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[发明专利]负载均衡信息交互周期的自适应调整方法-CN200910023244.0有效
发明人：李红艳;王成;盛敏;李建东;赵林靖;周伟;李昌席 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H04W28/08 文献下载
摘要：提出了邻基站与源基站协商，自适应的调整资源状态更新信息发送周期，其具体过程是：1.源基站向邻基站发送资源状态请求消息，邻基站根据自身能力反馈响应消息，以固定的周期返回负载信息；2.邻基站根据自身负载变化速率，提出资源状态更新信息返回周期的重配置请求；3.源基站依据自身情况反馈响应消息；4.邻基站以新的周期返回资源状态更新信息；5.源基站发送资源状态报告终止消息，邻基站反馈响应信息，结束资源状态报告。
负载均衡信息交互周期自适应调整方法

[发明专利]频率补偿运算放大器-CN200910143206.9有效
发明人：尤达·达思古帕塔 -专利权人：联发科技(新加坡)私人有限公司
申请日： 2009-05-20 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：本发明是关于一种频率补偿运算放大器，包含：输入级，用于接收输入信号；输出级，耦接于输入级，用于根据输入级的输出产生输出信号；第一电流源，用于提供第一偏置电流；第二电流源，用于提供与第一偏置电流相同的第二偏置电流；Ahuja补偿电路，包含：匹配的晶体管对，耦接于第一电流源以及第二电流源；电容器，耦接于匹配的晶体管对以及输出级之间；以及跨导增加电路，耦接于匹配的晶体管对，用于增加匹配的晶体管对的跨导。
频率补偿运算放大器

[发明专利]波分复用无源光网络中的接入控制方法及其装置-CN200810037391.9有效
发明人：齐江;陈晓 -专利权人：上海贝尔阿尔卡特股份有限公司
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H04J14/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种新颖的波分复用无源光网络的技术方案。该方案综合考虑了持续增长的用户下行带宽需求和高速互联网业务的上下行非对称性，其在下行采用多波长用以承载下行信号而上行保持单波长用以承载上行信号。本发明所提供的技术方案可以提高PON系统的总体下行带宽，同时对接入控制技术和帧格式设计又可以大量采用现有技术，使得本发明的技术方案可以兼容现有无源光网络中的终端设备。因而本发明的技术方案是一种经济的高速无源光网络解决方案，尤其在应用于对现有无源光网络进行升级时，其可以有效地保护运营者或者使用者的前期投资，降低建设或使用成本。
波分复用无源网络中的接入控制方法及其装置

[发明专利]一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法-CN200810120013.7有效
发明人：宋振纶;李金龙;孙科沸;冒守栋 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2008-07-21 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法，该装置包括真空室、磁控溅射源、工件托架和离子源，其特征在于：所述磁控溅射源安装在真空室的顶部呈密封连接结构，磁控溅射靶通过连接轴与磁控溅射源相连，磁控溅射靶伸入真空室内，且磁控溅射靶与连接轴之间为可转动连接，所述离子源也安装在真空室的顶部呈密封连接结构，离子源的发射头也伸入真空室内，所述工件托架安装在真空室内的底部。与现有技术相比，本发明的优点在于：磁控溅射靶能根据工件的大小和位置调整溅射方向，以达到最佳的溅射的范围；本发明提供的方法，不需要采用高能离子源，而是采用低能、大束流离子束对薄膜进行辅助沉积，可增加膜基结合力和薄膜致密度
一种用于表面防护离子束辅助磁控溅射沉积装置方法

[发明专利]用于多中继系统多流单播模式的无线中继节点的选择方法-CN200910093124.8有效
发明人：郑侃;龙航;魏梅英;王方向;王文博 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H04B7/04 文献下载
摘要：一种用于多中继系统多流单播模式的无线中继节点的选择方法，是系统在进行单播传输前，所有待选的中继节点分别向源节点反馈其相关信道的部分信道信息，以替代现有技术中反馈全部实时信道信息而大量节省反馈信令的传输开销；源节点获得这些信息后，根据本发明系统容量的计算方式，选择最佳中继节点进行单播传输；同时，所有的中继节点在上述过程中都以设定周期向源节点更新反馈信道信息，以便进行下一次中继选择；源节点在下一次中继选择开始时
用于中继系统多流单播模式无线节点选择方法

[发明专利]半导体器件和制造其的方法-CN200910167406.8有效
发明人：加藤伸二郎;斋藤直人 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2009-08-13 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在具有高耐受电压的硅的局部氧化(LOCOS)偏置MOS晶体管中，为了防止沟道形成区(7)上形成的栅极氧化物膜(6)在通过将多晶硅栅电极(8)用作掩模以去除栅极氧化物膜(6)以形成第二导电类型高浓度源区(4)和第二导电类型高浓度漏区(5)时被蚀刻，源极场氧化物膜(14)也在沟道形成区(7)的源极侧上形成，并且另外，优化第二导电类型高浓度源极场效应区(13)的长度。
半导体器件制造方法

[发明专利]车载终端的无缝切换方法及系统-CN201510906113.2有效
发明人：师进;王伟 -专利权人：北京全路通信信号研究设计院集团有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H04W36/18 文献下载
摘要：的下行数据通道，及目标SGW建立与目标PGW的上行数据通道；目标基站建立与车载终端的上行数据通道和下行数据通道；目标SGW建立与目标基站的下行数据通道，及目标基站建立与目标SGW的上行数据通道；目标SGW建立与源PGW的上行数据通道，及源PGW建立与目标SGW的下行数据通道；目标SGW向目标PGW发送下发数据通知消息；目标SGW在接收到目标PGW已经发送下行数据的指示后，向所述源PGW发送删除会话消息。本申请避免了源PGW发生故障时，导致切换到目标线路的车载终端不能正常工作的情况发生。
车载终端无缝切换方法系统

