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[发明专利]非挥发性存储器、非挥发性存储器阵列及其制造方法-CN200410092213.8无效
发明人：许正源;洪至伟;宋达 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-03 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器，由基底、多个堆栈栅极结构、间隙壁、多个控制栅极、多个浮置栅极、栅间介电层、穿隧介电层与源极区/漏极区所构成。各堆栈栅极结构从基底起依序为选择栅极介电层、选择栅极与顶盖层。间隙壁位于堆栈栅极结构侧壁。控制栅极位于基底上，填满堆栈栅极结构之间的间隙，且彼此连接在一起。浮置栅极位于堆栈栅极结构之间，且位于控制栅极与基底之间。栅间介电层位于控制栅极与浮置栅极之间。穿隧介电层位于浮置栅极与基底之间。源极区/漏极区分别位于最外侧的两堆栈栅极结构一侧的基底中。
挥发性存储器阵列及其制造方法

[发明专利]快闪存储单元及其制造方法-CN200410089721.0无效
发明人：杨青松;翁伟哲 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-02 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种快闪存储单元，其由井区、深井区、栅极堆栈结构、源极区、漏极区、选择栅极、栅介电层、浅掺杂区、深掺杂区与导电插塞所构成。其中，深井区配置在基底中，且井区配置在深井区中。栅极堆栈结构配置在基底上。源极区与漏极区分别配置在栅极堆栈结构两侧的基底中。选择栅极配置在栅极堆栈结构与源极区之间，且位于栅极堆栈结构的侧壁与部分的基底上。栅介电层配置在选择栅极与栅极堆栈结构及基底之间。浅掺杂区配置在栅极堆栈结构与选择栅极下方的基底中。深掺杂区配置在栅极堆栈结构一侧边的基底中。导电插塞配置在基底上，且向下延伸穿过漏极区与部分的深掺杂区。深井区配置在基底中，且井区配置在深井区中。
闪存单元及其制造方法

[发明专利]PMOS设备的晚原位掺杂硅锗接合-CN201310202981.3有效
发明人： J·亨治尔;S·Y·翁;S·弗莱克豪斯基;T·沙伊普 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2013-05-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：实施例包含形成第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈于基板上、形成氮化物衬垫及氧化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧、于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的各侧执行晕/延伸植入、形成氧化物衬垫及氮化物间隙壁于各该第一及第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的该氧化物间隙壁上；形成深源极/漏极区域在该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；形成氧化物硬掩模于该第二高介电常数金属栅极栅极堆栈之上；形成嵌入式硅锗于该第一高介电常数金属栅极栅极堆栈的相反侧上；以及移除该氧化物硬掩模。
pmos 设备原位掺杂接合

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法以及其操作方法-CN200510065602.6无效
发明人：翁伟哲;杨青松;卓志臣 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：至少二栅极堆栈结构配置在基底上。口袋掺杂区配置于栅极堆栈结构的外侧边的基底中，各个口袋掺杂区延伸至栅极堆栈结构下方。漏极区配置于栅极堆栈结构的外侧边的口袋掺杂区中。辅助栅极层配置于此二栅极堆栈结构之间的基底上。栅介电层配置于辅助栅极层与基底之间以及辅助栅极层与栅极堆栈结构之间。导电插塞配置在基底上，且向下延伸连接口袋掺杂区及其中的漏极区。
挥发性存储器及其制造方法操作方法

[发明专利]PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合-CN201310205234.5在审
发明人： J·亨治尔;S·Y·翁;S·弗莱克豪斯基;T·沙伊普 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及PMOS设备的中原位掺杂硅锗接合，提供一种具有PMOS嵌入式硅锗源极/漏极区的高介电常数金属栅极(HKMG)装置。本发明的实施例包含形成第一及第二HKMG栅极堆栈于基板上，该堆栈各自包含有二氧化硅盖、形成延伸区于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、形成氮化物衬垫以及氧化物衬垫于HKMG栅极堆栈的各侧上；形成硬掩模于该第二HKMG栅极堆栈上方；形成嵌入式硅锗于该第一HKMG栅极堆栈的相对侧、移除该硬掩模、形成共形的衬垫以及氮化物间隔于各该第一及第二HKMG栅极堆栈的氧化物间隔上，以及形成深源极/漏极区于该第二HKMG栅极堆栈的相对侧
pmos 设备原位掺杂接合

