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[发明专利]掺杂材料的方法和掺杂的材料-CN200580020788.1有效
发明人： M·拉亚拉;P·索伊尼宁;L·尼尼斯特;M·普特基宁;J·皮缅诺夫;J·佩伊韦萨利 -专利权人： BENEQ有限公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C03C17/09 文献下载
摘要：本发明涉及掺杂材料的方法，方法的特征为采用原子层沉积(ALD)方法在材料表面上和/或在其一部分表面上沉积至少一个掺杂剂沉积层或一部分沉积层，和以一定的方式进一步加工由掺杂剂掺杂的材料，使得改变掺杂剂层的初始结构，以获得掺杂的材料的新性能。要掺杂的材料优选是玻璃，陶瓷，聚合物，金属，或由其制备的复合材料，和由掺杂剂掺杂的材料的进一步加工是机械、化学、辐射、或热处理，因此目的是改变掺杂的材料的折射率，吸收能力，电导率和/或热导率，颜色，或机械或化学耐用性
掺杂材料方法

[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法-CN202111654536.1在审
发明人：李磊;许生根 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种快恢复二极管，其中，包括：N型衬底材料层，N型外延层和第一掺杂浓度的P型材料层，第一掺杂浓度的P型材料层的表面包括多个第二掺杂浓度的P型材料区，N型衬底材料层背离N型外延层的表面形成第一金属层，第一掺杂浓度的P型材料层背离N型外延层的表面形成第二金属层，第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度小于第二掺杂浓度的P型材料区的掺杂浓度，且N型外延层靠近第一掺杂浓度的P型材料层的掺杂浓度大于N型外延层靠近N型衬底材料层的掺杂浓度。
一种恢复二极管及其制作方法

[发明专利]材料的选择性掺杂-CN200580020698.2有效
发明人： M·拉亚拉;M·普特科宁;J·皮缅诺夫;L·尼尼斯特;J·佩伊韦萨里;J·库尔基 -专利权人： BENEQ有限公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C03C17/09 文献下载
摘要：本发明涉及由如下方式选择性掺杂材料的方法：a)辐射预定预处理的图案/区域入材料，b)处理材料用于在预处理的图案/区域中产生反应性基团，和c)由原子层沉积方法掺杂材料用于在材料中产生由掺杂剂掺杂的图案/区域本发明进一步涉及选择性掺杂的材料，制备选择性掺杂的材料的系统，和该方法的用途。
材料选择性掺杂

[发明专利]复合铁锂材料以及采用该复合铁锂材料的锂离子电池-CN201210325536.1有效
发明人：邱扬;李文良 -专利权人：曙鹏科技（深圳）有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合铁锂材料，包括作为主体材料的磷酸铁锂以及掺杂在所述主体材料中的掺杂材料。这种复合铁锂材料包括掺杂材料以及作为主体材料的磷酸铁锂，并且掺杂材料的充放电特性满足在10%到95%的荷电状态变化区间内，掺杂材料的单位电压差与单位荷电状态差的比值较磷酸铁锂大，并且掺杂材料的充放电特性满足在95%到100%的荷电状态变化区间内，掺杂材料的单位电压差与单位荷电状态差的比值较磷酸铁锂小。通过掺杂这种掺杂材料，使得复合铁锂材料的充电特性曲线趋于平稳，相对于纯的磷酸铁锂材料，这种复合铁锂材料可以通过电位变化来判断荷电状态。本发明还提供一种采用该复合铁锂材料的锂离子电池。
复合材料以及采用锂离子电池

[发明专利]氮掺杂硬碳材料及其制备方法、硬碳负极材料及电池-CN202310909770.7在审
发明人：谌庆春;王铈汶;林颖鑫;朱开达;李鹏熠 -专利权人：深圳海辰储能控制技术有限公司;厦门海辰储能科技股份有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂硬碳材料及其制备方法、硬碳负极材料及电池，氮掺杂硬碳材料的制备方法包括：向等离子球磨设备的球磨罐内放入硬碳材料以及磨球，向球磨罐内通入含氮气体至球磨罐内的气压达到第一预设值，等离子球磨设备工作，以使球磨罐内的含氮气体电离以及以使球磨罐运动，以形成氮掺杂硬碳材料，将氮掺杂硬碳材料与磨球分离，以获得氮掺杂硬碳材料。根据本发明实施例的氮掺杂硬碳材料的制备方法，可以提高氮掺杂硬碳材料的氮元素含量，可以更好地提升氮掺杂硬碳材料的导电性能，同时工艺成本较低；另外，上述的制备方法可以使氮掺杂硬碳材料的粒度较小，缩短离子的扩散路径，提升氮掺杂硬碳材料的倍率性能。
掺杂材料及其制备方法负极电池

