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[发明专利]减少用于在召回操作期间从存储介质访问数据的流逝时间-CN201480057076.6有效
发明人： K·D·巴特;P·M·格雷科;J·M·卡普;片桐隆司 -专利权人： 格罗方德公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种带驱动包括驱动缓冲器、处理器以及与处理器集成和/或可由处理器执行的逻辑，该逻辑被配置为促使处理器：接收列表，该列表包括：在带介质上记录的用户数据段，其中根据预定次序在列表中布置用户数据段，以及与每个用户数据段关联的信息，其中该信息包括对用户数据段中的每个用户数据段在带介质上的物理位置的描述。该逻辑还被配置为促使处理器根据列表中的次序对带介质上的用户数据段中的每个用户数据段进行定位，根据列表中的次序从带介质读取用户数据段中的每个用户数据段，并且根据列表中的次序向缓冲器写入用户数据段中的每个用户数据段。
减少用于召回操作期间存储介质访问数据流逝时间

[发明专利]有自对准端子的双极结型晶体管-CN201480060843.9有效
发明人： J·J·贝诺伊特;J·R·埃里奥特;P·B·格雷;A·J·乔瑟夫;刘奇志;C·R·威勒茨 -专利权人： 格罗方德公司
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：用于双极结型晶体管的器件结构、设计结构和制作方法。在包含双极结型晶体管的第一端子的衬底上设置由第一半导体材料组成的第一层和由第二半导体材料组成的第二层。在第一层上设置第二层并且在第二层上形成图案化的蚀刻掩模。沟槽经过图案化的硬掩模层、第一层和第二层延伸到衬底中。沟槽限定与第二层的分段堆叠的第一层的分段。使用选择性蚀刻工艺以相对于第一层的分段使得第二层的分段变窄以限定第二端子并且加宽衬底中的沟槽的部分以下切第一层的分段。
对准端子双极结型晶体管

[发明专利]使用自然语言处理进行的规则执行-CN201480037481.1在审
发明人： E·伍兹;C·O·艾伦;S·R·卡里尔 -专利权人： 格罗方德公司
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：使用条款规则文件限定了可由使用者使用计算设备来实施的允许的行为。基于自然语言处理(NLP)的问答(Q&A)系统被训练成能理解该规则文件。所述设备包括与Q&A系统进行交互以识别规则违反行为的管理应用。当使用者在所述设备上实施一个行为时，所述应用将该行为转换为被提交给Q&A系统的NLP提问，以确定该行为是否构成违规。该提问可伴随有与所述使用者、设备或其状态相关联的元数据。一旦接收到所述提问和任何相关的元数据，Q&A系统确定使用者的行为是否遵守了所述规则，并返回答复。基于该答复，使用者的计算设备可采取一执行行为，比如限制或禁止功能或者发出警告。
使用自然语言处理进行规则执行

[实用新型]精密多晶硅电阻器结构及集成电路-CN201320870763.2有效
发明人： P·蒙塔尼尼;G·利克;B·H·恩格尔;R·M·米勒;J·Y·金 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司;三星电子株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型的实施例公开了一种精密多晶硅电阻器结构及集成电路。使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，使得保护绝缘层可以在用金属栅极随后替换牺牲栅极期间覆盖电阻器。使用这样的工艺来制作的精密多晶硅电阻器的最终结构比为具有金属栅极晶体管的集成电路提供金属电阻器的现有结构更紧凑并且复杂性更少。另外，可以通过向多晶硅膜注入掺杂物、调整多晶硅膜厚度或者二者来自由调节精密多晶硅电阻器至具有所需薄片电阻。
精密多晶电阻器结构集成电路

[发明专利]精密多晶硅电阻器-CN201310726298.X在审
发明人： P·蒙塔尼尼;G·利克;B·H·恩格尔;R·M·米勒;J·Y·金 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司;三星电子株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，使得保护绝缘层可以在用金属栅极随后替换牺牲栅极期间覆盖电阻器。使用这样的工艺来制作的精密多晶硅电阻器的最终结构比为具有金属栅极晶体管的集成电路提供金属电阻器的现有结构更紧凑并且复杂性更少。另外，可以通过向多晶硅膜注入掺杂物、调整多晶硅膜厚度或者二者来自由调节精密多晶硅电阻器至具有所需薄片电阻。
精密多晶电阻器

[实用新型]半导体装置-CN201320689210.7有效
发明人：牛成玉;A·H·西蒙;T·博洛姆 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本实用新型的一些实施例涉及一种半导体装置，包括：在电介质层中形成的沟槽；对所述沟槽进行加衬的第一扩散阻挡层；对所述沟槽进行加衬的第一保形金属衬垫层；对所述沟槽进行加衬的第二扩散阻挡层；对所述沟槽进行加衬的金属种子层；以及填充所述沟槽的金属填充。
半导体装置

[发明专利]用于互连结构的夹入式扩散阻挡和金属衬垫-CN201310533923.9无效
发明人：牛成玉;A·H·西蒙;T·博洛姆 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在电介质层中开出沟槽。然后利用夹入式的扩散阻挡和金属衬垫结构对沟槽进行加衬。夹入式的扩散阻挡和金属衬垫结构包括夹在第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层之间的保形金属衬垫层。金属种子层至少是轻掺杂的。然后通过利用金属填充材料进行电镀来填充加衬的沟槽。然后在金属填充的沟槽上方沉积电介质帽层。然后使来自掺杂的金属种子层的掺杂剂迁移到金属填充的沟槽与电介质帽层之间的界面，以形成自对准金属帽。
用于互连结构夹入扩散阻挡金属衬垫