻的另一端接N沟道MOS管的栅极，所述肖特基稳压管的正极接P沟道MOS管的栅极，所述肖特基稳压管的负极接P沟道MOS管的源极。该单相表信号功率放大电路能保护载波芯片不被损坏和使P沟道MOS管不易损坏。
单相信号功率放大电路

[实用新型]用于锂电池的电压基准电路-CN201420278150.4有效
发明人：吴素华 -专利权人：万源市海铝科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于锂电池的电压基准电路，包括第一P沟道绝缘栅双极晶体管～第四P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管、第二N沟道绝缘栅双极晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容、二极管和直流电源，第一电阻和电容构成RC启动电路，第二P沟道绝缘栅双极晶体管、第三P沟道绝缘栅双极晶体管、第一N沟道绝缘栅双极晶体管、第二N沟道绝缘栅双极晶体管和第二电阻构成偏置电路。
用于锂电池电压基准电路

[发明专利]一种碳化硅MOSFET导通电阻特性的建模方法-CN201710035453.1有效
发明人：江芙蓉;郭清;杨树;盛况 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅MOSFET导通电阻特性的建模方法。搭建可控环境温度测试平台，在不同测试温度下测试碳化硅MOSFET，获得不同测试温度下的电流‑电压特性，再输入到直流等效电路模型，采用最小二乘法处理获得各个测试温度下的剩余电阻，用幂次函数曲线拟合获得剩余电阻‑温度特性曲线；用导通电阻减去剩余电阻得沟道电阻，用幂次函数曲线拟合沟道电阻‑温度的特性曲线；将沟道电阻与剩余电阻之和作为导通电阻，由此获得导通电阻特性。本发明方法能够分析碳化硅MOSFET导通电阻的组成部分沟道电阻和剩余电阻在不同温度下占总导通电阻的比例，能够用于评估碳化硅MOSFET器件沟道界面的品质，提供参考。
一种碳化硅 mosfet 通电特性建模方法

[实用新型]用于热释电红外探测器的前置放大电路-CN201320723284.8有效
发明人：张红雨 -专利权人：四川红宇创智信息科技有限责任公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于热释电红外探测器的前置放大电路，包括第一电阻～第九电阻、第一电容～第六电容、第一N沟道结型效应管～第十N沟道结型效应管和直流电源，第一N沟道结型效应管、第二N沟道结型效应管、第二电阻～第五电阻、第二电容和第三电容构成源跟随电路，第三N沟道结型效应管～第六N沟道结型效应管、第四电容、第五电容、第六电阻和第七电阻构成第一级差分信号放大电路，第七N沟道结型效应管～第十N沟道结型效应管、第六电容、第八电阻和第九电阻构成第二级差分信号放大电路。
用于热释电红外探测器前置放大电路

[发明专利]一种调节场效应晶体管沟道长度的新方法及其制造工艺-CN201810288960.0在审
发明人：张帅;黄昕 -专利权人：广州安海半导体股份有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节场效应晶体管沟道长度的新方法及其制造工艺，该方法利用沟槽设计出不同的离子注入的角度，形成的沟道区域的角度不同，得到不同深度的沟道，从而调节沟道长度；为了在调节沟道长度的同时不影响基区电阻，场效应晶体管利用沟槽作为阻挡，通过调节注入角度形成不同的沟道长度，同时通过调节contact的P型杂质来降低基区电阻且不影响沟道区。本发明制造工艺中注入的剂量可以根据阈值电压的需求并结合导通电阻进行协调，为了降低基区电阻，在contact刻蚀完成后紧接着注入P型杂质，利用横向扩散与沟道区连接，为了降低基区电阻，此P型杂质的浓度会更浓，但是由于离沟道较远，所以对阈值电压的影响很小。
沟道基区电阻场效应晶体管制造工艺阈值电压导通电阻沟槽设计沟道区域横向扩散影响沟道沟道区刻蚀离子阻挡协调

[发明专利]半导体装置、半导体模块和电子机器-CN202180091934.9在审
发明人：竹内克彦 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的半导体装置包括低电阻材料部和低热阻材料部。低电阻材料部包括与阻挡层、沟道层以及源电极或漏电极邻接并且具有比沟道层低的电阻的低电阻材料。低热阻材料部包括与沟道层和缓冲层邻接并且具有比沟道层低的热阻的低热阻材料。
半导体装置模块电子机器

[实用新型]一种直流电机的安全控制电路-CN201821705208.3有效
发明人：李少春;姚继能;谢辉 -专利权人：浙江瑞德电子科技有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H02P7/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直流电机的安全控制电路，包括直流电机，直流电机的正极端与第一P沟道MOS管的S端以及第三N沟道MOS管的D端连接，直流电机的负极端与第四N沟道MOS管的D端以及第二P沟道MOS管的S端连接，第一P沟道MOS管的G端通过第十一电阻R11连接单片机I/O口，第三N沟道MOS管的G端通过第十三电阻连接单片机I/O口，第三N沟道MOS管的S端与接地端GND之间连接有检测电阻，第二P沟道MOS管的G端通过第十二电阻连接单片机I/O口，第四N沟道MOS管的G端通过第十四电阻连接单片机I/O口，且第四N沟道MOS管的S端连接在第三N沟道MOS管的S端与检测电阻的公共端。
直流电机单片机I/O 电阻连接电阻安全控制电路本实用新型结构使用负极端公共端接地端正极端检测安全

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