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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电机、泵及清洗装置-CN201510324202.6有效
发明人：李越;李敏;周垂有;刘宝廷;王勇;张玮;张小林 -专利权人：德昌电机（深圳）有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H02K21/14 文献下载
摘要：定子磁芯具有相对而设的一对极部和连接所述极部的轭部，每一极部具有与转子相对的极弧面，极弧面与转子之间形成气隙；该对极部具有彼此相对间隔而设的周向端部，所述周向端部之间的距离与所述极弧面与转子之间的最小气隙的宽度之间的比值小于
电机清洗装置

[发明专利]图像系统及其运作方法-CN201610404557.0有效
发明人：彭桂莉;涂瑞玲;郑丽玲 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种双极结晶体管像素电路，包含双极结晶体管、光电二极管、第一储存电容以及第二储存电容。所述第一储存电容用以于所述光电二极管的第一曝光时间内经由所述双极结晶体管放电至第一输出电压。所述第二储存电容用以于所述光电二极管的第二曝光时间内经由所述双极结晶体管放电至第二输出电压。
结晶体像素电路图像系统及其运作方法

[发明专利]具有埋层的半导体装置-CN201510458067.4有效
发明人：张宇瑞;林正基 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有埋层的半导体装置，该半导体装置，包括一基板、一高电压阱、一源极区域、一漏极区域以及一埋层，基板具有一第一导电类型，高电压阱具有一第二导电类型，并设置于基板之中，源极区域设置于高电压阱之中，漏极区域设置于高电压阱之中，且沿着一第一方向与源极区域间隔开，埋层具有第二导电类型，并设置于源极区域与漏极区域之间的一区域之下。
具有半导体装置

[发明专利]激光系统以及调谐激光系统的输出功率的方法-CN201580049006.0有效
发明人： M.H.明德尔;J.L.弗兰克;J.J.阿洛尼斯;K.乌苏达;M.奥加塔 -专利权人：朗美通经营有限责任公司;株式会社天田集团
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：提供一种用于包括二极管组中所布置的激光二极管的激光系统的功率控制方法。每个二极管组包括所述激光二极管中的至少一个，并且具有最大功率。所述方法包括：操作所述二极管组中的第一二极管组，以输出第一功率；以及同时操作所述二极管组中的其它二极管组，以输出其它功率，所述其它功率中的至少一个与所述第一功率不同。
激光系统以及调谐输出功率方法

[发明专利]用于静电放电保护的半导体结构-CN201610541426.7有效
发明人：黄崇佑;邱厚荏;唐天浩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于静电放电保护的半导体结构，其包括一基板、一第一掺杂阱、一源极掺杂区域、一漏极掺杂区域以及一栅极结构。第一掺杂阱设置于基板内，且具有一第一导电型。源极掺杂区域设置于基板内，且具有一第二导电型，第二导电型与第一导电型相反。漏极掺杂区域设置于基板内，且具有第二导电型。栅极结构设置于基板上，且位于源极掺杂区域与漏极掺杂区域之间。栅极结构与源极掺杂区域分开。
用于静电放电保护半导体结构

[发明专利]半导体结构-CN200810213918.9有效
发明人：方国龙;杨智钧;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；一栅极，设置于该基板上；一绝缘层，设置于该基板上并覆盖该栅极；一图案化半导体层，设置于该绝缘层上；一源极与一漏极，设置于该图案化半导体层上；一保护层，覆盖该绝缘层、该源极与覆盖于该漏极的部分边界，露出部分该漏极；以及一像素电极，设置于该基板上并覆盖该漏极边界的该保护层，且与露出的该漏极电性连接。
半导体结构

