专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体处理装置-CN200680024611.3无效
  • 森田治 - 东京毅力科创株式会社
  • 2006-04-27 - 2008-07-09 - H05H1/46
  • 本发明是一种等离子体处理装置,包括:处理容器,具有:其中使处理气体成为等离子体的等离子体生成空间,和其中放置基板且基板进行等离子体处理的处理空间;气体供应,其被设置在处理容器中以将处理容器中的等离子体生成空间和处理空间分开;处理气体供应孔,其被设置在气体供应中,用于将处理气体供应至处理容器中;多个开口,其被设置在气体供应中,用于将等离子体生成空间与处理空间连通;和传热元件,其从气体供应的中央区域延伸到气体供应的外周区域,传热元件的传热速率高于形成气体供应的材料的传热速率。
  • 等离子体处理装置
  • [发明专利]等离子体处理装置-CN201010543269.6无效
  • 森田治 - 东京毅力科创株式会社
  • 2006-04-27 - 2011-03-02 - C23C16/50
  • 本发明是一种等离子体处理装置,包括:处理容器,具有:其中生成等离子体的等离子体生成空间,和其中放置基板且基板进行等离子体处理的处理空间;气体供应,其被设置在处理容器中以将处理容器中的等离子体生成空间和处理空间分开;处理气体供应孔,其被设置在气体供应中,用于将处理气体供应至处理容器中;多个开口,其被设置在气体供应中,用于将等离子体生成空间与处理空间连通;和传热元件,其从气体供应的中央区域延伸到气体供应的外周区域,传热元件的传热速率高于形成气体供应的材料的传热速率。
  • 等离子体处理装置
  • [发明专利]燃料电池-CN03820554.8无效
  • 角田正 - 本田技研工业株式会社
  • 2003-08-27 - 2005-12-07 - H01M8/02
  • 每个用于夹持多个电解质电极组件(56)的隔板(58)都包括一对(60,62)。在(60,62)之间形成燃料气体通道(67)和含氧气体通道(82)。燃料气体供应孔(44)延伸通过隔板(58),用于供应燃料气体,且排放通道(46)形成在燃料气体供应孔(44)周围。排放通道(46)延伸通过隔板(58),用于排放废气。隔板具有燃料气体分配通道(67a),用于连接燃料气体供应孔(44)和燃料气体通道(67)。
  • 燃料电池
  • [发明专利]用于处理基板的装置和用于分配气体的组件-CN202111653081.1在审
  • 孙亨圭 - 细美事有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-07-01 - H01J37/32
  • 本发明涉及用于处理基板的装置和用于分配气体的组件。提供了一种气体分配组件,该气体分配组件设置在用于利用等离子体处理基板的装置中以分配气体。在示例性实施方案中,气体分配组件包括气体分配,该气体分配形成有用于扩散从气体供应单元供应气体的多个气体引入孔;喷头,该喷头设置在气体分配的上部或下部处以与气体分配接触、并且具有多个气体供应孔,该多个气体供应孔形成在与气体引入孔连通的位置处以贯穿上表面的和下表面;和紧固构件,该紧固构件设置在与气体分配和喷头接触的侧表面处、并且包括第一耦接部和第二耦接部,该第一耦接部耦接到气体分配,该第二耦接部支承喷头的下表面以接触气体分配和喷头
  • 用于处理装置分配气体组件
  • [发明专利]基板处理设备和用于气体分配的温度控制方法-CN201911188186.7有效
  • 周允植;徐相宝;孔炳铉 - 细美事有限公司
  • 2019-11-28 - 2023-02-17 - H01J37/32
  • 公开了一种基板处理设备,其包括:腔室,在所述腔室中具有处理空间,基板在所述处理空间中被处理;基板支撑组件,所述基板支撑组件位于所述腔室中并且包括支撑所述基板的支撑气体供应单元,所述气体供应单元将气体供应到所述腔室中;气体分配,所述气体分配分配所述气体并且将所述气体供应到所述处理空间中;以及温度控制单元,所述温度控制单元控制所述气体分配的温度。所述温度控制单元包括:加热构件,所述加热构件加热所述气体分配;冷却构件,所述冷却构件冷却所述气体分配;以及控制构件,所述控制构件基于关于所述加热构件和所述冷却构件的相互作用的相关系数和关于外部影响的干扰系数来控制所述加热构件和所述冷却构件
