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[发明专利]半导体装置和形成该半导体装置的方法-CN201610140176.6有效
发明人： J.P.德苏扎;K.E.福格尔;金志焕;D.K.萨达纳;B.A.瓦卡瑟 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板和基板上的p掺杂层，该p掺杂层包括掺杂的III‑V族材料。n型材料形成在该p掺杂层上或该p掺杂层中。该n型层包括ZnO。铝接触形成为与该n型材料的ZnO直接接触以形成电子装置。
半导体装置形成方法

[发明专利]一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法-CN201310590963.7无效
发明人：王仍;焦翠灵;徐国庆;杨晓阳;张可峰;张莉萍;林杏潮;陆液;杜云辰;邵秀华;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延方法，该方法进行金掺杂p型碲镉汞材料的气相外延，材料在77k温度下，金掺杂外延材料的迁移率为1.39E+02cm2/Vs，载流子浓度可以达到2×1018cm-3，为典型的p型材料。而相同条件下不进行金掺杂的迁移率为6.42E+04cm2/Vs，载流子浓度为3×1015cm-3，为典型的n型材料。因此，该方法金掺杂的激活率非常高。本方法可以提高掺杂型长波p材料电学参数的稳定性，同时该掺杂在低成本的气相外延设备里即可以实现。
一种掺杂型碲镉汞材料外延方法

[发明专利]氮和氧共掺杂多孔碳材料、制备方法及其应用-CN201910308077.8在审
发明人：郑方才;魏凌志 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开一种氮和氧共掺杂多孔碳材料的制备方法，包括以下步骤：本发明通过硝酸钴与2‑甲基咪唑在常温下制备前驱物，再在氮气中煅烧前驱物得到黑色材料，再通过水热氧化的方法处理上述黑色材料，最终用硝酸回流处理上述得到的材料，得到双原子掺杂的碳材料即氮和氧共掺杂多孔碳材料。本发明还公开一种氮和氧共掺杂多孔碳材料、及其应用。本发明提供工艺简单的氮和氧共掺杂多孔碳材料的制备方法，以期得到氮和氧双掺杂碳材料，提供提高其用做锂离子电池负极材料时的性能。
多孔碳材料共掺杂制备黑色材料前驱物碳材料锂离子电池负极材料氮气回流处理甲基咪唑水热氧化原子掺杂常温下双掺杂硝酸钴硝酸煅烧应用

[发明专利]一种锰掺杂二硫化钼量子点材料及其制备方法-CN201911392835.5在审
发明人：丘洁龙 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰掺杂二硫化钼量子点材料及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：将钼盐、锰盐以及含硫有机物分散在有机醇溶剂中形成的初始混合液填充到介孔分子筛的孔隙中，得到前驱体材料；对所述前驱体材料进行煅烧、蚀刻处理后得到锰掺杂二硫化钼材料；对分散在分散介质中的锰掺杂二硫化钼材料进行超声处理制得所述锰掺杂二硫化钼量子点材料。本发明提供的制备方法通过简单地调节材料内部的锰、钼比例，可以实现控制锰掺杂二硫化钼材料的能隙结构，进而改变锰掺杂二硫化钼材料的光电性能，本发明方法操作简单、批次稳定性好，可以批量化制备锰掺杂二硫化钼量子点材料
一种掺杂二硫化钼量子材料及其制备方法

[发明专利]一种氮溴钙共掺杂硬碳材料及其制备方法和应用-CN202211141671.0在审
发明人：谢英朋;赵瑞瑞;冀亚娟 -专利权人：惠州亿纬锂能股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01M4/583 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮溴钙共掺杂硬碳材料及其制备方法和应用，所述氮溴钙共掺杂硬碳材料包括硬碳和掺杂在所述硬碳中的掺杂元素，所述掺杂元素包括N、Br和Ca。本发明通过采用N、Br和Ca对硬碳进行掺杂，发挥三种阴阳离子共掺杂的协同作用，增大硬碳层间距，引起缺陷位点，提高硬碳材料的嵌入容量和吸附容量，提高材料的倍率性能；同时，通过钙碳离子键的引入以及三种离子的协同，进一步提升了材料的倍率性能，使得氮溴钙共掺杂硬碳材料在大倍率下具有良好的充放电循环稳定性。
一种氮溴钙共掺杂材料及其制备方法应用

