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[实用新型]电极结构、触控板及触控装置-CN201721924180.8有效
发明人：王士敏;赵湘辉;朱泽力;古海裕;宋小来;李宝会 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：第一黑化层为钼的氧化物层、钼的氮化物层、钼的氮氧化物层、铌的氧化物层、铌的氮化物层、铌的氮氧化物层、铬的氧化物层、铬的氮化物层、铬的氮氧化物层、钛的氧化物层、钛的氮化物层、钛的氮氧化物层、钨的氧化物层、钨的氮化物层或钨的氮氧化物层。
氮氧化物层氮化物层电极结构氧化物层触控装置触控板导电层过渡层黑化层本实用新型导电金属层钼合金层附着性灵敏度叠层消影钼层

[发明专利]具有提高的氮氧化物净化性能的柴油发动机排气处理系统-CN201610055890.5在审
发明人：朴志源;李孝京;金平淳;郑昌镐;徐廷旻;郑镇宇 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： F01N3/08 文献下载
摘要：本发明涉及具有提高的氮氧化物净化性能的柴油发动机排气处理系统。该具有提高的氮氧化物净化性能的柴油发动机排气处理系统包括氮氧化物吸附部分，在小于200℃的温度吸附氮氧化物(NOx)并且在200℃或更高的温度放出二氧化氮(NO2)；以及氮氧化物净化部分，布置在氮氧化物吸附部分的下侧并且净化氮氧化物
具有提高氧化物净化性能柴油发动机排气处理系统

[发明专利]用于从富含氧的废气中同时脱除一氧化碳和烃的催化剂及其制备方法-CN200580016740.3无效
发明人： W·施特尔劳;O·格拉赫;J·迈尔;T·加布里尔 -专利权人： HTE高产量实验股份公司
申请日： 2005-04-25 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： B01J21/04 文献下载
摘要：含锡氧化物、钯和载体氧化物的催化剂，特征在于锡氧化物和钯以X射线图无定形形式或纳米级形式存在于载体氧化物上，或者载体氧化物以纳米级形式存在，或者锡氧化物和钯以及载体氧化物均以纳米级形式存在。所述催化剂的作用是从富含氧的废气中同时脱除一氧化碳和烃。
用于富含废气同时脱除一氧化碳催化剂及其制备方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法-CN202011084344.7在审
发明人：董承远;章雯 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司;上海交通大学
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板，依次设置在基板上的栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层和源漏极金属层，源漏极金属层包括间隔设置的源极和漏极，氧化物半导体层包括第一氧化物层和层叠设置在第一氧化物层上方的第二氧化物层，第一氧化物层的含氧量低于第二氧化物层；部分第一氧化物层从第二氧化物层的两侧露出，源极和漏极相互间隔并分别与从第二氧化物层的两侧露出的第一氧化物层直接接触连接，使得源极、漏极与氧化物半导体层形成了较好的欧姆接触本发明还涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法。
氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]含Mn合金化熔融镀锌钢板及其制造方法-CN201680075276.3有效
发明人：前田聪;牧水洋一;铃木善继;山田克美;川崎由康 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C23C2/06 文献下载
摘要：【解决手段】在镀锌层中存在a)包含Fe和Mn的氧化物、b)包含Fe和Mn的氧化物与Fe氧化物、c)包含Fe和Mn的氧化物与Mn氧化物、d)包含Fe和Mn的氧化物与Fe氧化物及Mn氧化物、e)Fe氧化物和Mn氧化物、中的任一种，氧化物的合计以O量计为0.01g/m2～0.100g/m2，构成氧化物的Mn与Fe的质量％之比即Mn/Fe为0.10～10.00，在从镀锌层的表面起为镀锌层总厚度的50％以内的范围中，存在以截面积分数计为60％以上的选自Fe、Mn中的至少一种的氧化物，在从紧靠镀锌层下方的底层钢板表面起5μm以内的钢板表层部，存在以O量计为0.040g/m2以下(不包括0)的选自Fe、Mn中的至少一种的氧化物。
mn 合金熔融镀锌钢板及其制造方法

