“栅极电阻器”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8807948个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]射频开关装置-CN201910084196.X在审
发明人：赵炳学;白铉;金正勳;金裕桓;罗裕森 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H03K17/284 文献下载
摘要：所述射频开关装置包括：开关电路，包括第一晶体管和第二晶体管；栅极电阻器电路，包括第一栅极电阻器和第二栅极电阻器，第一栅极电阻器连接到第一晶体管的栅极并且第二栅极电阻器连接到第二晶体管的栅极；栅极缓冲器电路，包括第一栅极缓冲器和第二栅极缓冲器，第一栅极缓冲器连接到第一栅极电阻器以通过第一栅极电阻器向第一晶体管提供第一栅极信号，第二栅极缓冲器连接到第二栅极电阻器以通过第二栅极电阻器向第二晶体管提供第二栅极信号；以及延迟电路，用于产生具有第一开关时间的第一栅极信号以及具有不同于第一开关时间的第二开关时间的第二栅极信号。
栅极电阻器晶体管栅极缓冲器栅极信号射频开关装置第一开关电路开关电路延迟电路

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN201310693105.5有效
发明人：马哈林加姆·南达库马尔;德博拉·J·赖利;阿米塔比·贾殷 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：可通过移除多晶硅层的顶部表面处在电阻器区域中的一部分来形成具有替换栅极MOS晶体管及多晶硅电阻器的集成电路。随后形成的栅极蚀刻硬掩模包含在MOS牺牲栅极上方的MOS硬掩模分段及在电阻器主体上方的电阻器硬掩模分段。所述电阻器主体比所述MOS牺牲栅极薄。在栅极替换工艺序列期间，移除所述MOS硬掩模分段，从而暴露所述MOS牺牲栅极同时使所述电阻器硬掩模分段的至少一部分仍保留在所述电阻器主体上方。用替换栅极替换所述MOS牺牲栅极而不替换所述电阻器主体。
集成电路及其形成方法

[发明专利]具有上覆栅极结构的基板电阻器-CN201510998958.9有效
发明人： J·辛格 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有上覆栅极结构的基板电阻器。一种电阻器装置，包括：电阻器本体，设置于基板中且以第一类型掺杂物掺杂；绝缘层，设置于该电阻器本体之上；以及至少一个栅极结构，设置于该绝缘层之上及该电阻器本体之上。一种方法，包括：施加偏压电压于至少一第一栅极结构，该第一栅极结构设置在绝缘层之上，其中，该绝缘层设置于电阻器本体之上，而该电阻器本体设置于基板中，且该第一栅极结构以第一类型掺杂物掺杂以影响该电阻器本体的电阻
具有上覆柵极结构电阻器

[发明专利]用于功率转换装置的栅极驱动电路-CN201780045108.4有效
发明人：卢俊诚;H.白 -专利权人：黑拉有限责任两合公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：一种装置包括栅极驱动电路和GaN HEMT开关，其中栅极驱动电路具有栅极驱动输出以响应于栅极控制信号产生栅极驱动信号。所述开关具有通过栅极驱动电阻器被连接到栅极驱动电路的栅极。所述栅极驱动电路包括NPN（或NMOS）接通晶体管和PNP（或PMOS）关断晶体管。所述栅极驱动电路包括被耦合到接通晶体管的、具有第一电阻的接通电阻器和被耦合到关断晶体管的、具有第二电阻的关断电阻器。所述接通和关断晶体管、栅极驱动电阻器、开关器件，但不是接通和关断电阻器被布置在集成电路中以减少栅极驱动环路电感。所述第一和第二电阻可以是不同的，以调整所述开关器件的接通和关断速度。
用于功率转换装置栅极驱动电路

[实用新型]精密多晶硅电阻器结构及集成电路-CN201320870763.2有效
发明人： P·蒙塔尼尼;G·利克;B·H·恩格尔;R·M·米勒;J·Y·金 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司;三星电子株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种精密多晶硅电阻器结构及集成电路。使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，使得保护绝缘层可以在用金属栅极随后替换牺牲栅极期间覆盖电阻器。使用这样的工艺来制作的精密多晶硅电阻器的最终结构比为具有金属栅极晶体管的集成电路提供金属电阻器的现有结构更紧凑并且复杂性更少。另外，可以通过向多晶硅膜注入掺杂物、调整多晶硅膜厚度或者二者来自由调节精密多晶硅电阻器至具有所需薄片电阻。
精密多晶电阻器结构集成电路