  • 处理设备用于气体分配温度控制方法
  • [发明专利]用于处理基板的装置和方法-CN202010913262.2在审
  • 姜廷锡;梁映轘;卢收练 - 细美事有限公司
  • 2020-09-03 - 2021-03-05 - H01J37/32
  • 一种用于处理基板的装置包括:腔室,在该腔室中具有处理空间;支撑单元,其在该处理空间中支撑所述基板;气体供应单元,其将处理气体供应到处理空间中;以及等离子体生成单元,其从处理气体生成等离子体。支撑单元包括:支撑,其上放置基板;第一环,其围绕放置在支撑上的基板;第二环,其布置在第一环下方并且围绕支撑;以及气体供应构件,其在第一环上方供应气体,并且气体供应构件包括穿过在第一环和第二环而垂直形成的气体管线
  • 用于处理装置方法
  • [发明专利]半导体制造装置-CN202210841452.7在审
  • 久保诚 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-07-18 - 2023-08-29 - C23C16/455
  • 气体引入部位于基板的第一面的一侧并将工艺气体引入到容器中。第一气体供应位于基板和气体引入部之间并且具有允许工艺气体通过的第一孔。第一电极位于基板和第一气体供应之间并且具有将工艺气体供应到基板的第一面的第二孔。第二电极设置在基板的第二面的一侧并向第一电极和第二电极之间的工艺气体施加电场。分隔部设置在第一电极和第一气体供应之间,在基本平行于第一面的第一方向上基本直线状延伸,并将第一电极和第一气体供应之间的空间划分为多个区域。
  • 半导体制造装置
  • [发明专利]基板衬托器及具有其的沉积装置-CN201180036834.2有效
  • 朴用城;李成光;金东烈 - 国际电气高丽株式会社
  • 2011-03-16 - 2013-04-03 - H01L21/205
  • 本发明涉及用于半导体元件制造的沉积装置,根据本发明,包括:工艺腔;基板衬托器,其安装于所述工艺腔,在同心圆上具有放置基板的多个台;气体供应构件,其为多个,供应反应气体;净化气体供应构件,其供应净化气体;喷射构件,其具有多个独立的导流,使得能够在与放置于各个所述台上的基板对应的位置,独立地向基板的整个处理面喷射从所述多个气体供应部和所述净化气体供应构件接受供应的反应气体及净化气体;以及驱动部,其使所述基板衬托器或所述喷射构件旋转,使得所述喷射构件的导流向各个放置于所述台的多个基板依次旋转。所述基板衬托器包括:上部衬托器,其形成有所述台;下部衬托器,其结合于所述上部衬托器底面,安装有提供用于对基板进行加热的热源的发热体;以及屏蔽,其与各个所述台对应地安装于所述下部衬托器的底面,用于把向所述下部衬托器底面放射的热能重新向所述下部衬托器侧供应
  • 衬托具有沉积装置
  • [实用新型]一种用于臭氧脱硝的高效烟气臭氧混合器-CN201720621765.6有效
  • 田静伟 - 河北万旭环境工程有限公司
  • 2017-05-31 - 2018-01-05 - B01D53/76
  • 本实用新型属于臭氧脱硝技术领域,提出的一种用于臭氧脱硝的高效烟气臭氧混合器,包括箱体,箱体内设置有转轴,转轴上设置有桨叶,箱体一端设置有气体入口,另一端设置有气体出口,气体入口与烟气供应管连接,烟气供应管外环绕有臭氧供应管,臭氧供应管和烟气供应管均通过混合管与气体入口连接,混合管内设置有主管,主管一端与烟气供应管连通,另一端与气体入口连通,主管通过侧支管与臭氧供应管连通,箱体内设置有引导气体向箱体中部聚拢的导流,导流包括分别设置在箱体顶部和底部的第一弧形和第二弧形
  • 一种用于臭氧高效烟气混合器

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