“气相淀积”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1912231个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种便于清洁的半导体生产用低压化学气相淀积装置-CN202023034831.0有效
发明人：王敏;唐蓉;孙珏;吴汉涛 -专利权人：无锡恒大电子科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及气相淀积装置技术领域，且公开了便于清洁的半导体生产用低压化学气相淀积装置，包括气相淀积装置，所述气相淀积装置的底部焊接安装有气相淀积装置底座，所述气相淀积装置底座的顶部开设有位于气相淀积装置一侧的进风口，所述进风口的一侧开设有位于气相淀积装置另一侧的出风口，本装置通过将气相淀积装置与气相淀积炉采用分离式安装，通过固定块、安装块和螺母等装置，可将气相淀积炉分离开来，进行清洗，本装置可单独对气相淀积炉进行清洁，避免不可碰水的部件遇到水，本装置在气相淀积装置和气相淀积炉放置槽内部开设有空气流动槽，且进风口、出风口与空气流动槽相通从而使得本装置的散热性能得到提升。
一种便于清洁半导体生产低压化学气相淀积装置

[其他]利用磁场的微波增强型化学气相淀积系统和方法-CN86106620无效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1986-10-14 - 公布日： 1987-07-08 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明展示一种改进的化学气相淀积法；在这种方法中，回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合，以高的淀积速度淀积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振，而高质量性能归因于两种化学气相淀积法(CVDs)的组合。
利用磁场微波增强化学气相淀积系统方法

[发明专利]利用磁场的微波增强型CVD系统和方法-CN94106741.6无效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1986-10-14 - 公布日： 2000-06-07 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明展示一种改进的化学气相淀积法；在这种方法中，回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合，以高的淀积速度淀积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振，而高质量性能归因于两种化学气相淀积法（ＣＶＤｓ）的组合。
利用磁场微波增强 cvd 系统方法

[发明专利]利用磁场的微波增强型CVD系统和方法-CN94106740.8无效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1986-10-14 - 公布日： 2000-06-07 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明展示一种改进的化学气相淀积法；在这种方法中，回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合，以高的淀积速度淀积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振，而高质量性能归因于两种化学气相淀积法（ＣＶＤｓ）的组合。
利用磁场微波增强 cvd 系统方法

[发明专利]利用磁场的微波增强型CVD系统和方法-CN86106620.0无效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1986-10-14 - 公布日： 1995-02-01 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明展示一种改进的化学气相淀积法；在这种方法中，回旋共振与光或等离子体化学气相淀积法相配合，以高的淀积速度沉积具有高性能的薄膜。高淀积速度归因于回旋共振，而高质量性能归因于两种化学气相淀积法(CVDs)的组合。
利用磁场微波增强 cvd 系统方法

[发明专利]气相淀积设备-CN03138608.3有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2003-06-03 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供适于用大面积板多面切割的气相淀积设备，具有利用EL材料的高效率，并在膜的均匀性上是极好的，其中板13和气相淀积掩模14安装在板支撑装置12之上，气相淀积源支撑物17和要淀积的物体(板13)之间的间隔在气相淀积中窄化到等于或小于30cm，优选的，等于或小于20cm，更优选的，5－15cm，气相淀积源支撑物17根据绝缘部件(还称作围堤、隔离壁)10在X方向或Y方向移动，挡板15打开和关闭以形成膜。
气相淀积设备

[发明专利]用于衬底上的薄膜层的持续淀积和处理的气相淀积过程-CN201110462697.0无效
发明人： S·D·费尔德曼-皮博迪 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于衬底上的薄膜层的持续淀积和处理的气相淀积过程。提供了一种用于使升华的源材料作为薄膜而气相淀积到光伏模块衬底上以及进行后续气相处理的一体化设备。该设备可包括装载真空室、第一气相淀积室和第二气相淀积室，它们一体地连接成使得输送通过设备的衬底保持在小于大约760托的系统压力处。传送器系统可以可操作地设置在设备内，并且构造成以串行布置来以受控的速度将衬底输送到装载真空室中且输送通过其中，输送到第一气相淀积室中且输送通过其中，以及输送到第二气相淀积室中且输送通过其中。
用于衬底薄膜持续处理气相淀积过程

[发明专利]检测钨化学气相淀积设备异常情况的方法-CN200610119054.5有效
发明人：欧阳东;吴秉寰;徐锋;孔祥涛;张超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测钨化学气相淀积设备异常情况的方法，涉及钨化学气相淀积的脉冲成核层工艺。包括以下步骤：对将进行钨薄膜淀积的晶圆置于扫描工具下，得到初始微细颗粒数，在钨化学气相淀积设备中通入硅烷与六氟化钨气体进行还原反应，在晶圆表面生成钨薄膜，将表面已经生成钨薄膜的晶圆置于扫描工具下，对扫描工具设定信噪比和扫描精度对淀积过钨薄膜的晶圆表面进行扫描；将被扫描出钨薄膜表面微细颗粒数相比初始微细颗粒数增加的晶圆放入显微镜下观察，判断此微细颗粒是否气相成核钨微细颗粒以确定钨化学气相淀积设备是否出现异常。通过本发明方法可以精确地确定钨化学气相淀积设备是否出现异常，并且不影响工艺持续性。
检测化学气相淀积设备异常情况方法

