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[实用新型]一种带有交错排布气隙的调匝式消弧线圈铁芯-CN202221677075.X有效
发明人：李维鹏;尹章;李振刚;周申 -专利权人：山东泰开电力电子有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有交错排布气隙的调匝式消弧线圈铁芯，包括上铁轭、铁芯柱、第一气隙层、第二气隙层、下铁轭，两个铁芯柱顶部设置一上铁轭，两个铁芯柱底部设置一下铁轭，铁芯柱由若干铁芯饼叠加而成，相邻铁芯饼之间设置一个气隙层，气隙层分为第一气隙层、第二气隙层两种，由上到下第一气隙层、第二气隙层交叉布置，每一气隙层均包含两个短气隙、两个长气隙，两个长气隙位于两个短气隙的中间，四条气隙均匀粘接在铁芯饼端面上，同一个气隙层的气隙平行排布，上下相邻的气隙层中气隙垂直布置。本实用新型气隙交错布置，提高了铁芯饼间各方向的摩擦力，可避免调匝式消弧线圈长时间运行产生的铁芯饼位移的情况，产品振动、噪声减小。
一种带有交错排布调匝式消弧线圈铁芯

[发明专利]一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法-CN201711127697.9在审
发明人：田守卫;王雷;姜国伟;孙洪福 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法，所述具有气隙的层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度。所述具有气隙的层间介质层之气隙采用高密度等离子体化学气相沉积方法制备。通过高密度等离子体化学气相沉积方法制备所述具有气隙层间介质层之气隙，所述具有气隙层间介质层之气隙高度可控，所述气隙之高度小于等于当层之金属连线的高度，进而降低了气隙对层间介质层厚度的要求。
一种有气介质及其方法

[发明专利]一种变压器铁心步进叠积方法-CN201310248977.0无效
发明人：张建成;刘桂兰;张秋芳;祝亚静;赵静月 -专利权人：保定天威保变电气股份有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：技术方案是：将背景技术的1-2-3-4-5-6步进叠积方式，改为1-3-5-2-4-6步进叠积方式；1-3-5-2-4-6步进叠积方式为间隔步数叠积：第一层气隙位置是不变，仍为气隙一(1)位置，第二层气隙位置在气隙三（3）的水平位置，第三层气隙位置在气隙五（5）的水平位置，第四层气隙位置在气隙二（2）的水平位置，第五层气隙位置在气隙四（4）的水平位置，第六层气隙位置是不变，仍为气隙六（6）位置。本发明的积极效果：改善了叠片间隙的气隙分布，使得气隙分布不像背景技术叠积方式那样集中，能减小磁场畸变程度；增加了接缝处两层之间的搭接长度，从而加大了接缝位置叠片间的摩擦力，改善了铁心整体的机械强度。
一种变压器铁心步进方法

[发明专利]穿过至少两个金属层的气隙以及相关方法-CN202310052124.3在审
发明人：徐薇惠;谢君毅 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及穿过至少两个金属层的气隙以及相关方法。公开了形成包括延伸穿过至少两个金属层的气隙的半导体器件的方法，以及这样形成的半导体器件。在开口的侧壁上使用电介质衬里层，以确保均匀的宽度并且在扩大用于形成气隙的开口期间保护特定帽层。气隙包括气隙侧壁上的电介质衬里层的残余物。与仅单个金属层中的气隙或不同层中的堆叠气隙相比，该气隙减小了器件层中的晶体管栅极与用于接触晶体管的源极和漏极的相邻布线和过孔之间的电容。
穿过至少两个金属以及相关方法

[实用新型]一种模拟气隙型局部放电的物理模型-CN201420209650.2有效
发明人：王亚洲;苑超;张玥;王建凯;刘金品;赵辉程;王昕彬;张晓裕 -专利权人：国家电网公司;江苏省电力公司南京供电公司;江苏省电力公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种模拟气隙型局部放电的物理模型，包括气隙装置、上电级和下电极，所述气隙装置包括绝缘层和设在绝缘层内部的气隙，上电极设在绝缘层上表面上、且位于气隙的正上方，下电极设在绝缘层下表面上、且位于气隙的正下方本实用新型涉模拟气隙型局部放电的物理模型，其可以模拟开关柜、环网柜等电气设备绝缘内部的气隙放电故障，为该类型局部放电检测的研究与分析提供试验物理模型，该模型结构简单、操作方便。
一种模拟气隙型局部放电物理模型