[发明专利]一种三元素掺杂的正极材料、其制备方法和用途-CN202011564133.3在审
发明人：谭立波;高夜军;阮祝华;朱昌波;苑丁丁 -专利权人：湖北亿纬动力有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明提供了一种三元素掺杂的正极材料、其制备方法和用途，所述的正极材料包括三元素掺杂LiMn2O4材料，所述的三元素掺杂LiMn2O4材料的掺杂元素包括Li位掺杂元素、O位掺杂元素和Mn位掺杂元素。本发明通过对Li位、Mn位和O位均进行掺杂，在三元素共掺杂的协同作用下，在充放电的过程中其三维隧道结构更加稳定，不会坍塌，能够很好地改善正极材料的电化学性能，具有优异的循环性能及倍率性能的同时，还具有制备方法简单和易实现工业化生产等特点
一种元素掺杂正极材料制备方法用途

[发明专利]一种具有弧形增透作用的光电探测器结构及其制备方法-CN201910574152.5在审
发明人：张紫辉;寇建权;张勇辉;周幸叶;冯志红 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：该结构沿着外延生长方向依次包括衬底、P型重掺杂材料层、N型轻掺杂材料层、N型过渡材料层、N型轻掺杂材料层、N型重掺杂材料层和N型欧姆电极；P型欧姆电极位于N型轻掺杂材料层外侧的P型重掺杂材料层上；其中，N型欧姆电极为圆环状，位于N型重掺杂材料层的外缘，其中间显露的N型重掺杂材料层为光敏区，厚度为0.1～1μm，所述的光敏区的上表面含有弧形结构，所述的弧形结构为弧形、叠弧形或凹凸形。
材料层制备光电探测器结构弧形结构增透作用光敏区外延生长方向过渡材料层降低器件量子效率自热效应凹凸形光分布上表面透光率圆环状衬底入射显露

[发明专利]一种掺杂过程中自包覆双修饰结构的锂离子电池正极材料及其制备方法-CN201910206447.7有效
发明人：白莹;张晨;郁彩艳;赵慧玲 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-03-19 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂过程中自包覆双修饰结构的锂离子电池正极材料及其制备方法，该掺杂过程中自包覆正极活性材料双修饰结构的制备过程以体相掺杂为首，完成正极活性材料本体体相掺杂后，进一步由掺杂材料在具备体相掺杂的正极活性材料表面形成包覆壳层将体相掺杂与表面包覆两种对正极活性材料的改性手段一步结合，实现对正极活性材料本体进行金属元素体相掺杂以及相应元素化合物表面包覆的双修饰效果，达到由内而外稳定锂离子电池正极活性材料的体相结构和表面结构，并兼顾内部本体结构与表面保护结构的相容性，从而提高锂离子电池正极活性材料在电化学循环过程中离子输运扩散的整体动力学行为。
一种掺杂过程包覆双修饰结构锂离子电池正极材料及其制备方法

[发明专利]电光晶体薄膜及其制备方法-CN202010889148.0有效
发明人：张秀全;刘桂银;王金翠;李真宇;杨超;连坤;孔霞 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，包括：依次层叠的衬底层、隔离层、补偿层和功能薄膜层；功能薄膜层的折射率大于补偿层的折射率，其中，补偿层为掺杂无机材料，掺杂无机材料是指在无机材料中掺杂有轻质量离子，轻质量离子是指相对原子质量小于无机材料中任一元素的相对原子质量的离子。功能薄膜层为掺杂电光晶体材料，掺杂电光晶体材料是指在电光晶体材料中掺杂有重质量离子，重质量离子是指相对原子质量大于电光晶体材料中任一元素的相对原子质量的离子。通过在在补偿层中掺杂轻质量离子、在功能薄膜层中掺杂重质量离子的方式，提供一种具有更大折射率差的电光晶体薄膜，使得折射率差不再受限于材料本身折射率的约束。
电光晶体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种N、P共掺杂MXene材料及其制备方法和应用-CN202310297155.5在审
发明人：张业龙;李浩;杨帆;董臻;王中华;王重权;吴邦军;冯其;邓魁荣;宋伟东;汪达;刘争;邱振平;彭章泉 -专利权人：五邑大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01M4/587 文献下载
摘要：本发明属于新能源材料技术领域，公开了一种N、P共掺杂MXene材料及其制备方法和应用。该N、P共掺杂MXene材料包括MXene材料、N和P；且N和P的掺杂量均为1‑12wt％。本发明的N、P共掺杂MXene材料层间距较大，有利于钾离子的嵌入、脱出，可显著缓解体积膨胀效应，材料结构稳定性好，将该N、P共掺杂MXene材料用于钾离子电池中作为负极材料时，可大幅度提升钾离子电池的比容量
一种掺杂 mxene 材料及其制备方法应用

