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[发明专利]叠层标记-CN201410124013.X有效
发明人：舒强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层标记，包括：形成在半导体衬底或其外延层中一层中的前层测量标记和形成在该层后一层中同一位置的后层测量标记，所述叠层标记还包括均匀分布在所述前层测量标记和后层测量标记空白处的虚设图案，避免了应力作用使叠层标记发生畸变影响测量精度，此外，所述虚设图案的信号强度小于前层测量标记和后层测量标记的信号强度，在量测计算套刻精度时能被量测系统过滤，在不影响现有量测方式的情况下提高了测量精度和器件良率。
标记

[发明专利]曝光场拐角的标记单元-CN202111682926.X在审
发明人：闵金华;沈满华 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种曝光场拐角的标记单元，包括有源层标记、金属栅层标记、通孔层标记和隔离层标记；所述有源层标记与所述金属栅层标记交错设置，所述金属栅层标记和所述有源层标记内部均设置空白区；所述通孔层标记设置于所述空白区内，且所述通孔层标记的整体形状与所述空白区的形状相适配；所述通孔层标记和所述隔离层标记均设置于所述空白区，且所述通孔层标记的整体形状和所述隔离层标记的整体形状均与所述空白的形状相适配；所述隔离层标记设置于所述通孔层的外侧；标记之间相互不重叠，解决了若干层标记发生重叠而产生的缺陷的问题；通过设置隔离层标记以隔离有源层标记和通孔层标记，从而使得通孔层标记和有源层标记界限分明。
曝光拐角标记单元

[发明专利]对准标记版图及其操作方法-CN202211697705.4在审
发明人：李泽逵;顾中良;王婷;刘盼;张健 -专利权人：荣芯半导体（淮安）有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种对准标记版图及其操作方法，所述对准标记版图包括：多个呈旋转对称的子标记，每个子标记包含当前层子标记以及参考层子标记；其中，所述当前层子标记包含平行分布的若干条当前层条形标记，且存在至少一条当前层条形标记的长度大于其他当前层条形标记，每条当前层条形标记的宽度为当前层的关键尺寸线宽，相邻的当前层条形标记之间的距离为所述当前层的关键尺寸间距；所述参考层子标记包含平行分布的若干条参考层条形标记，且存在至少一条参考层条形标记的长度大于其他参考层条形标记本发明可以采用同一对准标记实现多种对准、测量功能，从而提高空间利用率。
对准标记版图及其操作方法

[发明专利]重叠对准标记和具有该重叠对准标记的基片-CN201410100759.7有效
发明人：李天慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请提供了一种重叠对准标记和具有该重叠对准标记的基片。重叠对准标记设置于基片上，基片包括基础层和设置于基础层上的多个片层，重叠对准标记包括基础层对准标记，基础层对准标记设置于基础层的标记区域上；片层对准标记，各片层对准标记设置于相应的片层上，其中，设置有片层对准标记的各片层中至少两个片层通过相应的片层对准标记和同一个基础层对准标记之间的位置关系实现与基础层的对准在本申请的重叠对准标记布置方式下，更多的标记区域如划线槽的区域被释放出来，节约了重叠对准标记占用的标记区域。
重叠对准标记具有

[发明专利]电梯平层控制系统及具有该系统的电梯-CN201710139105.9有效
发明人：谭志红;王伟峰;刘洋;朱佳楠;赵云 -专利权人：上海中联重科电梯有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B66B1/06 文献下载
摘要：电梯平层控制系统及电梯，包括控制单元、高度标记支架、高度标记、高度标记采集器、楼层平层信号标记及轿厢，高度标记支架竖直地设置于电梯井道内，多个高度标记沿竖直方向依次排列于高度标记支架上，每一高度标记上含有该高度标记所处位置的高度信息，高度标记采集器设置于轿厢上读取高度标记上的高度信息；每一楼层内均设置有一个楼层平层信号标记，楼层平层信号标记位于高度标记与高度标记采集器之间，并阻止高度标记采集器对于该楼层平层信号标记位于同一高度的高度标记的采集，当电梯平层时，高度标记采集器的位置与楼层平层信号标记的位置相对应。该电梯平层控制系统成本较低且平层精确度高。
电梯控制系统具有系统