[发明专利]精密多晶硅电阻器-CN201310726298.X在审
发明人： P·蒙塔尼尼;G·利克;B·H·恩格尔;R·M·米勒;J·Y·金 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司;三星电子株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，使得保护绝缘层可以在用金属栅极随后替换牺牲栅极期间覆盖电阻器。使用这样的工艺来制作的精密多晶硅电阻器的最终结构比为具有金属栅极晶体管的集成电路提供金属电阻器的现有结构更紧凑并且复杂性更少。另外，可以通过向多晶硅膜注入掺杂物、调整多晶硅膜厚度或者二者来自由调节精密多晶硅电阻器至具有所需薄片电阻。
精密多晶电阻器

[发明专利]具有上覆栅极结构的鳍式电阻器-CN201511000313.8在审
发明人： J·辛格 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有上覆栅极结构的鳍式电阻器。一种电阻器装置，包括掺有第一类型掺质的电阻器本体、设置于电阻器本体上面的绝缘层、以及设置于绝缘层上面且设置于电阻器本体上面的至少一个栅极结构。一种方法，包括对设置于绝缘层上面的至少第一栅极结构施加偏压，该绝缘层设置于掺有第一类型掺质的电阻器本体上面，用以影响电阻器本体的电阻。
具有栅极结构电阻器

[发明专利]体电流旁路电阻器-CN201880064207.1在审
发明人： R·P·K·维杜拉;S·格科特佩里;J·穆尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该RFIC包括开关场效应晶体管(FET)，该FET包括源极区、漏极区、体区和栅极。该RFIC还包括耦合在栅极与体区之间的体旁路电阻器(Rb)。该RFIC还包括耦合在栅极与体区之间的栅极隔离电阻器(Rg)。该RFIC还包括耦合在体旁路电阻器与栅极隔离电阻器之间的二极管。
电流旁路电阻器

[发明专利]校正用于二极管连接式晶体管的栅极偏置的方法和装置-CN201911216693.7在审
发明人： G·W·柯林斯 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请公开了校正用于二极管连接式晶体管的栅极偏置的方法、系统和装置。一种示例系统包括：第一电阻器(110)，其包括第一电阻器端子和第二电阻器端子；第二电阻器(120)，其包括第一电阻器端子和第二电阻器端子；第一晶体管(102)，其包括电流端子(106)和栅极端子(104)，第一晶体管(102)的电流端子(106)耦合至第一电阻器(110)的第一电阻器端子，并且第一晶体管(102)的栅极端子(104)耦合至第一电阻器(110)的第二电阻器端子；以及第二晶体管(112)，其包括第一电流端子(116)和第二电流端子(118)，第二晶体管(112)的第一电流端子(116)耦合至第一晶体管(102)的栅极端子(104)，并且第二晶体管(112)的第二电流端子(118)耦合至第二电阻器
校正用于二极管连接晶体管栅极偏置方法装置

[实用新型]用于驱动功率开关的栅极驱动器电路-CN201521145512.3有效
发明人： T·A·策尔斯;A·J·马里库尔贝罗;M·加西亚克莱门特 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：公开了一种用于驱动功率开关的栅极驱动器电路。所述栅极驱动器电路包括耦合至所述功率开关的电阻器网络。所述电阻器网络包括多个电阻器。所述栅极驱动器电路进一步包括操作地耦合至所述电阻器网络的控制单元。所述控制单元被配置为控制所述电阻器网络，以使在所述功率开关被转变为第一状态时，所述电阻器网络在延迟阶段、换向阶段和饱和阶段中的至少两个中提供不同的电阻值。
用于驱动功率开关栅极驱动器电路