[发明专利]中空锰掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳纳米复合材料及制备-CN201810899415.5在审
发明人：刘天西;赖飞立;朱晓波;缪月娥;冯鉴睿 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种中空锰掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳纳米复合材料及其制备。所述的中空锰掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳纳米复合材料，其特征在于，包括中空氮掺杂碳材料，所述的中空氮掺杂碳材料外包覆有锰掺杂氧化钴镍。本发明制备的复合材料具有结构形貌均一的特点，聚苯胺衍生的中空氮掺杂多孔碳材料支撑起该复合材料的中空多面体结构，锰掺杂的氧化钴镍均匀的生长在中空氮掺杂碳材料的外部，避免了锰掺杂的氧化钴镍团聚的问题，具有比表面积大
中空锰掺杂氧化钴氮掺杂碳纳米复合材料氮掺杂碳材料镍包制备复合材料物理化学性质导电性电化学性能多孔碳材料中空多面体结构形貌聚苯胺外包覆均一团聚生长外部支撑

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201210378716.6有效
发明人：隋运奇;李凤莲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成开口；在所述开口的底部表面、以及靠近底部的部分侧壁表面形成掺杂材料层，所述掺杂材料层暴露出所述开口靠近半导体衬底表面的部分侧壁表面，所述掺杂材料层内含有掺杂离子；对所述掺杂材料层进行热退火，使所述掺杂材料层中的掺杂离子自所述开口的底部、和靠近底部的部分侧壁表面扩散入半导体衬底内，在所述开口内由所述掺杂材料层覆盖的半导体衬底表面形成掺杂层；在所述热退火工艺之后，去除剩余的掺杂材料层；在去除剩余的掺杂材料层之后，在所述开口内形成应力层。
晶体管形成方法

[发明专利]一种制备有机发光器件的方法-CN201410386522.X有效
发明人：闫光;孙力 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备有机发光器件的方法，涉及显示技术领域，解决了现有的掺杂层形成工艺及设备复杂，掺杂均匀性差、效果不佳的问题。一种制备有机发光器件的方法，包括形成空穴注入功能层、空穴传输功能层、发光功能层、电子传输功能层以及电子注入功能层，其中，所述空穴注入功能层、空穴传输功能层、发光功能层、电子传输功能层以及电子注入功能层中至少一层为掺杂层，所述掺杂层包括基质材料和掺杂材料；至少一层掺杂层的形成方法包括：依次沉积基质材料和掺杂材料，形成相邻的基质材料层和掺杂材料层；加热所述基质材料层和掺杂材料层。
一种制备有机发光器件方法

[发明专利]D-A型有机掺杂晶体余辉材料在油中的应用-CN201910070702.X有效
发明人：汪天洋;胡文平;冯文慧;韩江丽 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C10L1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种D‑A型有机掺杂晶体余辉材料在油中的应用，将所述D‑A型有机掺杂晶体余辉材料放入油中，所述D‑A型有机掺杂晶体余辉材料在油中的长余辉发光时间为3～6s。本发明的D‑A型有机掺杂晶体余辉材料为颗粒较小的固体粉末，大小均一，将其放入油中，油不会影响D‑A型有机掺杂晶体余辉材料的长余辉发光性能，D‑A型有机掺杂晶体余辉材料也不会影响油的使用。其中，D‑A型有机掺杂晶体余辉材料可以作为油的防伪使用，D‑A型有机掺杂晶体余辉材料放在油中，随着油的燃烧使用，D‑A型有机掺杂晶体余辉材料被生物降解，不影响机器及发动机的寿命。
有机掺杂晶体余辉材料中的应用

