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[发明专利]信息处理装置、资源调度方法、资源调度程序-CN201010272182.X有效
发明人：大崎裕之;志贺阳子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2010-09-02 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G06F9/46 文献下载
摘要：信息处理装置具备：接收部，从协商供应源用户以及协商供应目的地用户接收请求；作业工序存储部，将协商供应前使用状态、协商供应后使用状态和计算条件对应存储；作业时间计算式存储部，与计算条件对应地存储作业时间的计算式；协商供应方案生成部，判定从协商供应源用户接收到的请求的转让条件中是否表示了协商供应资源的旨意，确定互相一致的协商供应前使用状态以及协商供应后使用状态，计算协商供应目的地用户从源用户接受协商供应而可以使用的资源量；协商供应管理部，使由协商供应方案生成部计算出的量的资源从协商供应源用户协商供应给协商供应目的地用户。
信息处理装置资源调度方法程序

[发明专利]自适应中继选择的协作数据传输方法和系统-CN201010585038.1有效
发明人：刘凯;张玉鹏;李亚燕;刘锋 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H04W16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种自适应中继选择的协作数据传输方法和系统，该方法包括根据获取到的源终端到邻终端的第一传输速率、邻终端到目的终端的第二传输速率和源终端到目的终端的第三传输速率，计算得出退避时间；若没有侦听到其他邻终端发送准备协作分组，则根据所述退避时间，分别给源终端和目的终端发送准备协作分组，该准备协作分组包括所述第一传输速率和第二传输速率；接收目的终端回复的CCTS分组；接收源终端发送的数据分组，并以第二传输速率转发该数据分组给目的终端
自适应中继选择协作数据传输方法系统

[发明专利]用于衬底上的薄膜层的连续沉积的气相沉积设备和方法-CN201010615893.2有效
发明人： C·拉思维格;M·W·里德;M·J·佩沃尔 -专利权人：初星太阳能公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及用于衬底上的薄膜层的连续沉积的气相沉积设备和方法，具体而言，提供了用于将升华的源材料在光伏(PV)模块衬底上气相沉积成薄膜的一种设备及相关方法。容器设置在真空头部室内并构造成用于容纳源材料。容器由该分配歧管间接加热至足以使容器内的源材料升华的程度。钼分配板设置在分配歧管下方，并位于被输送通过该设备的衬底的水平平面上方限定距离处。钼分配板包括通过其中的孔的图案，这些孔进一步将通过分配歧管的升华的源材料分配到下面的衬底的上表面上。该钼分配板包括按重量计大于大约75％的钼。
用于衬底薄膜连续沉积设备方法

[发明专利]一种基于FPGA的网络安全日志处理方法和装置-CN201010598387.7有效
发明人：白宗元;张磊;李静;纪奎;张英文 -专利权人：天津曙光计算机产业有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：接收外部网络送入的数据包，并将该数据包暂存于网络数据存储器；检测网络数据包的源目IP地址，源目端口以及协议，并监控报文的控制比特；对于与设定的源目IP地址，源目端口以及协议一致的数据包，命中的数据包根据规则过滤结果
一种基于 fpga 网络安全日志处理方法装置

[发明专利]一种FinFET结构及其制造方法-CN201410459614.6有效
发明人：李睿;刘云飞;尹海洲 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片，所述第一鳍片包括第一沟道区和位于第一沟道区上方的源区，其中所述源区比所述第一沟道区宽；第二鳍片，所述第二鳍片与第一鳍片平行，包括第二沟道区和位于第二沟道区上方的漏区，其中所述漏区比所述第二沟道区宽；栅极叠层，所述栅极叠层覆盖所述衬底和第一、第二沟道区的侧壁；隔离区，所述隔离区位于所述源区和漏区两侧，栅极叠层上方，用于隔离源区、漏区和栅极叠层。
一种 finfet 结构及其制造方法

