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[发明专利]垂直腔面发射激光器阵列及改善其该阵列性能的方法-CN202111076805.0在审
发明人：李浩 -专利权人：无锡神州高芯科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及改善其该阵列性能的方法，属于垂直腔面发射激光器技术领域。解决了现有技术存在的功率转换效率、输出功率和出光均匀性较差的技术问题。该垂直腔面发射激光器阵列，包括半导体层及形成于一个半导体层上的若干阵列单元，每个阵列单元均存在氧化沟槽、台面、环以及出光面，出光面存在有电极，台面中设有氧化层，氧化层内存在出光孔，阵列单元中至少部分阵列单元的氧化沟槽、台面、环、电极四者中的任意一者或多者的形状为不规则形状以使出光孔的形成不规则形状，至少一部分阵列单元中不同的阵列单元的出光孔的形状彼此不同。本发明用于提高垂直腔面发射激光器阵列的功率转换效率、输出功率和出光均匀性。
垂直发射激光器阵列改善性能方法

[发明专利]一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法-CN202010844645.9有效
发明人：耿延泉;方卓;闫永达;胡振江 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法，属于纳米电极制备技术领域。本发明是为了简单高效可重复地制备纳米点阵列电极，在含微米沟槽阵列的硅模板上浇注PDMS；在固化完成的PDMS模具上浇注树脂，得到带有微米沟槽阵列的树脂块；在树脂块上沉积一层金属薄膜，用树脂包埋，进行纳米切片，将单个含纳米线阵列的树脂薄片或多个与空树脂薄片交替堆叠的含纳米线阵列的树脂薄片转移至基底上，将导线搭接固定在纳米线阵列的表面，加入树脂封装，将未搭接导线的一端修块抛光，得到纳米点阵列电极。本发明避免了邻近电极的电容和扩散层重叠，且通过对纳米线端面再次修块抛光可获得新的干净的纳米点阵列，有利于纳米点阵列电极的长期重复使用。
一种利用超长纳米制备电化学阵列电极方法

[实用新型]一种可拉伸摩擦电压力传感阵列-CN202121129100.6有效
发明人：李辉;谭友豪;伍晓宇;蒲国鑫;孙燕楠 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可拉伸摩擦电压力传感阵列，涉及摩擦电压力传感阵列的技术领域；所述传感阵列包括摩擦感应层、阵列电极层和封装层；所述摩擦感应层的上表面呈沟槽—褶皱状，下表面呈波浪状；所述阵列电极层设置在摩擦感应层的下表面上，阵列电极层为波浪状结构，阵列电极层的上表面与摩擦感应层的下表面重合；所述封装层的上表面呈波浪状，将阵列电极层封装在摩擦感应层的下表面和封装层的上表面之间。本实用新型提出的可拉伸摩擦电压力传感阵列的摩擦感应层的上表面呈沟槽—褶皱状，扩展了摩擦感应层的比表面积，提高了对触压感应的感应性能；阵列电极层为波浪状结构，在形变条件下具有响应能力，丰富了使用环境场景，
一种拉伸摩擦压力传感阵列

[发明专利]存储器阵列结构-CN201410206030.8有效
发明人：希亚姆·苏尔氏;拉尔斯·黑尼克 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器阵列结构，包括多个位线沟槽，设置在基材中，多个位线沟槽沿着第一方向延伸，而且各位线沟槽包括上部和增宽的下部。还包括埋入式位线，介于多个位线沟槽间。还包括沟槽填充材料层，位于各位线沟槽内，沟槽填充材料层在增宽的下部密封出气隙。多个字线沟槽，沿着第二方向延伸。还包括主动切槽，设置在埋入式位线的端部。还包括屏蔽层，位于气隙中。
存储器阵列结构