[发明专利]电子器件及其制造方法-CN202010862646.6在审
发明人：宋政桓 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：每个存储元件包括：选择元件层，其中在绝缘材料中掺杂有第一掺杂剂；以及可变电阻层，其中在所述绝缘材料中掺杂有第二掺杂剂，其中，所述第二掺杂剂在所述绝缘材料中的扩散率大于所述第一掺杂剂在所述绝缘材料中的扩散率
电子器件及其制造方法

[发明专利]具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件-CN201811396073.1有效
发明人：刘逸群;杨超源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括：半导体衬底，包括通过绝缘层与第二半导体材料层分离的第一半导体材料层。源极区和漏极区设置在第一半导体材料层中并且间隔开。栅电极设置在源极区和漏极区之间的第一半导体材料层上方。具有第一掺杂类型的第一掺杂区设置在第二半导体材料层中，其中，栅电极直接位于第一掺杂区的上面。具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的第二掺杂区设置在第二半导体材料层中，其中，第二掺杂区在第一掺杂区下方延伸并接触第一掺杂区的相对两侧。本发明实施例涉及具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件。
具有混合掺杂绝缘体半导体器件

[发明专利]掺杂氮化硼复合材料及其制备方法和应用-CN201510708906.3在审
发明人：孙蓉;么依民;曾小亮 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂氮化硼复合材料及其制备方法和应用。本发明掺杂氮化硼复合材料包括互相掺杂的氧化石墨烯和氮化硼，且所述氧化石墨烯与氮化硼的质量比为(0.01-0.1)：(0.9-0.99)。本发明掺杂氮化硼复合材料通过氧化石墨烯和氮化硼互相掺杂，使得掺杂氮化硼复合材料具有优异的热导率，而且其性能稳定。本发明掺杂氮化硼复合材料的制备方法反应条件温和，使得制备的掺杂氮化硼复合材料不仅具有优异的导热性能，而且能保证制备出的掺杂氮化硼复合材料性能稳定。
掺杂氮化复合材料及其制备方法应用

[发明专利]利用铁离子掺杂金属有机骨架材料处理抗生素废水的方法-CN202010938119.9在审
发明人：钟仁华;李威;吴岸松;朱娟;钟雪鑫;袁洁 -专利权人：湖南鑫恒环境科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C02F1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁离子掺杂金属有机骨架材料及其制备方法，该铁离子掺杂金属有机骨架材料包含铁离子和ZIF‑67，铁离子掺杂在ZIF‑67中。发明公开了一种利用铁离子掺杂金属有机骨架材料处理抗生素废水的方法，包括以下步骤：将铁离子掺杂金属有机骨架材料与抗生素废水混合进行振荡吸附和高级氧化反应，完成对抗生素废水的去除处理；铁离子掺杂金属有机骨架材料包含铁离子和ZIF‑67，铁离子掺杂在ZIF‑67中。本发明铁离子掺杂金属有机骨架材料具有分散性好、高级氧化效果显著、反应时间快、不易受外界条件干扰等优点，能够实现对抗生素的高效降解，具有较好的应用前景。本发明铁离子掺杂金属有机骨架材料的制备方法具有操作方便、合成简单、原料种类少、成本低等优点，适合于大规模的制备。
利用离子掺杂金属有机骨架材料处理抗生素废水方法

[发明专利]一种提升二氧化锆材料稳定性的方法-CN202310636700.9在审
发明人：伏春平 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及二氧化锆材料稳定性研究技术领域，公开了一种提升二氧化锆材料稳定性的方法，包括步骤一，构建掺杂二氧化锆材料结构的物理模型；得到电子结构；步骤二，获得电子状态；并得到掺杂二氧化锆材料结构的能带结构；步骤三，得出掺杂二氧化锆材料结构的电子态密度和费米能，得到电子之间相互影响关系，同时得到电子与导电率的关联关系；步骤四，根据关联关系得出掺杂参数和温度值的最佳值。本申请将二氧化锆材料本征结构与掺杂结构相结合，充分考虑了掺杂结构带来的掺杂效应，并通过建立准确的物理模型，得到精准的电子结构，从而得到掺杂结构的稳定性影响关系，从而有效提高掺杂二氧化锆材料的稳定性。
一种提升氧化锆材料稳定性方法

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