[发明专利]一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法-CN202010621624.0在审
发明人：李博;折宇;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅的方法，方法包括如下步骤：步骤1，将待淀积的硅片传入缓冲腔，待缓冲腔的真空度小于300mTorr后，再将待淀积的硅片传入工艺腔中；步骤2，在底压小于100mTorr的工艺腔中通入WF6、SiH4和载气，之后进行低压化学气相淀积反应，在待淀积的硅片上生成一层钨硅；步骤3，将淀积有一层钨硅的硅片传入步骤1所述的缓冲腔中，待工艺腔完成自清洁工艺后，将淀积有一层钨硅的硅片传入工艺腔中按照步骤2进行第二次低压化学气相淀积反应，得到淀积有两层钨硅的硅片，从而有效降低MOS产品的多晶电阻，同时提高产品器件的开关速度
一种低压化学气相淀积法淀积两层钨硅方法

[发明专利]IC制造业中的PECVD－Ti和CVD－Ti薄膜的单一腔室加工方法-CN00800630.X无效
发明人：格里特·J·勒欣克;迈克尔·G·沃德;迈克尔·S·阿梅恩;约瑟夫·T·希尔曼 -专利权人：东京电子株式会社
申请日： 2000-04-19 - 公布日： 2001-07-18 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种用于将含有钛和氮化钛薄膜的堆叠层淀积到一晶片表面上的单腔室方法。利用等离子体增强化学气相淀积工艺对钛进行淀积并且接着进行等离子体氮化。然后利用热化学气相淀积工艺对氮化钛进行淀积。更可取地,基体和莲蓬式喷头的温度以及腔室内部压力在整个堆叠层淀积的过程中保持在基本恒定的值。
ic 制造业中的 pecvd ti cvd 薄膜单一加工方法

[发明专利]一种防止高密度等离子体化学气相沉积对金属损伤的方法-CN200610025630.X无效
发明人：胡正军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹（集团）有限公司
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：一种防止高密度等离子体化学气相沉积对金属损伤的方法，在集成电路制造工艺中，完成对金属的刻蚀后，采用等离子体辅助化学气相淀积的方法在刻蚀表面淀积一层二氧化硅，最后再进行高密度等离子体淀积。本发明通过引入淀积薄层介质来减少高密度等离子体化学气相沉积过程中对金属的损伤，以四乙基原硅酸盐为前驱体用等离子体辅助化学气相淀积制备二氧化硅层，具有良好的侧壁覆盖性，从而对金属提供更好的保护。
一种防止高密度等离子体化学沉积金属损伤方法

[实用新型]一种用于化学气相淀积的气体导入装置-CN200820134161.X无效
发明人：李刚 -专利权人：李刚
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种用于化学气相淀积的气体导入装置。所述气体导入装置呈环状，通常放置在化学气相淀积反应器反应腔的上部外周边。该气体导入装置由一个或多个气体导入单元组成，可以实现多股气流由化学气相淀积反应器圆柱形反应腔的外围，沿平行于化学气相淀积反应器圆柱形反应腔内水平放置的衬底载盘表面或与所述衬底载盘表面成一定夹角的径向方向，由外向内导入反应腔内；所述气体导入装置具结构简单，操作方便，制造和使用成本低等优点，适用于大直径化学气相淀积反应器反应腔。
一种用于化学气相淀积气体导入装置

[发明专利]一种化学气相淀积装置及其调节方法-CN202310007797.7在审
发明人：任斌;王乃雷;刘军贤 -专利权人：江苏籽硕科技有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C16/515 文献下载
摘要：本发明提供一种化学气相淀积装置及其调节方法，涉及化学气相淀积领域。该基于化学气相淀积装置，包括底座和工作台，所述底座的上方固定连接有工作台，所述工作台的上方中部固定连接有淀积室，所述工作台的上方一端固定连接有第一原料室，所述工作台的上方远离第一原料室的一端固定连接有第二原料室，所述工作台的上方靠近第二原料室的一端固定连接有控制台，所述淀积室的两端中部均固定连接有保温管，两个所述保温管的中部均设置有控制阀。通过在淀积室设置对称的原料室进行原料气供应，加速原料气的扩散效率，提高了原料气的供应均匀度，便于后续激光辅助淀积，提高了加工效率。
一种化学气相淀积装置及其调节方法

[发明专利]成膜设备、成膜方法和发光元件的制造方法-CN200710005220.3无效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;山本孔明;片山视喜;横山浩平;松原里枝;川上贵洋 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2007-02-12 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：可以通过下述步骤形成具有减少的缺陷以及具有均匀的质量的膜：将基板固定至基板紧固单元，以暴露所述基板的至少一部分表面；使气相淀积材料从填充了所述气相淀积材料的蒸发源中蒸发；采用激光束照射所述的蒸发的气相淀积材料；以及在所述基板的所述表面上淀积所述气相淀积材料。
设备方法发光元件制造

[发明专利]气相轴向淀积装置及气相轴向淀积方法-CN200610128132.8无效
发明人：房成昱;李永燮;李东熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： C03B37/014 文献下载
摘要：一种气相轴向淀积装置。所述气相轴向淀积装置包括第一喷灯、生长尺寸检测单元以及控制单元。所述第一喷灯将烟灰淀积到与第一轴线排成直线的烟灰预制件的远端上并且与第二轴线排成直线。
轴向装置方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条