[发明专利]硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法-CN201810408181.X有效
发明人：郑婉华;彭红玲 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法，硅基雪崩光电探测器阵列的器件主体结构为在SiO2/Si复合衬底上形成有外延Si层的晶片结构，该晶片结构是通过键合技术而形成的外延Si/SiO2/Si材料结构，基于该晶片结构的硅基雪崩光电探测器阵列包括：SiO2/Si复合衬底；雪崩光电探测器(APD)单元，其在SiO2/Si复合衬底上呈阵列状排布；沟槽结构，其围绕APD单元形成；其中，沟槽结构的侧壁面和底部均淀积高反介质膜。由此，通过沟槽结构的高反介质膜阻挡邻近APD单元间的侧向光串扰，通过基于SiO2/Si复合衬底的SiO2键合界面阻挡二次光子经由衬底进入邻近APD，从而有效截断了APD单元间的串扰路径，不仅APD阵列的整体性能提升，而且有利于大面阵的APD阵列的紧凑集成而提高量产性。
雪崩光电探测器阵列及其制作方法

[发明专利]压力传感器及其制备方法-CN201610443905.5有效
发明人：刘孟彬;毛剑宏 -专利权人：上海丽恒光微电子科技有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明的压力传感器及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面形成第一沟槽及第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽的交界位置形成台阶；在第二沟槽中形成第一感应层，在第一沟槽中形成第二感应层，第二沟槽的部分底壁与第一感应层之间形成第一空腔，第一空腔上的第一感应层中具有第一开口阵列，第二感应层与第一感应层之间形成第二空腔，半导体衬底的背面具有与第一空腔连通的第三开口；形成第三感应层，第三感应层与第二感应层之间形成第三空腔，第三空腔上的第三感应层中具有第二开口阵列
压力传感器及其制备方法

[发明专利]具有位于隔离沟槽中的IO接触部的3D NAND-CN202210936112.2在审
发明人： P·K·卡尔萨尼;A·礼萨;L·刘;D·蒂梅高达;Z·T·刘;S·巴拉苏布拉满亚姆 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本文公开了一种存储器装置，存储器装置的实施例可以包括衬底、设置在衬底上的由三维(3D)NAND单元构成的第一存储器阵列、设置在衬底上的与第一存储器阵列相邻的隔离沟槽以及被置于隔离沟槽内的输入/输出(IO
具有位于隔离沟槽中的 io 接触 nand

[发明专利]埋置位线非易失浮动栅存储单元、其阵列及其制造方法-CN200510055090.5无效
发明人： D·李;B·陈;S·基亚尼安 -专利权人：硅存储技术公司
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：埋置位线读出/程序非易失存储单元及阵列能够获得高密度。单元和阵列制作在具有多个间隔开的沟槽的半导体衬底上，沟槽间有平面表面。每个存储单元具有用于在其上存储电荷的浮动栅。源区/漏区之一位于沟槽的底壁内。浮动栅在沟槽内，在沟道的第一部分上面，与沟槽的侧壁间隔开。栅电极控制着沟道的第二部分的导通，第二部分在衬底的平面表面上。另一源区/漏区在衬底平面表面上的衬底中。可独立控的控制栅也在沟槽内，它与浮动栅绝缘并与其容性耦合。源、漏和控制栅基本上相互平行，而栅电极基本上垂直于源/漏/控制栅。
埋置位线非易失浮动存储单元阵列及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510125831.6有效
发明人：胡伟;朴承翊;代科;朱亚文;莫再隆 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。所述阵列基板包括基板，所述基板上设有第一电极层和第二电极层，所述第一电极层和所述第二电极层之间设有电极绝缘层，所述电极绝缘层中设有沟槽，所述沟槽位于所述第一电极层的靠近所述第二电极层的靠近侧，所述沟槽中设有能够屏蔽所述第一电极层和所述第二电极层之间耦合电容的屏蔽层本发明的阵列基板解决了不能有效避免两电极之间的耦合电压的技术问题，其可应用于薄膜晶体管液晶显示器中。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610170182.2无效
发明人：安熙均 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，上面形成有像素阵列，所述像素阵列包括多个光电二极管，所述光电二极管以不同的深度形成于所述半导体衬底上，用于分别感测红色、绿色以及蓝色信号；层间介电质，形成于所述像素阵列的上部，具有预定深度的沟槽；绝缘层侧壁，形成于所述层间介电质的所述沟槽的侧面；以及多个微透镜，以预定间隔形成于所述沟槽内的所述层间介电质上。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]一种在超亲水铝合金表面实现水滴输运的方法-CN201910815157.2在审
发明人：张成云;马泽霖;洪志豪;王文君;陆明慧 -专利权人：广州大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本发明属于金属材料表面改性技术领域，涉及铝合金表面超亲水微沟槽结构的制备方法。本发明提供一种在超亲水铝合金表面实现水滴输运的方法，通过在铝合金表面进行飞秒激光微纳加工处理，通过控制飞秒激光加工参数，得到特定形貌和取向的微沟槽阵列结构。本发明仅利用飞秒激光微纳加工技术，调节激光的能量密度和激光扫描间距，能方便快捷的在铝合金表面加工出微沟槽阵列结构，且没有产生二次污染，使得原本亲水的铝合金表面变为超亲水，并实现了水滴沿沟槽方向的定向快速输运
铝合金表面超亲水水滴输运微沟槽阵列飞秒激光形貌飞秒激光加工金属材料表面微纳加工技术微沟槽结构二次污染改性技术沟槽方向激光扫描微纳加工亲水取向制备激光加工