[发明专利]过氧化氢的制备方法-CN93114940.1无效
发明人：平山秀二;广本和彦;门前博之;近藤信幸;石上春树;石村善正 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 1993-11-20 - 公布日： 1997-07-02 - 主分类号： C01B15/029 文献下载
摘要：在反应介质中，通过氢和氧接触制造过氧化氢的方法中，使用在铌氧物、铌复合氧化物、钽氧化物、钽复合氧化物、钼氧化物，或钨氧化物上载持有铂族金属的铂族金属催化剂。
过氧化氢制备方法

[发明专利]贵金属用量减少的高活性有机储氢化合物脱氢制氢气催化剂及其制备方法-CN201911014642.6有效
发明人：林伟;杨雪;刘俊;王磊;宋烨;孙敏;宋海涛 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：本发明涉及贵金属用量减少的高活性有机储氢化合物脱氢制氢气催化剂及其制备方法，所述催化剂包括Pt和非贵金属活性组分、氧化铝和改性金属氧化物，所述的改性金属氧化物为钛氧化物和/或锆氧化物，其中所述的改性金属氧化物的η＜0.3，θ≥5，其中η＝载体组合物中晶相改性金属氧化物的重量百分含量/载体组合物中改性金属氧化物的化学组成重量百分含量，θ＝载体组合物表面上改性金属氧化物的重量百分含量/载体组合物中改性金属氧化物的化学组成重量百分含量其制备方法包括：制备含氧化铝和改性金属氧化物的载体组合物、浸渍、和焙烧的步骤。该催化剂可以在贵金属用量减少的情况下，具有较高的脱氢活性和选择性。
贵金属用量减少活性有机氢化脱氢氢气催化剂及其制备方法

[发明专利]电介质陶瓷组合物、叠层复合电子部件、叠层共模滤波器、叠层陶瓷线圈以及叠层陶瓷电容-CN200910138920.9有效
发明人：梅本周作;铃木孝志;角田晃一;桃井博;高桥圣树;近藤真一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质陶瓷组合物，它作为主成分含有：从单独的Zn的氧化物、以及Mg的氧化物以及Zn的氧化物中选出的一种、Cu的氧化物、Si的氧化物，作为副成分含有：从Si的氧化物、Zn的氧化物、Ba的氧化物、Ca的氧化物、Sr的氧化物、Li的氧化物中选出的至少一种、B的氧化物，且包含玻璃软化点为750℃以下的玻璃成分，相对于100％重量的所述主成分，所述玻璃成分的含有量为1.5～15重量％。电介质陶瓷组合物、叠层符合电子部件、叠层共模滤波器、叠层陶瓷线圈以及叠层陶瓷电容。
电介质陶瓷组合复合电子部件叠层共模滤波器线圈以及电容

[发明专利]介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件-CN201980025034.7有效
发明人：野村武史;佐佐木由香里 -专利权人：昭荣化学工业株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种介电陶瓷组合物，其包含第一成分与第二成分，其中，第一成分包含：0.00～35.85mol％的Ca的氧化物、0.00～47.12mol％的Sr的氧化物、0.00～51.22mol％的Ba的氧化物、0.00～17.36mol％的Ti的氧化物、0.00～17.36mol％的Zr的氧化物、0.00～2.60mol％的Sn的氧化物、0.00～35.32mol％的Nb的氧化物、0.00～35.32mol％的Ta的氧化物以及0.00～2.65mol％的V的氧化物，作为第二成分包含：0.005～3.500质量％的Mn的氧化物(a)、以及0.080～20.000质量％的Cu的氧化物和/或0.300～45.000质量％的Ru的氧化物中的一者或两者根据本发明，可提供一种在高温条件下电容的变化也很小，在25℃和200℃下的介质损耗小，且在高温环境下的绝缘电阻值高的介电陶瓷组合物。
陶瓷组合电子部件

[发明专利]一种氧化物固溶体粉末-CN201310014115.1无效
发明人：何秋安;何志军;何志刚;罗吉庆;李爱军;何占源 -专利权人：安阳市岷山有色金属有限责任公司
申请日： 2013-01-15 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物固溶体粉末，钙氧化物完全固溶于以铈氧化物为主成分的稀土类氧化物，其中氧化铈在氧化物固溶体的总氧化物换算质量中所占比例为50%（质量比）以上。
一种氧化物固溶体粉末

