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[发明专利]一种半导体蓝光激光器-CN202310424826.X在审
发明人：李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度本发明能够抑制压电极化效应，减轻量子限制Stark效应，提升电激射增益和增益均匀性，同时，抑制有源层的In组分涨落，降低激光器增益谱变宽，提升峰值增益，以及通过控制压电极化和自发极化梯度，提升InGaN
一种半导体激光器

[发明专利]利用金属电极测量极化率的高密度电法测量装置及其方法-CN201610983517.6有效
发明人：王平 -专利权人：珠海国勘仪器有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G01V3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金属电极测量极化率的高密度电法测量装置及其方法，该测量装置包括电法仪和高压直流供电装置，所述高压直流供电装置包括主控制器、隔离驱动电路和H桥电路，所述电法仪包括金属电极A、金属电极B采用高压直流供电装置和电法仪配合，不采用不极化电极测量极化率，操作方便，与传统激发极化法相比，具有探测效率高的优点；与现有技术采用极化电极测量极化率相比，消除供电电极对地质产生极化效应的误差，具有更高的准确性适用于对地球电阻率和极化率勘探。
利用金属电极测量极化高密度装置及其方法

[实用新型]利用金属电极测量极化率的高密度电法测量装置-CN201621206681.8有效
发明人：王平 -专利权人：珠海国勘仪器有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G01V3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种利用金属电极测量极化率的高密度电法测量装置，该测量装置包括电法仪和高压直流供电装置，所述高压直流供电装置包括主控制器、隔离驱动电路和H桥电路，所述电法仪包括金属电极A、金属电极B、金属电极采用高压直流供电装置和电法仪配合，不采用不极化电极测量极化率，操作方便，与传统激发极化法相比，具有探测效率高的优点；与现有技术采用极化电极测量极化率相比，消除供电电极对地质产生极化效应的误差，具有更高的准确性适用于对地球电阻率和极化率勘探。
利用金属电极测量极化高密度装置

[发明专利]雨雪环境下的目标全极化散射矩阵误差模型构建方法-CN202110409782.4在审
发明人：刘芳;白杨;吕鸣;侯浩浩 -专利权人：北京环境特性研究所
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G01S7/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种雨雪环境下的目标全极化散射矩阵误差模型构建方法、计算机设备及计算机可读存储介质，该方法包括：对雨雪环境进行极化效应分析，确定气象目标的反射对称性；构建雨雪环境下的传输矩阵；设置目标，确定测量系统自身引入的系统误差影响；在系统误差影响的基础上，结合传输矩阵，增加雨雪环境引入的环境误差影响，构建雨雪环境下目标全极化散射矩阵误差模型。本发明通过对雨雪环境及测量系统的误差分析，构建了目标全极化散射矩阵的测量误差模型。
雨雪环境目标极化散射矩阵误差模型构建方法

[发明专利]一种多相导电媒质的极化等效环装置和设计方法-CN202110835063.9有效
发明人：嵇艳鞠;邱仕林;马彬原;吴琼;于一兵;孟祥东;林君 -专利权人：吉林大学
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G01V3/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种多相导电媒质的极化等效环装置和设计方法，极化等效环装置由RC电路和线圈并联构成，其中RC电路包括1条感应支路和多条极化支路。极化支路条数与导电媒质相数相等。感应支路包括1个感应电阻，每条极化支路包括1个极化电阻和1个极化电容。基于GEMTIP模型计算待等效媒质的围岩电导率和每一相媒质的电导率、极化率和时间常数。根据围岩电导率确定感应电阻阻值；根据每一相媒质的电导率、极化率和时间常数计算对应极化支路的电阻电容值。线圈采用细导线绕制。本发明的目的在于通过极化等效环装置模拟多相导电媒质的感应‑极化特性，反映地下媒质在磁场激励下的感应‑极化效应的规律。
一种多相导电媒质极化等效装置设计方法

[发明专利]一种变电站阀控式密封铅酸蓄电池剩余容量在线实时测量方法-CN201410760550.3在审
发明人：李秉宇;范辉;苗俊杰;潘瑾;陈晓东 -专利权人：国家电网公司;国网河北省电力公司电力科学研究院;河北省电力建设调整试验所
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种变电站阀控式密封铅酸蓄电池剩余容量在线实时测量方法，其步骤如下：1）建立变电站阀控式密封铅酸蓄电池的简化模型；2）考虑到蓄电池的剩余容量SOC对蓄电池的开路电压OCV的影响和蓄电池的极化效应，对上述简化模型公式进行修正，并通过实验方法获取所述变电站阀控式密封铅酸蓄电池的OCV－SOC曲线、充放电电阻和极化效应产生的电压变化值；3）在步骤2修正后模型基础上，分别以蓄电池的剩余容量SOC为状态向量和以蓄电池的端电压为观测向量建立状态方程和观测方程
一种变电站阀控式密封蓄电池剩余容量在线实时测量方法

