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- [发明专利]半导体器件-CN201210320528.8无效
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末代知子;小仓常雄
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株式会社东芝
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2012-08-31
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2013-09-18
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H01L27/06
- 本发明提供兼具提高RC－IGBT中的二极管的恢复特性和维持欧姆接触性的半导体器件。实施方式的半导体器件具备：基板，由第1导电型半导体构成；基极层，设置在所述基板的一面侧，由第2导电型半导体构成；正极层，在所述基极层的一部分的区域中使杂质总量增加而成；IGBT区域，形成于所述基极层；二极管区域，形成于所述正极层；沟槽，从所述IGBT区域及所述二极管区域的表面侧到达所述基板，且所述二极管区域中的占有面积不同于所述IGBT区域中的占有面积；漏极层，与所述IGBT区域相对置，设置在所述基板的另一面侧，由第2导电型半导体构成；及负极层，与所述二极管区域相对置，与所述漏极层邻接，由第1导电型半导体构成。
- 半导体器件
- [实用新型]电池热保护装置和包括该电池热保护装置的电池-CN200720309141.7有效
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张忠财;高秀玲
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比亚迪股份有限公司
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2007-12-25
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2008-11-05
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H01M2/34
- 本实用新型提供一种电池热保护装置和包括该电池热保护装置的电池，其中，该电池热保护装置包括导体层、热敏绝缘层和外绝缘层，热敏绝缘层位于两个导体层之间，外绝缘层包在导体层的外部。所述电池包括外壳、正极极片、负极极片和隔膜纸以及本实用新型提供的电池热保护装置，电池热保护装置位于外壳内部，其中位于热敏绝缘层一侧的导体层电连接到电池的正极极片，位于热敏绝缘层另一侧的导体层电连接到电池的负极极片本实用新型提供的电池热保护装置及包括该装置的电池，由于在高温高热情况下由该热敏绝缘层隔离的两层导体会导通，进而导通两层导体分别连接的电池的正负极，以便将正负极之间的能量安全释放出来，避免热失控，具有安全性能高的优点
- 电池保护装置包括
- [实用新型]一种新型场效应晶体管单元-CN201120380196.3有效
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王金;黄泽军;张万召
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张万召
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2011-10-09
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2012-06-06
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H01L29/78
- 本实用新型公开了一种新型场效应晶体管单元，包括半导体基片，氧化扩散层、隐埋氧化层、隐埋氧化层将所述半导体基片分为上下两部分，所述下部为衬底，所述上部为顶层半导体；顶层半导体上设置栅极、源极、漂移区、漏极、沟道层,所述的栅极、源极短接;在半导体基片的硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层,所述栅极嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面,所述漏极接触负极面铝钛镍银金属层的顶面;该晶体管单元还具有一个源-基体接触沟槽;沟道层为P-ZNO薄膜,源极和漏极是掺杂浓度为1015～1022CM-3的N-ZNO薄膜。
- 一种新型场效应晶体管单元
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