[发明专利]节点间无线资源分配方法和系统-CN201410385524.7有效
发明人：许森;孙震强;张光辉 -专利权人：中国电信股份有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H04W28/08 文献下载
摘要：其中源节点在判断用户终端处于目标节点的有效覆盖区域中，则进一步判断是否满足预定的分流触发条件。若判断满足预定的分流触发条件，则源节点向目标节点发送分流通知消息。目标节点接收到分流通知消息后，判断是否接纳相应的分流承载，并在能够接纳至少一个分流承载时向源节点发送承载分流确认消息，其中承载分流确认消息包括能够接纳的分流承载标识。源节点在接收到承载分流确认消息后，根据能够接纳的分流承载标识将相应承载分流到目标节点。
节点无线资源分配方法系统

[发明专利]千兆无源光网络光线路终端光模块突发模式误码测试仪-CN201110038261.9有效
发明人：陈志强;袁涛;谭祖炜;陈旭光 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H04B10/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种千兆无源光网络光线路终端光模块突发模式误码测试仪，包括突发信号混合电路、突发信号提取电路、时基信号检测电路、时序控制电路、突发光产生单元、通讯接口电路和电源电路；通过本技术方案，实现了对千兆无源光网络光线路终端光模块进行性能测试的要求；测试平台搭建简单，实现成本低，使用方便；能够通过微机界面实现对各种参数的调节，各种参数的时序关系能够在微机界面上直观的显示，总之本发明的产品能够方便地测试千兆无源光网络光线路终端光模块在不同防护时间、前导码长度、连续相同码长度、复位脉冲位置下的灵敏度、饱和值及动态范围，从而满足千兆无源光网络光线路终端光模块性能测试的需要。
千兆无源网络线路终端模块突发模式测试仪

[发明专利]切换方法、系统及装置-CN201010103541.9有效
发明人：刘爱娟;汪颖 -专利权人：大唐移动通信设备有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H04W36/08 文献下载
摘要：本发明提出一种切换方法及系统，其中，该方法包括以下步骤：HeNBGW接收源eNB发送的切换请求，将所述切换请求转换成HeNB GW和目标eNB之间接口形式的切换请求并将其发送至所述目标eNB；如果所述目标eNB允许所述源eNB的切换请求，则所述目标eNB向所述HeNB GW发送切换请求确认消息；所述HeNB GW接收所述目标eNB发送的切换请求确认消息，将所述切换请求确认消息转换成源eNB和HeNB GW之间接口形式的切换请求确认消息并将其发送至所述源eNB。
切换方法系统装置

[发明专利]一种结型场效应晶体管-CN201010251138.0有效
发明人：邢正人;加内特·E·马蒂;奥格杰·米历克 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2010-08-12 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：该结型场效应晶体管，还包括：漏极、源极和栅极；耦接至内部掺杂区域并提供所述漏极的漏极欧姆接触；耦接至外部掺杂区域并提供所述源极的源极欧姆接触；耦接至所述衬底并提供所述栅极的栅极欧姆接触。该结型场效应晶体管的漏极可承受几百伏的电压，产生不超过几十伏的源极电压供给低压电路，广泛应用于各种电子电路系统。
一种场效应晶体管

[发明专利]活性物质的制造方法以及锂离子二次电池的制造方法-CN201010502292.0有效
发明人：时田浩司;大槻佳太郎;佐野笃史 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明所涉及的活性物质的制造方法具备加热磷酸源、钒源以及水而形成含有磷和钒并且比表面积为0.1m2/g以上且不到25m2/g的中间体的工序、加热中间体、水溶性的锂盐以及水的工序。本发明所涉及的活性物质的制造方法具备对磷酸源、钒源、水溶性的有机化合物以及水进行加热1～12小时而形成中间体的工序、加热中间体、锂盐以及水的工序。
活性物质制造方法以及锂离子二次电池