[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法-CN201380076785.4有效
发明人： T·甘尼;S·拉蒂夫;C·D·穆纳辛格 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在半导体衬底之上与多个半导体鳍片共形地形成固态掺杂剂源层。在固态掺杂剂源层之上形成电介质层。使电介质层和固态掺杂剂源层凹入至在多个半导体鳍片的顶面之下的相同水平，由此暴露在多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域之上的多个半导体鳍片的每一个的突出部分。该方法还包括：将来自固态掺杂剂源层的掺杂剂推进到多个半导体鳍片的每一个的子鳍片区域。
具有掺杂子鳍片区域平面半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种全人源抗CD20单克隆抗体、其制备方法及用途-CN201010125261.8有效
发明人：王淑蕙;李川;聂丽 -专利权人：百迈博药业有限公司
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C07K16/28 文献下载
摘要：本发明涉及生物技术领域，更具体地，本发明公开了一种全人源抗CD20单克隆抗体、其制备方法及用途。本发明构建了大容量的天然人源噬菌体抗体库，从中筛选获得了一株全人源抗CD20抗体3C5，其重链可变区氨基酸序列为SEQ ID NO：6所示，轻链可变区氨基酸序列为SEQ ID NO：8所示。本发明的全人源单克隆抗体3C5与其它抗CD20抗体相比，具有更高的抗体亲和力和更强的ADCC和CDC活性，可用于制备抗肿瘤药物。
一种全人 cd20 单克隆抗体制备方法用途

[发明专利]薄膜表面安装部件-CN201010621677.9有效
发明人：乔治·科罗尼;安德鲁·P·里特 -专利权人：阿维科斯公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：该薄膜电路可包括一个或多个无源部件、一个或多个无源部件的阵列、多个无源部件的网络或滤波器。该无源部件包括电阻器、电容器、电感器。
薄膜表面安装部件

[发明专利]一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管-CN201110029706.7有效
发明人：邹积彬;黄如;王润声;杨庚雨;艾玉洁;樊捷闻 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介质上层是栅区，栅区和栅介质完全包围沟道区，源端外延区位于源区和沟道区之间
一种基于纳米器件高压横向双向扩散晶体管

[发明专利]LDMOS器件-CN201110077379.2有效
发明人：张磊;向泱 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件，包括第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的相互邻接的第一导电类型的体区和第二导电类型的漂移区；在体区中形成的第二导电类型的源极；在漂移区中形成的第二导电类型的漏极；位于源极和漏极之间并且与源极和漂移区邻接的栅介质层；以及位于栅介质层上方的栅极，其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反，其特征在于，所述LDMOS器件还包括电容区域，所述电容区域位于所述源极和漏极之间的漂移区中
ldmos 器件

[发明专利]一种图形图像处理系统、方法和芯片-CN201110070610.5有效
发明人：闫飞;刘宁 -专利权人：深圳超多维光电子有限公司
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H04N13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形图像处理系统，所述系统包括控制装置和数据转换装置；所述控制装置，用于将源三维图像数据压缩成符合二维图像帧格式的源三维图像数据，再与源二维图像数据组合成符合二维图像帧格式的混合图像数据并以二维图像传输方式发送至所述数据转换装置；所述数据转换装置，用于接收并解析所述混合图像数据，对压缩后的源三维图像数据进行解压缩。
一种图形图像处理系统方法芯片

[发明专利]一种集胞藻PCC6803表达外源基因的方法-CN201010034404.4有效
发明人：吕雪峰;齐凤霞;谈晓明;罗全 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C12N15/74 文献下载
摘要：一种集胞藻PCC6803表达外源基因的方法，包括：1)分别将集胞藻6803的rbcL启动子(Prbc，1.3kb)和终止序列rbc terminator(Trbc，0.2kb)，2kb的壮观霉素抗性标记基因Ω，以及报告基因lacZ构建于一个集胞藻6803基因组整合质粒平台，得到已经包含报告基因的用于集胞藻6803表达外源基因并可以基因组整合的平台质粒pFQ20；2)pFQ20转化集胞藻6803藻株，经壮观霉素抗性筛选得到转化子，用特异引物PCR鉴定基因型后，测定转化了表达平台和外源基因的基因工程集胞藻6803藻株的β-半乳糖苷酶酶活，以验证集胞藻6803外源基因表达平台的表达效率。
一种集胞藻 pcc6803 表达基因方法

[发明专利]一种具有集群管理功能的转码系统-CN201010104038.5有效
发明人：杨永晟;刘永生 -专利权人：新奥特（北京）视频技术有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H04N7/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有集群管理功能的转码系统，包括转码管理中心服务器和多个转码工作站；其中，所述转码管理中心服务器与外界的任务源系统相连，包括：接收组件，用于接收所述任务源系统的转码任务，其中，所述转码任务中包括转码模板信息，所述转码模板信息包括源格式和目标格式；注册组件，用于接收所述转码工作站的注册，其中，所述注册信息包括转码工作站支持的源格式和目标格式；以及，调度组件，用于将所述转码任务分配至转码工作站，其中，所述转码工作站的注册信息支持所述转码任务的转码模板信息
一种具有集群管理功能系统