“正性光阻剂”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8920693个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于光阻剂的外涂层组合物及使用该组合物形成光阻剂图案的方法-CN200310120313.2无效
发明人：卜喆圭;郑载昌;文承灿;申起秀 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明揭示了用于光阻剂的外涂层组合物及降低光阻剂图案线宽的方法。更具体地，在由常规光刻过程所制得的光阻剂图案的整个表面上涂布包含酸的外涂层组合物，从而使酸扩散入光阻剂图案中。其中酸扩散到达的部分的光阻剂以碱性溶液显影而移除。结果，可降低正性光阻剂图案的线宽，还可避免负性光阻剂图案的线宽在随后的使用SEM测量线宽的过程中变细。
用于光阻剂涂层组合使用形成图案方法

[发明专利]正型光阻剂组合物及形成光阻图样的方法-CN03132821.0有效
发明人：曾炜展;宋清潭;庄志新;黄坤源;杜安邦 -专利权人：财团法人工业技术研究院;长春人造树脂厂股份有限公司
申请日： 2003-07-21 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明提供一种具有均匀反应性的正型光阻剂组合物，涂布后分别在不同制程步骤进行热交联反应及光分解反应而形成图形线路。这一新型的光阻剂组合物由一多组分树脂组合物、一光酸产生剂及一反应性单体所组成。当光阻剂组合物在软烤(soft－baking)时，该反应性单体与该多组分树脂组合物先形成一具有网状结构的聚合物。接着光阻剂组合物在曝光光源照射下，所产生的酸会使光阻剂中的多组分树脂分别进行化学增幅型树脂去保护基反应，以及网状结构树脂的光分解反应。因此，本发明所述的正型光阻剂由于其较佳的碱性对比能力及均匀的反应性，在微影制程时可得到较佳的光阻深宽比及分辨率。
正型光阻剂组合形成图样方法

[发明专利]一种平板显示用正性光阻显影液-CN202110063305.7有效
发明人：刘小勇;田博;侯琳熙;房龙翔 -专利权人：福建省佑达环保材料有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种平板显示TFT‑array光刻制程中使用的正性光阻显影液。该正性光阻显影液的组成成分为有机碱2~5%、季铵盐双子表面活性剂0.5%~5%、非离子表面活性剂1%~10%、有机助剂0.5%~2%、余量为去离子水。本发明通过添加季铵碱双子表面活性剂，使所得正性光阻显影液具有良好的显影性和图案重现性，能有效提高良品率，满足高分辨率TFT显示屏的需求。同时，该显影液对光阻残渣溶解力强，泡沫少，工艺温度宽，具有较好应用前景。
一种平板显示用正性光阻显影液

[发明专利]金属光掩膜的制作方法以及金属光掩膜-CN201711396854.6在审
发明人：蔡丰豪 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属光掩膜的制作方法，其包括步骤：在基板上制作形成正性光阻层；在所述正性光阻层上制作形成多个负性光阻块，相邻的两个所述负性光阻块之间具有间隔；在所述正性光阻层和所述负性光阻块上制作形成金属层；将所述正性光阻层和所述负性光阻块去除，以形成金属光掩膜。本发明的金属光掩膜的制作方法采用正性光阻和负性光阻做基板和金属层的中间介体，在完成金属层的制作之后可以将正负性光阻与金属层完全分离，从而制作过程简单且良率较高。
负性光阻正性光阻光掩膜金属层制作金属基板完全分离制作过程光阻介体良率去除

[发明专利]正型光阻剂-CN200710087883.4有效
发明人：郭光埌;盐田英和;蔡哲辉;杨宗穆 -专利权人：新应材股份有限公司
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种正型光阻剂，其包含树脂、添加剂和溶剂。其中，该正型光阻剂的溶剂包含至少两种具有不同沸点的溶剂。
正型光阻剂

