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[发明专利]多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备-CN202010663553.0有效
发明人：翟玉卫;郑世棋;李灏;丁晨;丁立强;韩伟;荆晓冬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备，该方法包括：获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升，并根据各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值；其中，多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到；获取多指栅型晶体管的平均温升；其中，多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对多指栅型晶体管进行结温测量得到的；根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升；基于各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。本发明提供的多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备能够提高多指栅型晶体管热阻测试的准确性。
多指栅型晶体管测试方法装置终端设备

[发明专利]一种多栅指GaN HEMTs-CN201110229091.2有效
发明人：王建辉;刘新宇;王鑫华;庞磊;袁婷婷 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种多栅指GaN HEMTs，属于半导体器件技术领域。该多栅指GaN HEMTs的栅指分为等温栅指和变温栅指，等温栅指的各个栅指之间的距离为变温栅指的各个栅指之间的距离为L_gg，OUT，i＝L_gg，IN+a(4i³+3i²+i)。在上述基础上对GaN HEMTs的各个栅指位置进行设计，使得其在工作时，温度最高的栅指的温度降低，即GaN HEMTs的沟道温度降低，提高了GaN HEMTs的输出功率，延长了GaN HEMTs的工作寿命
一种多栅指 gan hemts

[发明专利]整体点阵反射加权的声表面波谐振器-CN201710012685.5有效
发明人：游瑞煌 -专利权人：广东斐瑞智能技术有限公司
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供一种整体点阵反射加权的声表面波谐振器，包括压电基片，在所述压电基片上溅射金属叉指换能器和反射栅，所述反射栅包括分别设置在金属叉指换能器左右两侧的第一短路栅和第二短路栅，所述第一短路栅和第二短路栅在所述金属叉指换能器左右两侧对称分布，在所述金属叉指换能器的假指与相邻电极之间、第一短路栅的相邻栅条之间和第二短路栅的相邻栅条之间分别设置金属点阵。本发明的有益效果是在金属叉指换能器的假指以及第一短路栅和第二短路栅上设置金属加权点阵,可降低由于金属叉指换能器和反射栅反射引起的旁峰干扰，提高SAW谐振器的频率响应性能。
整体点阵反射加权表面波谐振器

[发明专利]多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极-CN201810845865.6有效
发明人：韩婷婷;冯志红;吕元杰;敦少博;顾国栋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种多栅指电极的电子束光刻方法及多栅指电极。多栅指电极的电子束光刻方法包括：在基片表面涂覆电子束光刻胶；根据版图图形对涂覆电子束光刻胶后的基片进行电子束曝光处理；其中，所述版图图形包括连接臂图形、多个并排排列的栅指图形和至少两个虚拟栅指图形，所述连接臂图形与各个栅指图形的一端连接，所述虚拟栅指图形分别设置在最外侧两个栅指图形的外侧，且所述虚拟栅指图形与所述连接臂图形相隔预设间隔；对电子束曝光处理后的基片进行显影处理。本发明能够制备尺寸均匀的多栅指电极，提高器件的可靠性。
多栅指电极电子束光刻方法

[实用新型]一种直流暂冲式跨声速风洞的流场精确控制系统-CN201921965728.2有效
发明人：张军强;易家宁;刘广宇;鲁文博;王争取;刘斌;马莹;高琦 -专利权人：中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01M9/04 文献下载
摘要：一种直流暂冲式跨声速风洞的流场精确控制系统属于风洞试验技术领域；现有设备出现故障不能及时进行制动；本系统包括控制中心计算机、攻角控制计算机、栅指控制器、流场控制器、栅指驱动设备和调压阀电液系统；栅指驱动设备包括栅指装置，栅指装置包括栅指段设置在风洞超扩段二喉道上下壁板处，为两组，每组栅指段包括6个翼型栅指指片，每组栅指段分别固定在上下两个栅指小车上，栅指小车设置有4列直线导轨，伺服电缸设置有线位移传感器；从而达到直流暂冲式跨声速风洞的流场精确控制马赫数的目的
一种直流暂冲式跨声速风洞精确控制系统