[发明专利]采用伪栅极去除的集成电路电阻器制造-CN201210133069.2有效
发明人：柯俊宏;陈志辉;王世维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：提供了制造半导体器件的方法，该半导体器件包括金属栅极晶体管和电阻器。一种方法包括：提供衬底，该衬底包括晶体管器件区和隔离区；在晶体管器件区上方形成伪栅极以及在隔离区上方形成电阻器；以及用掺杂剂注入电阻器。该方法还包括：湿法蚀刻伪栅极以去除伪栅极；以及然后在晶体管器件区上方形成金属栅极从而替换伪栅极。本发明提供了采用伪栅极去除的集成电路电阻器制造。
采用栅极去除集成电路电阻器制造

[发明专利]半导体功率转换设备的集成栅极电阻器-CN201880032639.4在审
发明人：彼得·阿尔默恩·洛斯;亚历山大·维克托罗维奇·博洛特尼科夫 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：一种半导体功率转换设备，包括在有源区域的不同部分中的多个器件单元，每个器件单元包括各自的栅极电极。该设备包括具有多个集成电阻器的栅极垫，每个集成电阻器具有各自的电阻。该设备包括在在栅极垫和有源区域的第一部分中多个栅极电极之间延伸的第一栅极总线。第一区域的多个栅极电极通过第一集成电阻器和第一栅极总线电连接到外部栅极连接，并且其中有源区域的第二部分中的多个栅极电极通过第二集成电阻器电连接到外部栅极连接，其中第一和第二集成电阻器具有完全不同的各自的电阻值
半导体功率转换设备集成栅极电阻器

[发明专利]基于栅极材料的电容器和电阻器结构及其形成方法-CN202180006558.9在审
发明人：神馆北斗;小川裕之;岩田大;藤乡光弘 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容器或电阻器结构，其中的至少一者可通过将栅极介电层图案化成栅极电介质并且图案化成第一节点电介质或第一电阻器隔离电介质，并且通过将半导体层图案化成栅极电极并且图案化成电容器或电阻器条带的第二电极而与场效应晶体管的形成同时形成然后将触点形成到该电容器或电阻器结构。在图案化该电容器或电阻器触点之前，可在该栅极电极上形成侧壁间隔物以减小对该下面电容器或电阻器层的损坏。
基于栅极材料电容器电阻器结构及其形成方法

[发明专利]具有减小的开关响应延迟的射频开关电路和设备-CN201811266950.3有效
发明人：赵炳学;白铉;金正勋 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H03K17/28 文献下载
摘要：本公开提供一种具有减小的开关响应延迟的射频开关电路和设备，所述射频开关电路包括：开关电路，包括连接在第一端子与第二端子之间的多个开关晶体管；栅极电阻器电路，包括多个栅极电阻器，所述多个栅极电阻器中的每个具有连接到所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极的第一节点；以及栅极缓冲器电路，包括多个栅极缓冲器，所述多个栅极缓冲器中的每个连接到所述多个栅极电阻器中的相应一个的第二节点，其中，所述多个栅极缓冲器中的每个被配置为通过所述多个栅极电阻器中的相应一个向所述多个开关晶体管中的相应一个的栅极提供第一栅极信号
具有减小开关响应延迟射频开关电路设备

[发明专利]用于具有小输出毛刺的数字步进衰减器的装置和方法-CN201580031118.3有效
发明人： J.H.乔;Y.崔;B.阿加瓦尔 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H04L25/06 文献下载
摘要：本文提供了用于数字步进衰减器的装置和方法。在某些配置中，DSA包括多个DSA级，其可以使用多个开关电路设置在衰减模式或旁路模式中。多个开关电路中的第一开关电路包括场效应晶体管(FET)开关、栅极电阻器、一个或多个栅极电阻器旁路开关和脉冲产生电路。栅极电阻器电连接在开关控制输入和FET开关的栅极之间，并且开关控制输入可以被提供开关控制信号以接通或关断FET开关，响应于检测到开关控制信号的上升沿和/或下降沿，脉冲产生电路可以控制一个或多个栅极电阻器旁路开关以旁路栅极电阻器
用于具有输出毛刺数字步进衰减器装置方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条