[发明专利]正型光阻组成物的用途-CN201310513432.8无效
发明人：黄新义;黄圣文;叶子瑭;篮伟仁 -专利权人：台湾永光化学工业股份有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：一种正型光阻组成物的用途，可使用于一玻璃的切割工艺，以形成一具有切割路径的光阻膜，其中，该正型光阻组成物可包括：一含苯基的碱可溶树脂；一感光剂，其包括如下式(I)所示的官能基，一黏着增进剂；以及溶剂。本发明亦有关于一种使用该正型光阻组成物的玻璃切割方法。
正型光阻组成用途

[发明专利]化学增幅正型光阻组合物及光阻图案形成方法-CN200910262157.0有效
发明人：田中启顺;武田隆信;渡边聪 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学增幅正型光阻组合物，是用以形成在光刻中使用的化学增幅光阻膜，该化学增幅正型光阻组合物的特征在于：至少含有：(A)基质树脂，是碱不溶性或碱难溶性的树脂，具有被叔烷基保护的酚性羟基的重复单元，且当前述叔烷基脱离时，变成碱可溶性；(B)酸产生剂；(C)碱性成分；及(D)有机溶剂；且，以通过旋转涂布来获得具有10～100nm的膜厚的前述化学增幅光阻膜的方式调整固体成分浓度。根据本发明，可提供一种化学增幅正型光阻组合物，在光刻中，可在形成10～100nm的膜厚时，一边抑制由于化学增幅光阻膜薄膜化而造成的的LER恶化，一边获得高解析性；及提供一种使用此光阻组合物的光阻图案形成方法
化学增幅正型光阻组合图案形成方法

[发明专利]光阻剥离剂组成物-CN201180023169.3有效
发明人：朴永真;韩斗锡;李相大;申孝燮 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种光阻剥离剂组成物，包含按重量计0.5-5％的烷基氢氧化铵、按重量计60-90％的非质子性极性溶剂、按重量计0.1-3％的芳香族多羟基醇、按重量计0.1-5％的线性多羟基醇、以及按重量计5-30％的水；该光阻剥离剂组成物具有优异的剥离正型及负型光阻剂的能力，且不会腐蚀在该光阻剂下面的金属布线。
剥离组成

[实用新型]一种半导体晶圆制造显影预对准装置-CN202020040289.0有效
发明人：丁杰 -专利权人：深圳市新顺鑫科技有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，公开了一种半导体晶圆制造显影预对准装置，包括底座，所述底座的顶端中部设置有主轴，所述主轴的顶端设有支撑座，所述支撑座上设置有正性光阻，所述正性光阻的两端设置有固定机构，所述固定机构将半导体晶圆卡接在正性光阻的上部，所述正性光阻的底端一侧设有传动装置，所述底座的顶端一侧设有光感应装置，所述光感应装置上设置有与正性光阻相连的定位机构。本实用新型通过设置的固定机构，在对半导体晶圆进行显影预对准时，直接将半导体晶圆放置在正性光阻上即可，实现对半导体晶圆的固定，便于后续主轴旋转半导体晶圆，使其不会受惯性而发生偏离，保证光感应装置以及边缘曝光装置曝光的准确性
一种半导体制造显影对准装置

[发明专利]正型光阻组成物及图案化聚酰亚胺层的形成方法-CN201811067508.8有效
发明人：张庭玮;鍾明哲 -专利权人：新应材股份有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明提供一种正型光阻组成物及图案化聚酰亚胺层的形成方法，正型光阻组成物包括甲酚型酚醛树脂、重氮萘醌类感光剂以及有机溶剂；以100重量份的该甲酚型酚醛树脂为基准，该重氮萘醌类感光剂的用量为40重量份至60本发明的正型光阻组成物对聚酰亚胺剥除剂具有优异的耐化学性，能具体提升光阻层对低介电性的聚酰亚胺层的保护能力，从而优化图案化聚酰亚胺层的工艺与品质。
正型光阻组成图案聚酰亚胺形成方法