[发明专利]显示模组及其制备方法、掩膜板组件-CN202210343650.0在审
发明人：陈南豪;陈军涛;张毅;徐倩;黄琰;李灵通;魏立恒 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种显示模组，包括：基板、以及层叠的第一标记组层和第二标记组层；第一标记组层设置于基板的一侧，第二标记组层用于朝向对位装置并与对位装置具有第一识别距离，层叠的第一标记组层和第二标记组层用于供对位装置识别并对位本申请实施例中的第一标记组层与第二标记组层层叠设置，第二标记组层较薄时，第一标记组层能够对第二标记组层起到垫高的作用，缩短第二标记组层与对位装置的距离，提高第二标记组层的对比度，进而提高第二标记组层的识别准确率
显示模组及其制备方法掩膜板组件

[实用新型]套刻对准标记及掩模板组件-CN202120925351.9有效
发明人：沈俊明;吴建宏;林士程 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种套刻对准标记，包括前层对准标记、形变缓存区和当层对准标记，所述前层对准标记和所述形变缓存区位于同一前层材料中，所述形变缓存区位于所述前层对准标记外侧，所述当层对准标记位于所述前层材料上，且所述当层对准标记位于所述前层对准标记内侧或者所述当层对准标记与所述前层对准标记交错设置。通过在前层对准标记的外侧四周设置形变缓存区，在晶圆经过热处理工艺时，所述形变缓存区作为缓冲区，可以减少所述前层对准标记的热膨胀变形，从而能够解决黄光量测时前层的套刻标记产生形变而导致量测失真的问题。
对准标记模板组件

[发明专利]标记结构的形成方法-CN201610079408.1有效
发明人：陆道亮;张宏伟;冯奎 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种标记结构的形成方法，包括：提供包括器件层的衬底，器件层表面具有介质层，介质层表面具有掩膜层，衬底包括标记区和器件区，标记区包括第二标记区以及包围第二标记区的第一标记区；采用第一刻蚀工艺刻蚀部分掩膜层直至暴露出介质层，在器件区内形成第一开口，在第一标记区内形成第一标记，在第二标记区形成标记开口，第一开口和标记开口的底部高于器件层表面，标记开口至少暴露出第二标记区的部分介质层；采用第二刻蚀工艺刻蚀第一开口底部和标记开口底部的介质层，在第一开口底部形成暴露出器件层的第二开口，在标记开口底部的介质层内形成第二标记；在第一开口和第二开口内形成导电结构。所形成的标记结构更清晰，有利于提高标记检测精度。
标记结构形成方法

[发明专利]半导体元件及其制备方法-CN202211724216.3在审
发明人：黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：该半导体元件包括：设置于基底上的第一导电层以及设置于第一导电层上的第二导电层；第一次组实体对准标记以及第一次组间隔对准标记。第一次组实体对准标记包括：第一层对准标记，经设置于第一导电层中；以及第二层对准标记，经设置于第二导电层中并与第一层对准标记偏离。第一次组间隔对准标记包括：该第一次组间隔对准标记的第一层对准标记，经设置于第一导电层中并与第一次组实体对准标记的第一层对准标记远离；第一次组间隔对准标记的第二层对准标记，经设置于第二导电层中并与第一次组间隔对准标记的第一层对准标记偏离第一次组实体对准标记及第一次组间隔对准标记包括一荧光材料。
半导体元件及其制备方法

[发明专利]量测标记、半导体结构、量测方法、设备以及存储介质-CN202110799563.1在审
发明人：邱少稳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开是关于一种量测标记、半导体结构、量测方法、设备以及存储介质。其中量测标记，设置于半导体结构，半导体结构包括衬底，量测标记应用于刻蚀后的检查过程，量测标记包括层叠的第一标记层和第二标记层，第一标记层在衬底上的投影轮廓与第二标记层在衬底上的投影轮廓重合；量测标记包括位于第一标记层的第一标记组，以及位于第二标记层的第二标记组；量测标记被配置为，量测光线经过第一标记组和第二标记组后，所述量测光线的零阶衍射光线的光强分布不对称。该量测标记可用于量测半导体结构中任意两层之间的套刻误差。
标记半导体结构方法设备以及存储介质