[发明专利]半导体装置-CN200810161878.8有效
发明人：王大维;张智胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体装置，包含一栅极叠层；一气隙，位于所述栅极叠层下；一半导体层，垂直位于所述栅极叠层与所述气隙之间；以及一第一介电层，位于所述的半导体层之下且邻接于所述半导体层。而所述的第一介电层是暴露于所述的气隙，藉由在气隙中形成介电层，以确保气隙的形成，使硅架空金氧半场效晶体管的短通道效应获得改善，且也能降低漏电流的产生。
半导体装置

[发明专利]用于3D存储器的金属互连层及其制造方法-CN202210099958.5在审
发明人：张佳新;王雄禹;张莉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于3D存储器的金属互连层及其制造方法，所述3D存储器包括基底，所述制造方法包括：在所述基底上形成间隔排列的多个金属连线，相邻的金属连线间形成第一沟道；沉积第一介质层，以在所述第一沟道内形成不完全封闭的气隙；采用等离子轰击使得所述气隙的轮廓下移；沉积第二介质层，以在所述第一沟道内形成封闭的气隙，在初步沉积第一介质层后，形成并未完全封闭的气隙，通过等离子轰击切削气隙的开口，将气隙轮廓的上端下移，并再次沉积第二介质层封闭气隙，从而实现降低气隙的目的，有效避免因气隙位置过高导致后续工艺中气隙上方崩塌的问题，在降低RC延迟的情况下提高产品良率和可靠性。
用于存储器金属互连及其制造方法

[实用新型]一种太赫兹微流体方形光子晶体光纤-CN202020000679.5有效
发明人：石嘉;田琳琳;徐伟;苏梦雅;董璐;杨帆;吴亚杰 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种太赫兹微流体方形光子晶体光纤，由纤芯空气孔、第一气隙层、外围气隙层、出水口及入水口组成，出水口贯穿进外围气隙层上半部分，方向向上，入水口贯穿进外围气隙层下半部分，并将其方向转折为向上，且出入水口底部均与第一气隙层相连通，分布在外围气隙层上下两侧，距光子晶体光纤两端端面2mm，第一气隙层在两端密封，用于注入液体分析物。
一种赫兹流体方形光子晶体光纤

[实用新型]一种带气隙电抗器-CN201120055074.7无效
发明人：张世军 -专利权人：苏州正意电材股份有限公司
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种带气隙电抗器，含有钢芯、高压绕组、功率驱动电路和控制电路，其中钢芯为硅钢片层叠的柱形结构，高压绕组套接在钢芯之上，且高压绕组的抽头接入所述功率驱动电路和控制电路，其特征是该电抗器钢芯的柱形结构中设有一层以上非导磁性的气隙层各气隙层的厚度相同或厚薄不一；且由气隙层分隔的各段硅钢片层叠高度相同或相对形成高度差。本实用新型多气隙电抗器的应用，将传统大厚度的单层气隙层分层薄化设计，有效减少了各气隙层外围的散磁通，提升了电抗器钢芯的隔磁性能，产品限制短路电流性能更优越。
一种带气隙电抗

[发明专利]半导体器件-CN201910037891.0在审
发明人：洪智硕;李基硕;朴济民;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体衬底上的层间绝缘层、在层间绝缘层中的通路塞和通路塞上的布线线路，其中通路塞和布线线路彼此耦接并形成阶梯结构。半导体器件包括在层间绝缘层和通路塞之间的第一气隙区、以及在层间绝缘层和布线线路之间的第二气隙区。第一气隙区和第二气隙区彼此不竖直重叠。
层间绝缘层气隙区半导体器件布线线路通路塞阶梯结构衬底竖直耦接半导体

[发明专利]用于封闭气隙结构中的接缝的双电介质层-CN202011254385.6在审
发明人：文森·J·麦加赫;克雷格·R·格鲁塞基;安珠缙;蒂姆·H·李;托德·J·范克莱克 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于封闭气隙结构中的接缝的双电介质层。一种结构包括气隙结构，该气隙结构包括：位于相邻导体之间的第一电介质层中的开口，以及位于开口上方的非保形电介质层。在一些情况下，非保形电介质层使气隙的开口的端部变窄，但是可以不密封开口。在其它情况下，非保形层可以密封开口的端部并且在其中包括接缝。该气隙结构还可以包括位于非保形电介质层上的保形电介质层。保形电介质层密封开口的端部，或者在接缝存在的情况下密封接缝。该结构还可以包括位于气隙结构上方的布线层。
用于闭气结构中的接缝电介质