[发明专利]含有过渡金属氧化物的二氧化铈粒子-CN201710186963.9有效
发明人：泉有仁枝;森本健司 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明提供一种含有过渡金属氧化物的二氧化铈粒子，其课题是提供一种能够发挥高催化性能的担载有氧化物的粒子，该担载有氧化物的粒子能够促进一氧化氮与二氧化氮的反应，提高净化效率，并且，降低贵金属催化剂的使用量含有氧化物的粒子(1)(含有过渡金属氧化物的二氧化铈粒子)发挥催化性能，在二氧化铈粒子(2)的表面(2a)至少具备包含铁成分的铁氧化物(3a)及包含锰成分的锰氧化物(3b)，铁氧化物(3a)及锰氧化物(3b)的粒径比二氧化铈粒子(2)小，铁氧化物(3a)及锰氧化物(3b)的含有率为15.0质量％～35.0质量％的范围。
含有过渡金属氧化物氧化粒子

[发明专利]氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法-CN201811494714.7在审
发明人：关峰;袁广才;王治;许晨;姚琪;曹占锋;宁策;李禹奉;陈蕾 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物薄膜晶体管的制备方法及阵列基板的制备方法，属于显示技术领域。本发明的氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上，形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤；所述形成包括氧化物半导体有源层的图形的步骤包括：在基底上形成非晶氧化物半导体薄膜；对所述非晶氧化物半导体薄膜中，至少对应待形成的氧化物半导体有源层的沟道区的位置，进行准分子激光退火，以使所述非晶氧化物半导体薄膜中进行激光退火的位置结晶，形成结晶氧化物半导体材料；形成包括氧化物半导体有源层的图形。
氧化物半导体有源层制备非晶氧化物半导体氧化物薄膜晶体管薄膜阵列基板基底准分子激光退火半导体材料结晶氧化物激光退火沟道区

[发明专利]有机EL显示装置和有源矩阵基板-CN201811224781.7在审
发明人：宫本忠芳;细川真里;中村好伸;锦博彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供能使要求特性不同的多个氧化物半导体TFT适当地混合存在于有机EL显示装置和有源矩阵基板的构成。有机EL显示装置具备基板和设置于各像素的像素电路。像素电路包括包含第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和包含第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT。第1氧化物半导体TFT具有顶栅结构。第2氧化物半导体TFT具有底栅结构。第2氧化物半导体TFT具有屏蔽电极，上述屏蔽电极设置于在第2氧化物半导体层上形成的绝缘层上，与第2氧化物半导体层相对。
氧化物半导体氧化物半导体层有机EL显示装置源矩阵基板屏蔽电极像素电路绝缘层底栅结构顶栅结构基板像素

[发明专利]由铜合金组成的丝材、网和适用于水产养殖的养殖笼-CN201880046525.5在审
发明人：本杰明·菲格里乌斯;蒂莫·奥尔门丁格;丹尼尔·施泰茨;苏珊·博曼 -专利权人：威兰德-沃克公开股份有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C22C9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种由具有氧化物表面的金属材料组成的丝材，其中，丝材的氧化物表面具有第一氧化物层，该第一氧化物层覆盖部分金属材料并且厚度至少为200nm至2μm；并且丝材的氧化物表面具有第二氧化物层，该第二氧化物层覆盖未被第一氧化物层覆盖的区域中的金属材料根据本发明，第二氧化物层的厚度不超过第一氧化物层厚度的0.01％至10％。本发明还涉及一种网和用于水产养殖的养殖笼。
铜合金组成适用于水产养殖

[发明专利]氧化物陶瓷工件的清洗方法-CN202010026914.0在审
发明人：熊志红;郑思温 -专利权人：深圳仕上电子科技有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种氧化物陶瓷工件的清洗方法，包括以下过程：将所述氧化物陶瓷工件置于碱性清洗剂中进行浸泡；将浸泡后的所述氧化物陶瓷工件用酸溶液进行冲洗，所述冲洗的时间为10s～60s。本发明的上述技术方案中，碱性清洗剂不与氧化物陶瓷反应，即使长时间浸泡氧化物陶瓷工件，也不会损伤氧化物陶瓷工件，之后，用酸溶液冲洗，极大的缩短了酸溶液与氧化物陶瓷工件的接触时间，避免酸溶液对氧化物陶瓷工件的损伤，因此，本发明在不损伤氧化物工件的前提下提高了对氧化物陶瓷工件的去污能力。
氧化物陶瓷工件清洗方法