专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种锰掺杂二硫化钼量子点材料及其制备方法-CN201911392835.5在审
  • 丘洁龙 - TCL集团股份有限公司
  • 2019-12-30 - 2021-07-16 - C09K11/68
  • 本发明公开了一种锰掺杂二硫化钼量子点材料及其制备方法,其中,所述方法包括步骤:将钼盐、锰盐以及含硫有机物分散在有机醇溶剂中形成的初始混合液填充到介孔分子筛的孔隙中,得到前驱体材料;对所述前驱体材料进行煅烧、蚀刻处理后得到锰掺杂二硫化钼材料;对分散在分散介质中的锰掺杂二硫化钼材料进行超声处理制得所述锰掺杂二硫化钼量子点材料。本发明提供的制备方法通过简单地调节材料内部的锰、钼比例,可以实现控制锰掺杂二硫化钼材料的能隙结构,进而改变锰掺杂二硫化钼材料的光电性能,本发明方法操作简单、批次稳定性好,可以批量化制备锰掺杂二硫化钼量子点材料
  • 一种掺杂二硫化钼量子材料及其制备方法
  • [发明专利]电光晶体薄膜及其制备方法-CN202010889148.0有效
  • 张秀全;刘桂银;王金翠;李真宇;杨超;连坤;孔霞 - 济南晶正电子科技有限公司
  • 2020-08-28 - 2022-04-29 - G02F1/03
  • 本申请提供一种电光晶体薄膜及其制备方法,包括:依次层叠的衬底层、隔离层、补偿层和功能薄膜层;功能薄膜层的折射率大于补偿层的折射率,其中,补偿层为掺杂无机材料掺杂无机材料是指在无机材料掺杂有轻质量离子,轻质量离子是指相对原子质量小于无机材料中任一元素的相对原子质量的离子。功能薄膜层为掺杂电光晶体材料掺杂电光晶体材料是指在电光晶体材料掺杂有重质量离子,重质量离子是指相对原子质量大于电光晶体材料中任一元素的相对原子质量的离子。通过在在补偿层中掺杂轻质量离子、在功能薄膜层中掺杂重质量离子的方式,提供一种具有更大折射率差的电光晶体薄膜,使得折射率差不再受限于材料本身折射率的约束。
  • 电光晶体薄膜及其制备方法
  • [发明专利]具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件-CN201811396073.1有效
  • 刘逸群;杨超源 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-11-22 - 2022-10-21 - H01L29/06
  • 半导体器件包括:半导体衬底,包括通过绝缘层与第二半导体材料层分离的第一半导体材料层。源极区和漏极区设置在第一半导体材料层中并且间隔开。栅电极设置在源极区和漏极区之间的第一半导体材料层上方。具有第一掺杂类型的第一掺杂区设置在第二半导体材料层中,其中,栅电极直接位于第一掺杂区的上面。具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的第二掺杂区设置在第二半导体材料层中,其中,第二掺杂区在第一掺杂区下方延伸并接触第一掺杂区的相对两侧。本发明实施例涉及具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件。
  • 具有混合掺杂绝缘体半导体器件
  • [发明专利]一种提升二氧化锆材料稳定性的方法-CN202310636700.9在审
  • 伏春平 - 重庆文理学院
  • 2023-05-31 - 2023-08-11 - G06F30/20
  • 本发明涉及二氧化锆材料稳定性研究技术领域,公开了一种提升二氧化锆材料稳定性的方法,包括步骤一,构建掺杂二氧化锆材料结构的物理模型;得到电子结构;步骤二,获得电子状态;并得到掺杂二氧化锆材料结构的能带结构;步骤三,得出掺杂二氧化锆材料结构的电子态密度和费米能,得到电子之间相互影响关系,同时得到电子与导电率的关联关系;步骤四,根据关联关系得出掺杂参数和温度值的最佳值。本申请将二氧化锆材料本征结构与掺杂结构相结合,充分考虑了掺杂结构带来的掺杂效应,并通过建立准确的物理模型,得到精准的电子结构,从而得到掺杂结构的稳定性影响关系,从而有效提高掺杂二氧化锆材料的稳定性。
  • 一种提升氧化锆材料稳定性方法

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