[发明专利]一种直流暂冲式跨声速风洞的流场精确控制系统及控制方法-CN201911114008.X在审
发明人：张军强;易家宁;刘广宇;鲁文博;王争取;刘斌;马莹;高琦 -专利权人：中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： G01M9/04 文献下载
摘要：一种直流暂冲式跨声速风洞的流场精确控制系统及控制方法属于风洞试验技术领域；现有设备出现故障不能及时进行制动；本系统包括控制中心计算机、攻角控制计算机、栅指控制器、流场控制器、栅指驱动设备和调压阀电液系统；栅指驱动设备包括栅指装置，栅指装置包括栅指段设置在风洞超扩段二喉道上下壁板处，为两组，每组栅指段包括6个翼型栅指指片，每组栅指段分别固定在上下两个栅指小车上，栅指小车设置有4列直线导轨，伺服电缸设置有线位移传感器；从而达到直流暂冲式跨声速风洞的流场精确控制马赫数的目的；本方法通过对栅指采用PID控制加前馈控制的控制方式以及对流场的优化控制，解决了1.0≤M≤1.2范围内的马赫数控制精度问题。
栅指风洞流场驱动设备控制器马赫数冲式小车控制中心计算机位移传感器壁板电液系统风洞试验攻角控制精度问题控制方式控制系统前馈控制伺服电缸现有设备优化控制直线导轨调压阀对流场对栅喉道两组翼型制动计算机

[发明专利]一种栅指式畸变发生器-CN202010790070.7有效
发明人：曹永飞;李家宏;王旭东;赵振山;杜羽 -专利权人：中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G01M15/00 文献下载
摘要：为解决现有畸变发生器的阻挡板形状单一且阻挡板的调节精度差的不足，本发明提供了一种栅指式畸变发生器，包括驻室、进气端管路、出气端管路、栅指组和调节控制机构，进气端管路和出气端管路安装在驻室上，栅指组安装在进气端管路和出气端管路之间的间隙内，栅指组与进气端管路和出气端管路的轴线垂直放置，调节控制机构安装在栅指组上，所述栅指组由多个栅指并排组成，每个栅指都可独立沿轴向移动。本发明通过调节控制机构使每根栅指可独立调节插入管路的长度，多个栅指组合可形成无数种轮廓构型，实现了对总压图谱的匹配，提高了对总压图谱模拟的精确性。
一种栅指式畸变发生器

[发明专利]一种多栅指AlGaN/GaNHETM小信号模型及其提参方法-CN201610824514.8在审
发明人：姜元祺 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种多栅指AlGaN/GaN HETM小信号模型及其提参方法，所述多栅指AlGaN/GaN HETM小信号模型包括寄生部分和本征部分；所述寄生部分包括适于表征多个栅指交叉及与旁侧源漏电极之间相互作用产生的栅指电容本发明针对高功率大电流的多栅指大尺寸器件，增设了栅指电容 Cpgi、Cpdi、Cgdi，来表征由于多个栅指交叉及与旁侧源漏电极之间的作用而产生额外的寄生电容效应，可以更精准的反映大尺寸器件特性，提高器件模型准确率
一种多栅指 algan ganhetm 信号模型及其方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210115399.2有效
发明人：田宇 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底以及位于衬底上的功能层，在功能层第一表面设置有源极、漏极和栅极；栅极包括栅极焊盘、栅条和多个栅指，栅条与栅极焊盘连接且在第一表面内朝向远离栅极焊盘的方向延伸，多个栅指分别与栅条连接，且每个栅指均在第一表面内朝向远离栅条方向延伸，多个栅指的延伸长度沿远离栅极焊盘的方向逐渐减小，能够通过改变单指栅宽的长度来实现多个栅指之间的电位平衡，提高漏极效率，降低发热量，同时，使得传输到各个栅指最远端的信号电位减小差异，基本保持一致，从而降低不同栅指在离栅极焊盘最远端的电位延迟。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]多指FET中的热管理-CN201710833146.8有效
发明人： R·R·诺顿 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本公开涉及多指FET中的热管理。本公开通过提供多栅指FET布置而在多栅指场效应晶体管(FET)中解决热问题，其中多个栅指之间的相应距离沿着器件被调制，使得在器件的中间或朝向器件的中间的栅指之间的距离大于在器件的边缘或朝向器件的边缘的栅指之间的距离通过在位于在器件的中间或朝向器件的中间的栅指之间设置更大的距离，然后获得改进的热管理性能，并且器件作为整体保持比其他情况更冷，这是与器件寿命相关的改进。
多指 fet 中的管理