[发明专利]像素电路以及使用该像素电路的发光显示器-CN200510126817.4有效
发明人：郭源奎 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-11-22 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种发光显示器，包括像素内的多个发光二极管。驱动电路被耦合到多个发光二极管并产生与数据电流相对应的、流经发光二极管的驱动电流。开关电路组件被耦合到多个发光二极管和驱动电路，并顺序将驱动电流从驱动电路传送到多个发光二极管。所述发光二极管顺序发光。当所有发光二极管发光时，形成一个帧。
像素电路以及使用发光显示器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510398142.2有效
发明人：李起洪;皮昇浩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，在衬底中定义了单元区和位于单元区两侧的接触区；第一源极层，形成在衬底之上；第二源极层，形成在第一源极层之上；加固图案，形成在第二源极层中；层叠结构，包括在第二源极层和加固图案之上相互交替层叠的导电层和绝缘层；沟道层，穿过层叠结构和第二源极层且电耦接至第二源极层；以及隔离绝缘图案，穿过导电层的至少一个顶部导电层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法-CN201710560564.4有效
发明人：吴政;李佳恩;臧雅姝;徐宸科 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种发光二极管芯片及其制作方法，依靠绝缘层将第一电连接层与第二电连接层彼此电绝缘，在绝缘层内设置附属发光二极管芯片结构，附属发光二极管芯片结构具有完整的外延序列，利用绝缘层在发光二极管芯片内构建良好的电流通道，通过串联原发光二极管和附属发光二极管，增强发光二极管芯片的出光效率。
一种发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]开关磁阻电机-CN201710310081.9有效
发明人：筒井隆裕 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H02K19/10 文献下载
摘要：开关磁阻电机具备：定子，其具有环状的定子铁心，该定子铁心沿周向形成有多极的齿部，且与轴线正交的截面轮廓为圆形；绕组，其卷绕于齿部；以及转子，其具有沿周向等间隔形成有多极的凸极部的转子铁心。凸极部的极数为5极×N、齿部的极数为6极×N，N为自然数。另外，凸极部具有周向两端的角部被切除而得到的倾斜面。
开关磁阻电机

[发明专利]半导体器件-CN201710353342.5有效
发明人：那须贤太郎 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2017-05-18 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：半导体层，其具有包含p型源极区域、p型漏极区域、所述p型源极区域与所述p型漏极区域之间的n型基体区域、和与所述n型基体区域相对的栅极电极的晶体管结构；设置于所述半导体层的恒压二极管，具有与所述p型源极区域连接的n型部和与所述栅极电极连接的p型部，所述晶体管结构和所述恒压二极管被做成一个芯片。
半导体器件

[发明专利]具有源极结构的三维存储设备和用于形成其的方法-CN201980001778.5有效
发明人：徐文祥;徐伟;黄攀;严萍;霍宗亮;周文斌;夏季 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：在一示例中，3D存储设备包括存储叠层、多个沟道结构和源极结构。存储叠层在衬底之上并且包括交错的多个导体层和多个绝缘层。多个沟道结构在存储叠层中垂直地延伸。源极结构在存储叠层中延伸。源极结构包括多个源极接触部，各源极接触部在各自的绝缘结构中，以及多个源极接触部中的两个邻近源极接触部互相导电地连接。
有源结构三维存储设备用于形成方法

[发明专利]声极以及用于影响声极的振动特性的方法-CN201880048636.X有效
发明人： S.米勒 -专利权人：申克索诺系统有限责任公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B06B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种超声波焊接装置的声极(218)，其带有具有声极头部(220)的声极体(224)，声极头部带有在声极头部的纵向上伸延的至少一个工作面(230)用于焊接或者说焊合和/或变形和/或切割至少一个金属焊接件，其中，声极头部沿着工作面具有彼此不同的横截面，使得声极头部的横截面在工作面的在端侧伸延的端部区域中大于在工作面的中间区域中。
以及用于影响振动特性方法

[发明专利]触控面板及其触控侦测电路-CN201810155446.X有效
发明人：廖敏男 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种触控面板及其触控侦测电路，其包含一栅极驱动电路、一源极驱动电路及一侦测电路。栅极驱动电路耦接多条栅极线，并输出多个栅极讯号至该些栅极线，且控制该些栅极讯号的转态。源极驱动电路耦接多条源极线。侦测电路耦接该些源极线或者该些源极线的部分源极线，侦测电路侦测所耦接的源极线的多个讯号于栅极讯号转态时的准位，而产生多个侦测讯号。
面板及其侦测电路

[发明专利]用于PMOS管的反向电流抑制电路-CN202110934157.1有效
发明人：沈华 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于PMOS管的反向电流抑制电路，包括栅极驱动单元，第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述栅极驱动单元使所述第一PMOS管栅极电位等于漏极电位，所述第一PMOS管处于反向电流抑制状态；包括衬底切换单元，所述第一PMOS管源极电位小于漏极电位时，所述衬底驱动单元将所述第一PMOS管衬底与漏极短接。本发明当PMOS管源极电位小于漏极电位时，可控制PMOS管工作反向电流抑制状态，有效保护PMOS管。
用于 pmos 反向电流抑制电路

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