[发明专利]一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构-CN202210766713.3在审
发明人：秦来香;魏益群;何进;李春来;王秀梅;胡国庆;岳玉涛 -专利权人：深港产学研基地（北京大学香港科技大学深圳研修院）;北京大学深圳研究院
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构，包括衬底、半导体浅沟槽隔离层、第一金属栅极、介电层、铁电层、第一纳米片堆栈部、第二纳米片堆栈部和第二金属栅极，第一金属栅极和第二金属栅极的底端均嵌入安装衬底，且衬底上设置有半导体浅沟槽隔离层；第二金属栅极位于第一金属栅极的两端；第一金属栅极和第二金属栅极上均匀的插接有第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部；第一纳米片堆栈部分布在第二纳米片堆栈部的两侧，第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部互不相连；第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部的外部均沉积有介电层；该结构；对降低器件的动态功耗，提高器件的工作速度，增加其工作频率具有深远的意义。
一种降低寄生电容纳米带环晶体管器件结构

[发明专利]非挥发性存储器的制造方法-CN200510065599.8无效
发明人：毕嘉慧 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：于第二介电层上形成多个堆栈栅极结构，其中多个堆栈栅极结构各自包括第一栅极与顶盖层，且相邻两堆栈栅极结构之间具有一间隙。于第一栅极侧壁上形成氧化层，并移除未被堆栈栅极结构覆盖的第二介电层。于基底上形成第三介电层，并覆盖堆栈栅极结构。于基底上形成第二导体层。移除部分第二导体层，以于栅极结构之间的间隙中形成多个第二栅极，第二栅极与堆栈栅极结构构成存储单元列。
挥发性存储器制造方法

[发明专利]半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置-CN201510179812.1有效
发明人：李敏;吴永玉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法，其包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成栅极堆栈，并在所述栅极堆栈四周形成间隙壁；进行局部曝光，以定义要进行局部互连的栅极区域；形成覆盖所述栅极堆栈和间隙壁的光刻胶层，并对所述光刻胶层进行局部刻蚀以去除要进行局部互连的栅极区域内的间隙壁；在半导体衬底和栅极堆栈上沉积多晶硅膜层；刻蚀多晶硅膜层，以保留用于局部互连的多晶硅膜层，并去述多晶硅膜层的其余部分，其中，沿栅极堆栈方向，要进行局部互连的区域相对用于局部互连的多晶硅膜层具有一定延伸；在露出的部分栅极堆栈上形成硅化物，栅极堆栈与所述用于局部互连的多晶硅膜层通过硅化物连接。本发明提出的半导体器件的制作方法，所述栅极堆栈与用于局部互连的所述多晶硅膜层通过所述硅化物连接，因而具有较低的接触电阻。
半导体器件制作方法电子装置

[发明专利]利用反梯形栅极结构形成轻掺杂漏极的方法-CN02130543.9无效
发明人：蔡孟锦;金平中 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2002-08-14 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明是提供一种利用反梯形栅极结构形成轻掺杂漏极的方法，其是在一基底表面形成一栅氧化层与多晶硅层的栅极堆栈结构后，利用蚀刻技术蚀刻栅极堆栈结构，以形成一顶边宽底边窄的反梯形结构，利用该栅极堆栈结构为屏蔽，进行一浅离子掺杂的垂直植入步骤，在栅极堆栈结构两侧的基底中形成一浅离子掺杂区，在后续的热制程中，浅离子掺杂区将横向扩散至栅极堆栈结构的底边周缘下方的基底，以形成轻掺杂漏极结构。故确保栅极堆栈结构下方的信道长度，藉此保留栅极下方的信道距离，减少多晶硅栅极与浅掺杂区的电容，并可防止源极与漏极产生击穿效应，使得当组件尺寸缩小的情况下，仍可保持组件的特性，提升产品的合格率。
利用梯形栅极结构形成掺杂方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法以及其操作方法-CN200510065579.0无效
发明人：翁伟哲;杨青松;卓志臣 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：至少二栅极堆栈结构配置在基底上。漏极区配置于栅极堆栈结构的外侧边的浅井区中。辅助栅极层配置于此二栅极堆栈结构之间的基底上，且向下延伸穿过部分的基底。栅介电层配置于辅助栅极层与基底之间以及辅助栅极层与栅极堆栈结构之间。导电插塞配置在基底上，且向下延伸连接浅井区以及位于其中的漏极区。
挥发性存储器及其制造方法操作方法