[发明专利]套管绝缘气隙缺陷模拟装置及其制备方法-CN201510575370.2有效
发明人：李光茂;杜钢;王剑韬;老洪干;刘建成;杨森;敖昌民 -专利权人：广州供电局有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种套管绝缘气隙缺陷模拟装置，该装置包括电容芯子和瓷套，电容芯子包括导电杆、电容屏和绝缘层，多层绝缘层和多层电容屏依次交替绕设在导电杆上构成电容芯子，多层电容屏包括设置在最外层的末屏，靠近末屏的绝缘层的内部设有孔，孔的内部设置有耐高温绝缘管，耐高温绝缘管的内部填充气体形成气隙；瓷套同轴设于电容芯子的外周，且套管绝缘气隙缺陷模拟装置的内部填充绝缘油。该套管绝缘气隙缺陷模拟装置孔的内部设置带有气隙的耐高温绝缘管模拟气隙缺陷，内部设有孔的绝缘层靠近末屏设置以将气隙缺陷局部放电信号较好的传播出来，使其较好的模拟气隙缺陷放电的真实情况，可用于绝缘层间气隙缺陷的局部放电特性的检测和诊断识别研究
绝缘层电容芯子绝缘气隙缺陷模拟套管气隙电容屏绝缘管耐高温末屏内部设置内部填充导电杆模拟气瓷套多层局部放电特性局部放电信号多层绝缘层气体形成绝缘油装置孔最外层放电可用同轴外周制备诊断检测传播研究

[发明专利]海水蒸馏模组、海水蒸馏装置、海水蒸馏系统及蒸馏方法-CN202310620629.5在审
发明人：王如竹;董益秀;马秋铭;坡勒多斯·普利莫兹 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C02F1/04 文献下载
摘要：本发明的实施例属于海水淡化技术领域，特别涉及一种海水蒸馏模组、海水蒸馏装置、海水蒸馏系统及蒸馏方法，该海水蒸馏模组包括：料液层、气隙层、透气层和冷凝层。其中，料液层具有引导海水进入的进液侧、引导海水流出的出液侧；气隙层与料液层彼此相对设置，透气层设置于料液层和气隙层之间，透气层用于隔开料液层和气隙层，透气层用于进入料液层内的海水在受热后，使受热后的海水所产生的水蒸气通过，并进入气隙层；冷凝层用于对进入气隙层的水蒸气进行冷凝，使水蒸气冷凝产生淡水。
海水蒸馏模组装置系统方法

[发明专利]一种绝缘手套-CN201310407377.4无效
发明人：俞浩 -专利权人：苏州艺汇纺织有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： A41D19/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘手套，包括：手套主体、绝缘塑胶、防水层、无气隙环氧玻璃布层压绝缘层、干燥层和吸湿层，所述手套主体由内而外依次包含有吸湿层、干燥层、无气隙环氧玻璃布层压绝缘层和绝缘塑胶，所述无气隙环氧玻璃布层压绝缘层由所述防水布密封包装，所述无气隙环氧玻璃布层压绝缘层由多层环氧玻璃布叠加并压制而成的无气隙环氧玻璃布层，所述绝缘塑胶为电器绝缘塑胶制成，所述吸湿层吸收手套内表面的水分并将所述水分传输到所述干燥层，所述干燥层的内部含有干燥剂
一种绝缘手套

[发明专利]一种利用蚀刻回蚀工艺增大气隙的方法-CN202211325356.3在审
发明人：蔡弦助;叶甜春;陈少民;李彬鸿 -专利权人：锐立平芯微电子（广州）有限责任公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用蚀刻回蚀工艺增大气隙的方法，其可有效增大气隙体积，同时可降低寄生电容值，半导体器件包括自下而上依次分布的衬底、层间介质层、第一光罩，该方法包括：选定气隙区域，扩散屏障在选定气隙区域打开，刻蚀待生成气隙的层间介质层，形成气隙腔，去除第一光罩后，沉积共形电介质阻挡层，在气隙腔中填充第一填充物，对第一填充物进行回蚀，在第一刻蚀槽内堆栈第二填充物，并使第二填充物覆盖于共形电介质阻挡层、扩散屏障的上表面，在第二填充物的上表面覆盖第二光罩，对第一刻蚀区域的第二填充物进行刻蚀，形成第二刻蚀槽，去除第二光罩后，刻蚀气隙腔中的第一填充物，在第二刻蚀槽内沉积非共形电介质，形成气隙。
一种利用蚀刻工艺增大方法

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