[发明专利]半导体器件-CN200810213904.7无效
发明人：安正豪 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在有源区的周围形成栅电极、源电极和漏电极。多个栅指从栅电极分叉至沟道区中。多个源指从源电极分叉至源区中，源指以预定的图样布置于栅指之间，并具有至少两根通过至少一根栅格线相互连接的指线。多个漏指从漏电极分叉至漏区中，这些漏指布置于其中没有布置源指的栅指之间。
半导体器件

[实用新型]金属点阵加权栅阵的声表面波谐振器-CN201320307230.3有效
发明人：李强;黄铁辉 -专利权人：中科微声（天津）传感技术有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本实用新型金属点阵加权栅阵的声表面波谐振器，包括压电基片，所述压电基片上溅射金属叉指换能器和金属栅阵，所述金属栅阵包括分别设置在所述金属叉指换能器左右两侧的反射栅，将左侧的反射栅称作第一反射栅，将右侧的反射栅称作第二反射栅，所述第一反射栅和第二反射栅组成的金属栅阵在所述金属叉指换能器左右两侧对称分布；所述第一反射栅和第二反射栅分别包括多根指条，在所述第一反射栅和第二反射栅的相邻指条间设置金属点阵，对反射栅阵进行加权。
金属点阵加权表面波谐振器

[实用新型]空位加权栅阵的声表面波谐振器-CN201320307460.X有效
发明人：李强;黄铁辉 -专利权人：中科微声（天津）传感技术有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本实用新型空位加权栅阵的声表面波谐振器，包括压电基片，所述压电基片上溅射金属叉指换能器和金属栅阵，所述金属栅阵包括分别设置在所述金属叉指换能器左右两侧的反射栅，将左侧的反射栅称作第一反射栅，将右侧的反射栅称作第二反射栅，所述第一反射栅和第二反射栅组成的金属栅阵在所述金属叉指换能器左右两侧对称分布；所述第一反射栅和第二反射栅分别包括多根指条，在所述第一反射栅和第二反射栅的指条上设置空位。本实用新型空位加权栅阵的声表面波谐振器能消除高阶横波模式对谐振器频率特性的影响，提高SAW谐振器的频率响应性能。
空位加权表面波谐振器

[实用新型]一种栅指式畸变发生器-CN202021630626.8有效
发明人：曹永飞;李家宏;王旭东;赵振山;杜羽 -专利权人：中国航空工业集团公司沈阳空气动力研究所
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G01M15/00 文献下载
摘要：为解决现有畸变发生器的阻挡板形状单一且阻挡板的调节精度差的不足，本实用新型提供了一种栅指式畸变发生器，包括驻室、通气管路、栅指组和调节控制机构，通气管路安装在驻室上，通气管路中间开有间隙，栅指组安装在通气管路的间隙内，栅指组与通气管路的轴线垂直放置，调节控制机构安装在栅指组上，栅指组由多个栅指并排组成，调节控制机构包括伺服电机、同步齿轮、同步带、离合齿轮组和锁止装置。本实用新型通过调节控制机构使每根栅指可独立调节插入管路的长度，多个栅指组合可形成无数种轮廓构型，实现对总压图谱的匹配，提高了对总压图谱模拟的精确性。
一种栅指式畸变发生器

[发明专利]GaN FinFET器件及其制备方法-CN202310645611.0在审
发明人：郁发新;莫炯炯;开翠红 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN FinFET器件及其制备方法，在所述栅指的外围形成所述P型NiO层，使得所述P型NiO层与所述GaN沟道层在接触界面处形成耗尽区，以缩短所述栅指的有效宽度，从而通过电荷控制，使载流子远离被刻蚀的所述栅指的侧壁，避免了所述栅指的侧壁造成的载流子散射，同时在原有所述栅指的物理尺寸的基础上进一步缩减了所述栅指的有效宽度，从而使得GaN FinFET器件在工艺上、结构上和性能上均得以优化提升。
gan finfet 器件及其制备方法

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