[发明专利]一种对网络链路时钟进行维护的方法及系统-CN201010585198.6有效
发明人：庄白云;丁华;黄健 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H04W56/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种对网络链路时钟进行维护的方法及系统，此方法包括：基站节点的第一邻基站节点与此基站节点间的链路中存在处于正常链接状态的链路时，基站节点通知其第二邻基站节点将所述基站节点的时钟源作为参考时钟源；基站节点的第一邻基站节点与此基站节点间的链路中不存在处于正常链接状态的链路时，基站节点通知其第二邻基站节点将此第二邻基站节点的两个相邻基站节点中除去所述基站节点外的另一基站节点的时钟源作为参考时钟源。
一种网络时钟进行维护方法系统

[发明专利]身份标识网络与互联网互通的实现方法和系统-CN200910174294.9有效
发明人：许志军;符涛;吴强;黄兵 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H04L12/66 文献下载
摘要：本发明身份标识网络(ID网络)与互联网互通的实现方法包括：ID数据包在ID网络通信端与ID数据包转换设备间传输，ID数据包的源、目的地址采用身份标识表示；ID数据包转换设备进行ID数据包和ID封装数据包之间的相互转换，ID封装数据包的外层源、目的地址采用位置标识表示，内层源、目的采用身份标识表示；ID封装数据包在ID数据包转换设备与互通数据包转换设备间传输；互通数据包转换设备进行ID封装数据包与IP数据包之间的相互转换，IP数据包的源、目的地址采用IP地址表示；IP数据包在互通数据包转换设备与互联网通信端之间传输。
身份标识网络互联网互通实现方法系统

[发明专利]时分同步码分多址网络中弱覆盖小区的查找方法和装置-CN200910238601.5有效
发明人：朱思南 -专利权人：中国移动通信集团云南有限公司
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H04W24/00 文献下载
摘要：获取用于记录时分同步码分多址(TD-SCDMA)网络中每次切换情况的切换成功报告和切换失败报告；从切换成功报告中提取出所发生的切换为从TD-SCDMA网络向全球移动通信网络(GSM)切换的所有记录，并提取出每条记录中的源小区标识；从切换失败报告中提取出所发生的切换为从TD-SCDMA网络向GSM网络切换的所有记录，并提取出每条记录中的源小区标识；对提取出的各源小区标识按照预定规则进行排序，将排序后处于前N位的源小区标识对应的小区确定为弱覆盖小区
时分同步码分多址网络覆盖小区查找方法装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510634615.4有效
发明人： R·津克;S·德克尔;S·兰泽斯托费;T·迈尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：绝缘栅场效应晶体管单元中的至少一个包括第一传导性类型的源极区域、互补的第二传导性类型的主体区域、第一传导性类型的漂移区域、以及沿着竖直方向通过主体区域延伸到半导体主体中的沟槽栅极结构。沟槽电介质包括介于栅极电极和源极区域之间的源极电介质部分以及介于栅极电极和主体区域之间的栅极电介质部分。源极电介质部分沿着横向方向的最大厚度与栅极电介质部分沿着横向方向的最小厚度之比为至少1.5。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有屏蔽栅的沟槽分离侧栅MOSFET的制造方法-CN201510992756.3有效
发明人：范让萱;缪进征 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽分离侧栅MOSFET的制造方法，包括步骤：在半导体衬底中进行阱区和源区的注入并退火推进；形成硬质掩模层并进行光刻刻蚀工艺定义出栅极形成区域；进行第一次各向异性刻蚀形成沟槽进行第二次各向同性刻蚀将沟槽的宽度和深度增加；形成栅介质层和栅极金属层；对栅极金属层进行回刻；对沟槽底部的半导体衬底进行各向异性刻蚀形成深沟槽；在深沟槽的内部表面以及栅极金属层侧面同时形成氧化层；进行源屏蔽金属层生长本发明能降低栅极电阻、减少RC延迟以拓展器件在高频电路中的应用，能减少热过程工艺步骤、缩短产品制造周期、能减小栅漏电容，能提高栅源隔离氧化层的厚度、减少栅源漏电。
具有屏蔽沟槽分离 mosfet 制造方法