[发明专利]非挥发性存储单元及其制造方法-CN200510067465.X有效
发明人：李自强 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-04-25 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种非挥发性存储单元，此非挥发性存储单元由基底、栅极堆栈层、绝缘层与导电层所构成。其中，栅极堆栈层配置在基底上，此栅极堆栈层由基底依序为穿隧层、电荷陷入层、阻挡层与控制栅极层，而且栅极堆栈层中具有开口贯穿这些膜层。此外，绝缘层配置在开口表面。
挥发性存储单元及其制造方法

[发明专利]处理栅极结构的方法-CN200410073925.5有效
发明人：王铭芳;侯拓宏;麦凯玲;姚亮吉;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-09-06 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种处理栅极结构的方法，以改善电效能特性，此栅极结构包括高介电常数栅极堆栈介电层，此处理栅极结构的方法包括提供一栅极堆栈介电层于硅基底上，此栅极堆栈介电层包括一二元(binary)氧化物；形成一多晶硅层于上述栅极堆栈介电层上；进行微影图案化与蚀刻以形成一栅极结构；以及对上述栅极结构进行至少一电浆处理，此电浆处理包括一电浆源气体是择自于氢气、氮气、氧气与氨气所组成的族群中。
处理栅极结构方法

[发明专利]存储器的制作方法、存储器及存储器系统-CN202210021158.1在审
发明人：吴林春 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：存储器及存储器系统，该存储器的制作方法包括：在衬底上形成第一停止层；在该第一停止层中形成凹槽，该凹槽贯穿该第一停止层并延伸至该衬底内；在该第一停止层上形成第二停止层，该第二停止层覆盖该凹槽的内壁；在该第二停止层上形成堆栈层，该堆栈层中形成有贯穿该堆栈层且延伸至该衬底内的存储沟道结构；在该堆栈层中形成栅极缝隙，该栅极缝隙贯穿该堆栈层和该凹槽内的该第二停止层，并延伸至该衬底内；在该堆栈层中形成栅极结构，并在该栅极缝隙中形成栅极缝隙结构，从而能在栅极置换工艺中防止第一停止层发生翘起，进而避免堆栈层发生鼓包现象，有利于栅极材料的填充均匀性，提高了栅极的导电性能。
存储器制作方法系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910470606.4在审
发明人：成明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的分立的堆栈栅极结构以及选择栅极，所述堆栈栅极结构和选择栅极的侧壁上形成有侧墙层；形成覆盖所述堆栈栅极结构和选择栅极的层间介质层；刻蚀所述堆栈栅极结构和选择栅极之间的所述层间介质层，或者刻蚀所述层间介质层和侧墙层，形成开口；在所述开口中形成低K介电层。与所述层间介质层和侧墙层相比，所述低K介电层的介电常数较低，根据电容的计算公式C＝εS/d可知，当所述介电常数降低时，堆栈栅极结构和选择栅极之间的电容耦合效应降低，有利于降低编程电压和抹除电压，提高编程效率和抹除效率
半导体结构及其形成方法

[发明专利]多阶分离栅极快闪存储器-CN200410092212.3无效
发明人：洪至伟;郭辉宏 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-03 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种多阶分离栅极快闪存储器，此快闪存储器由基底、存储单元列、拟选择栅极、源极区与漏极区所构成。而且，此存储单元列由多个存储单元串连而成，且各个存储单元至少包括堆栈栅极结构与选择栅极。各个存储单元的堆栈栅极结构配置于基底上。选择栅极配置于堆栈栅极结构的一侧壁。拟选择栅极配置于存储单元列的一侧，且与存储单元列最末端的存储单元的堆栈栅极结构侧壁邻接。源极区与漏极区分别配置于拟选择栅极与存储单元列侧边的基底中。
分离栅极闪存

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