[发明专利]一种基于衍射的套刻标记-CN202310934464.9在审
发明人：梁言 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及套刻对准领域，特别是涉及一种基于衍射的套刻标记，从上到下依次包括设置于当前层的当前层套刻标记、设置于第一前层的第一前层套刻标记及设置于第二前层的第二前层套刻标记；所述当前层套刻标记包括第一象限图案、第二象限图案、第三象限图案及第四象限图案；每个象限图案均包括多条互相平行的标记线，所述标记线均为倾斜角度的线条；每个前层套刻标记与一组对角象限图案对应，且包括多条标记线；所述第一前层套刻标记与所述当前层套刻标记组成的图案，及所述第二前层套刻标记与所述当前层套刻标记组成的图案，均为中心对称图案。本发明通过设置中心对称的、具有倾斜的标记线的套刻标记，缩短了量测时间，并减小了套刻标记的面积占用。
一种基于衍射标记

[发明专利]一种套刻标记及套刻误差的测量方法-CN202211097773.7在审
发明人：齐景超;孙刚;兰艳平;杨朝兴 -专利权人：上海御微半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种套刻标记及套刻误差的测量方法，通过设置第一层套刻标记和第二层套刻标记均包括多个子套刻标记组，同一层套刻标记内的多个子套刻标记组以相同的对称中心成旋转对称设置；单个子套刻标记组包括一个或者多个套刻标记，通过合理设置第一层套刻标记内的套刻标记组和第二层套刻标记的套刻标记组的结构，提高第一层套刻标记和第二层套刻标记中套刻标记在套刻标记的测量方向上的数量以及在非测量方向上套刻标记的长度，提高视场内前层标记和当层标记的信息采集数量，提高套刻标记的中心坐标的计算精度，从而提高半导体专用设备中套刻误差的测量精度。
一种标记误差测量方法

[发明专利]利用层间相关性编码层内标记的方法、及解码方法和设备-CN200610136257.5无效
发明人：李培根;韩宇镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H04N7/26 文献下载
摘要：一种基于层间相关性对在基于多层的可伸缩视频编解码器中使用的各种标记进行有效编码的方法和设备。该编码方法包括：判断在指定单元区域中包括的当前层的标记是否全部等于基本层的标记；根据该判断结果而设置指定预测标记；和如果判断当前层的标记等于基本层的标记，则跳过当前层的标记，并将基本层的标记和预测标记插入到比特流中
利用相关性编码标记方法解码设备

[发明专利]套刻误差测量方法及套刻标记-CN201810330305.7在审
发明人：郭晓波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种套刻标记，涉及集成电路制造技术，该套刻标记包括当层套刻标记及相对于所述当层套刻标记的第一前层套刻标记和第二前层套刻标记，且所述第一前层套刻标记与所述第二前层套刻标记组合成为一个包括X方向的套刻标记和Y方向的套刻标记的前层套刻标记；以使晶圆能在一步套刻精度测量过程中同时获得当层与第一前层前层之间的套刻精度及当层与第二前层之间的套刻精度，进而可以通过光刻机的套刻精度补正系统来改善所述的套刻精度。
套刻标记前层当层套刻集成电路制造技术套刻精度测量补正系统套刻误差光刻机晶圆测量

[发明专利]显示基板母版及其制备方法、偏移检测方法及装置-CN202011043770.6在审
发明人：王丽;李钟均;王丹名 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述显示基板母版包括基板区域和围绕所述基板区域的外围区域，所述基板区域包括依次设置在基底上的显示功能层和封装层，所述外围区域包括设置在所述基底上的至少一个标记结构，以及设置在所述标记结构远离所述基底一侧的与所述标记结构一一对应的封装标记层，所述标记结构与所述显示功能层同层设置，所述封装标记层与所述封装层同层设置。本实施例提供的方案，通过设置标记结构和封装标记层，可以通过标记结构和封装标记层的偏移检测封装层的偏移，实现偏移检测。
显示母版及其制备方法偏移检测装置

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