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211256480.9在审
发明人：金宣周;金南秀;郑震源 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有单元阵列区、外围电路区、以及它们之间的边界区；栅电极，位于单元阵列区中，并位于延伸到衬底的内部的多个字线沟槽中；器件隔离层，位于衬底的外围电路区中并限定多个有源区；以及边界结构，位于边界区中，并且位于延伸到衬底的内部的边界沟槽中。该边界结构可以包括位于边界沟槽的内壁上的掩埋绝缘层、位于掩埋绝缘层上的绝缘衬垫、以及位于绝缘衬垫上的填充边界沟槽的内部的间隙填充绝缘层，并且绝缘衬垫的上表面可以位于比多个有源区中的对应有源区的上表面低的高度处
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法-CN200710302461.4有效
发明人：朱袁正;秦旭光 -专利权人：苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请日： 2007-12-22 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种深沟槽大功率MOS器件及其制造方法。这种MOS器件在俯视平面上，中心区设有并联单胞组成的阵列，单胞阵列的外围设有终端保护结构，终端保护结构由位于内圈的至少一个保护环和位于外圈的一个截止环组成，由于保护环和截止环均采用沟槽型导电多晶硅，在器件制造过程中，单胞栅电极引线采用直接在沟槽多晶硅上开孔引线，因此与现有普通平面式场板结构的深沟槽大功率MOS器件制造方法相比，在不影响器件性能的前提下，减少了两块光刻版及相应工艺，大大降低制造成本。
一种深沟大功率 mos 器件及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其应用的显示面板-CN201711083933.1有效
发明人：黄世帅 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本发明一种阵列基板及其应用的显示面板，所述阵列基板包括基底，包括显示区及其外围的布线区，于所述显示区设置主动开关和像素单元；多个驱动单元，设置于所述基底的边缘，电性耦接所述多条信号线；多个连接导线，间隔设置于所述多个驱动单元之间，且位于所述布线区，与所述多个驱动单元电性连接；其中，所述多条连接导线内形成有多个导流沟槽，所述多个导流沟槽为多个线条形状排列组成，所述多个导流沟槽的沟槽方向大致为所述基底内朝向所述基底外缘的方向延伸形成
阵列及其应用显示面板

[发明专利]用于在集成电路中的互连线及相关连续性区块形成图案的方法-CN201710172771.2有效
发明人：杰森·伊葛尼·史蒂芬斯;古拉梅·伯奇;金炳烨;克雷格·麦可·小查尔德 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在该心轴层中图型化心轴阵列。在该阵列的心轴中完全选择性蚀刻贝塔沟槽，该贝塔沟槽套叠该图案层的贝塔阻隔掩模部。在该蚀刻掩模层中完全选择性蚀刻伽马沟槽，该伽马沟槽套叠该图案层的伽马阻隔掩模部。
用于集成电路中的互连相关连续性区块形成图案方法