[发明专利]导电薄膜对位标记制作方法-CN201610809700.4有效
发明人：王士敏;王琦;古海裕;朱泽力;李绍宗 -专利权人：深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种导电薄膜对位标记制作方法，包括如下步骤：提供一包括一功能区域和一邻接功能区域的辅助区域的基片，辅助区域用以形成至少一对位标记；在基片之上形成一导电薄膜；在导电薄膜之上形成一正性光阻膜；通过第一光罩曝光正性光阻膜，形成第一曝光区域和保留区域；显影正性光阻膜；蚀刻导电薄膜；通过位于该至少一对位标记之上的第二光罩再次曝光正性光阻膜，形成位于保留区域的第二曝光区域；再次显影正性光阻膜，形成至少一个对位标记。
导电薄膜对位标记制作方法

[发明专利]一种BCE结构TFT的制作方法及结构-CN202010755484.6在审
发明人：阮桑桑 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种BCE结构TFT的制作方法及结构，在有源层上涂布负型光阻层，对负型光阻层曝光显影，保留有源层上的负型光阻层，光罩中间对应有源层中间上方位置为透明区域，光罩两侧对应源漏极位置为遮光区域；沉积源漏极金属层；涂布正型光阻层，对正型光阻层曝光显影，去除部分正型光阻层；以正型光阻层为掩膜，蚀刻源漏极金属薄膜；去除正型光阻层。本方法通过2次曝光显影，采用负型光阻在有源层上方沟道区留下光阻，保护有源层在源漏极金属层蚀刻中不受酸液或等离子体的损伤，先沉积SD金属层，再用正型光阻，并形成SD。在不增加光罩兼容现有工艺流程下，就能够保护有源层在沟道处不受SD蚀刻影响，而提高TFT电性均匀性和稳定性。
一种 bce 结构 tft 制作方法

[发明专利]NTD工艺中的光阻去边方法以及光阻去边机台-CN201610884452.X有效
发明人：叶蕾;胡华勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种NTD工艺中的光阻去边工艺以及光阻去边机台，光阻去边工艺包括：提供晶圆，所述晶圆上涂覆有光刻胶膜；对所述晶圆边缘的光刻胶膜进行曝光处理；采用正调光阻显影工艺中的显影剂，对所述曝光处理后的光刻胶膜进行显影处理本发明提高了NTD工艺中光阻去边的精确度，改善了NTD工艺中光阻去边结果的均匀性。
ntd 工艺中的光阻去边方法以及机台

[发明专利]正型光阻剥除剂-CN201310382926.7有效
发明人：李豪浚;吕勇军 -专利权人：得凯莫斯公司弗罗里达有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光阻剥除剂，其包含：(a)18重量%‑80重量%的二乙烯三胺；(b)18重量%‑80重量%的烷基酰胺，其选自N,N‑二乙基乙酰胺、N,N‑二甲基丙酰胺和其混合物；和(c)0重量%‑2重量%的含氟表面活性剂，其中所述重量百分比基于该光阻剥除剂的总重量。此外，本发明还公开了使用本发明的光阻剥除剂去除光阻的方法。
正型光阻剥除

[发明专利]一种半透半遮面板、触控面板及其制作方法以及显示装置-CN201510290853.8有效
发明人：田慧;徐传祥;付承宇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：该方法包括：在基板上分别涂覆负性白色光阻和正性透明光阻，形成白色光阻层和正性光阻层；对所述正性光阻层进行第一次曝光，显影后去除曝光区域的光刻胶后形成第一光阻图案，其中，所述第一光阻图案下覆盖有未曝光的白色光阻；在所述第一光阻图案和被曝光的白色光阻上涂覆黑色光阻，形成黑色光阻层；对所述黑色光阻层进行第二次曝光，显影后去除所述第一光阻图案上覆盖的黑色光阻层、所述第一光阻图案下覆盖的白色光阻层以及所述第一光阻图案
一种半透半遮面板及其制作方法以及显示装置

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条