[发明专利]非极性GaN基微型发光二极管及制备方法-CN202110060273.5在审
发明人：许晟瑞;张怡;许文强;张金风;彭利萍;张雅超;任泽阳;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种非极性GaN基微型发光二极管及其制备方法，主要解决现有极性GaN基微型发光二极管中由于极化效应的影响，导致发光效率不高的问题。本发明消除了由极化效应造成的不良影响，进而提升了器件的发光效率，可用来制作高亮度、高分辨率和高对比度的显示器。
极性 gan 微型发光二极管制备方法

[发明专利]一种增强型氮化镓基电子器件及其制备方法-CN202310594594.2在审
发明人：杨学林;郭富强;唐宁;孙真昊;陈正昊;吴俊慷;陈帅宇;沈波 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型氮化镓基电子器件及其制备方法，通过在GaN缓冲层生长完成后将栅极区域刻蚀为“V”型槽形成半极性面或非极性面，削弱GaN极化效应，并结合薄Al(In,Ga)N势垒层进一步降低残余极化效应
一种增强氮化电子器件及其制备方法

[发明专利]增强型半导体结构及其制作方法-CN202111275591.X在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，未在栅极上施加开启电压时，中间层会导致其上的第一势垒层无法产生极化效应，栅极区域无法产生二维电子气，从而可实现器件的常关；在栅极上施加开启电压时，栅极区域的第一势垒层可产生极化效应，
增强半导体结构及其制作方法

[发明专利]氮化物PN结肖特基二极管及制备方法-CN202310080426.1在审
发明人：薛军帅;李泽辉;吴冠霖;袁金渊;郭壮;李祖懋;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明利用氮化物材料极化效应形成垂直PN结，利用ScYAlN铁电极化效应提高反向耐压，降低了反向漏电，提高了击穿电压，可用于微波整流和功率开关电路。
氮化物 pn 结肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种高光效发光二极管外延片及其制备方法-CN202310167679.2有效
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：通过本申请可有效降低GaN外延层中的极化效应，减少量子阱层因极化效应造成电子与空穴发生空间分离。
一种高光效发光二极管外延及其制备方法

[实用新型]减缓极化效应且具有削弱变形的太阳能电池板-CN201520945963.9有效
发明人：张春晖 -专利权人：张春晖
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种减缓极化效应且具有削弱变形的太阳能电池板，乙烯-醋酸乙烯共聚物之间设有四氟乙烯－六氟丙烯－偏氟乙烯共聚物板，四氟乙烯－六氟丙烯－偏氟乙烯共聚物板由多个横板和多个竖板垂直交叉结合组成，整体设计新颖，具有减缓极化效应和具有削弱变形的功能。
减缓极化效应具有削弱变形太阳能电池板

[发明专利]一种抗PID效应的双面电池及其制备方法-CN202110116756.2在审
发明人：黄智;张林;张鹏;刘秋阳;李红飞;李宁;郑傲然;徐冠群;徐涛;翟绪锦;谢泰宏 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗PID效应的双面电池及其制备方法，属于电池制备技术领域。本发明的抗PID效应的双面电池的制备方法，采用原子层沉积或等离子增强原子层沉积方式在双面电池的背面氧化铝钝化层与背面氮化硅钝化及保护层之间生长一层氧化硅薄膜，从而可以在不影响氧化铝场钝化效果的基础上，有效阻挡碱金属离子进入硅片表面，降低了因碱金属离子引起的极化和腐蚀性的PID失效。同时，在氧化铝和氮化硅界面，还可以有效降低因氮化硅中K+中心引起的极化效应，降低氮化硅层引起的PID失效。
一种 pid 效应双面电池及其制备方法

[发明专利]一种双面电池单面封装用抗PID胶膜及制备方法-CN202110509987.X在审
发明人：徐炜琴;吕松;黄宝玉;张刚;季志超;杨求平;吴斌;吴丰华;刘俊;陈书亮 -专利权人：常州斯威克光伏新材料有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种双面电池单面封装用抗PID胶膜，按重量份计，包括100份乙烯‑醋酸乙烯基体树脂、0.1~1份抗极化助剂二氧化硅及0.05~7.1份其他助剂；所述抗极化助剂二氧化硅和所述其他助剂分散在所述乙烯该抗PID胶膜针对PID机理中的极化机理，用于p型电池的背面或者n型电池的正面，通过添加抗极化助剂二氧化硅，提高组件在双85及‑1500V偏压下的抗极化能力，改善功率衰减的问题。在高湿高压环境下，二氧化硅表面水合，电离，使得表面带负电，中和p型双面电池在负偏压作用下背面钝化层SiNx表面积累的正电荷，降低对电池片钝化层的破坏，从而抑制PID效应中的极化效应的产生，改善组件的PID
一种双面电池单面封装 pid 胶膜制备方法

[发明专利]一种设有电流诱导自旋极化层的半导体激光元件-CN202310129965.X在审
发明人：李水清;王星河;张敏;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔;韩霖 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有电流诱导自旋极化层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，电子阻挡层与上波导层之间和上限制层与电子阻挡层之间设有电流诱导自旋极化层；电流诱导自旋极化层在激光器注入电流条件下，受电场作用会产生沿电流路径方向的自旋极化效应，中和激光器内部的压电极化和自发极化场，减少量子限制stark效应，降低电子泄漏和载流子去局域化，提升峰值增益，同时
一种设有电流诱导自旋极化半导体激光元件