“佐佐木由香里”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件-CN201980025080.7有效
发明人：野村武史;佐佐木由香里 -专利权人：昭荣化学工业株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供一种介电陶瓷组合物，其包含第一成分与第二成分，其中，第一成分包含：0.00～35.85mol％的Ca的氧化物、0.00～47.12mol％的Sr的氧化物、0.00～51.22mol％的Ba的氧化物、0.00～17.36mol％的Ti的氧化物、0.00～17.36mol％的Zr的氧化物、0.00～2.60mol％的Sn的氧化物、0.00～35.32mol％的Nb的氧化物、0.00～35.32mol％的Ta的氧化物以及0.00～2.65mol％的V的氧化物，作为第二成分至少包含：0.005～3.500质量％的Mn的氧化物(a)、以及Cu的氧化物和/或Ru的氧化物(b)。根据本发明，提供一种绝缘电阻高，在高温条件下，电容的变化小，在25℃和200℃下的介质损耗小的介电陶瓷组合物。
陶瓷组合电子部件

[发明专利]介电陶瓷组合物及陶瓷电子部件-CN201980025034.7有效
发明人：野村武史;佐佐木由香里 -专利权人：昭荣化学工业株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种介电陶瓷组合物，其包含第一成分与第二成分，其中，第一成分包含：0.00～35.85mol％的Ca的氧化物、0.00～47.12mol％的Sr的氧化物、0.00～51.22mol％的Ba的氧化物、0.00～17.36mol％的Ti的氧化物、0.00～17.36mol％的Zr的氧化物、0.00～2.60mol％的Sn的氧化物、0.00～35.32mol％的Nb的氧化物、0.00～35.32mol％的Ta的氧化物以及0.00～2.65mol％的V的氧化物，作为第二成分包含：0.005～3.500质量％的Mn的氧化物(a)、以及0.080～20.000质量％的Cu的氧化物和/或0.300～45.000质量％的Ru的氧化物中的一者或两者(b)。根据本发明，可提供一种在高温条件下电容的变化也很小，在25℃和200℃下的介质损耗小，且在高温环境下的绝缘电阻值高的介电陶瓷组合物。
陶瓷组合电子部件

[发明专利]电介质陶瓷组合物及陶瓷电子零件-CN201780062201.6有效
发明人：野村武史;根本淳史;佐佐木由香里;竹本和彦;木下菜绪美;高桥由美 -专利权人：昭荣化学工业株式会社
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种电介质陶瓷组合物，其包含第一成分和第二成分，该第一成分将Ca、Sr及Ba的各氧化物中的至少1种、Ti及Zr的各氧化物中的至少一种、以及Nb及Ta的各氧化物中的至少1种作为必要成分，并且第一成分中的Ca、Sr及Ba的各氧化物的总含有比例为48.72～51.22mol％，Ti、Zr及Sn的各氧化物的总含有比例为15.97～17.36mol％，Nb、Ta及V的各化合物的总含有比例为31.42～35.31mol％，该电介质陶瓷组合物至少含有Mn的氧化物作为第二成分。根据本发明，可提供一种电介质陶瓷组合物，其可在还原气氛下烧成，相对介电常数高，且在作为叠层型陶瓷电容器等陶瓷电子零件的电介质层使用的情况下，即使150～200℃的条件下，静电容量的变化也少，在25℃及200℃下的介电损耗小。
电介质陶瓷组合电子零件