[发明专利]一种掺杂结构的制备方法和半导体结构-CN202210031757.1在审
发明人：李伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种掺杂结构的制备方法和半导体结构，该方法包括：提供一包含材料层的衬底，并对材料层进行掺杂处理，得到掺杂材料层；在掺杂材料层上生成第一阻挡层；对掺杂材料层进行退火处理，并控制在掺杂材料层与第一阻挡层之间生成第二阻挡层；去除第一阻挡层和第二阻挡层，得到掺杂结构。这样，通过第一阻挡层和第二阻挡层，能够改善掺杂结构的电学性能。
一种掺杂结构制备方法半导体

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201210255993.8无效
发明人：周明杰;王平;钟铁涛;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层，电子传输层的材料包括电子传输材料及掺杂于电子传输材料中的第一掺杂材料，电子注入层的材料包括电子注入材料及掺杂于电子注入材料中的第二掺杂材料及第三掺杂材料，第一掺杂材料及第二掺杂材料选自氟化锂、氟化钠、氟化钾、氟化铷和氟化铯中的一种。电子传输层和电子注入层中均掺杂有氟化物，电子传输层掺杂的氟化物降低了电子传输层与发光层界面之间的LUMO能级，电子注入层掺杂的氟化物降低了阴极层与电子注入层界面之间的LUMO能级，从而有利于电子从阴极层经过电子传输层和电子注入层注入到发光层中
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]中空锌掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳复合材料及其制备-CN201810899581.5在审
发明人：刘天西;赖飞立;莫璐璐;缪月娥;冯鉴睿 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种中空锌掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳复合材料及其制备方法。所述的中空锌掺杂氧化钴镍包覆的氮掺杂碳复合材料，其特征在于，包括中空氮掺杂碳复合材料，所述的中空氮掺杂碳复合材料外包覆有锌掺杂氧化钴镍。本发明采用协同增强策略制备的锌掺杂的氧化钴镍中空氮掺杂碳多面体复合材料具有小尺寸、大比表面积、高导电性、结构稳定等优点，可用作理想的高性能催化剂材料，可被用于电催化析氢领域。
氮掺杂中空碳复合材料锌掺杂氧化钴镍包制备高性能催化剂电催化析氢高导电性结构稳定复合材料多面体外包覆可用协同

[发明专利]一种锂离子电池正极材料-掺杂金属离子的磷酸铁及其制备方法-CN201010165276.7无效
发明人：张俊喜;许明玉;任平;华思昊;梅颖;顾志浩;李春秋 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池正极材料-掺杂金属离子的磷酸铁的制备方法。掺杂金属离子的磷酸铁由Fe源、P源及掺杂金属离子组成，其中Fe源∶掺杂金属离子∶P源的摩尔比为0.92～0.99∶0.01～0.08∶1。采用湿法合成法或固相合成方法，通过掺杂金属离子获得掺杂金属离子的磷酸铁锂离子电池正极材料。通过掺杂金属离子后的磷酸铁材料与未掺杂的磷酸铁材料相比其容量提高了10％～50％，说明离子的掺杂对磷酸铁材料的电化学性能起到了正面的作用。离子的掺杂提高了材料的电子导电性；同时由于掺杂离子的半径差异，也使得磷酸铁的晶体结构发生变化，有利于锂离子的迁移和扩散。
一种锂离子电池正极材料掺杂金属离子磷酸及其制备方法

[发明专利]图形结构及其形成方法-CN202010338501.6在审
发明人：马万里;马云骁 -专利权人：深圳市昭矽微电子科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种图形结构及其形成方法，图形结构的形成方法包括：提供材料层；于材料层的上表面形成掺杂材料层，掺杂材料层的掺杂浓度由下到上逐渐变化；采用湿法刻蚀工艺于掺杂材料层内形成开口，以形成图形结构，开口显露材料层上述图形结构的形成方法中，掺杂材料层的掺杂浓度由下到上逐渐变化；采用湿法刻蚀工艺于掺杂材料层内形成开口，既能保证高的生产效率，又能解决刻蚀呈喇叭口状的问题，保证了一定的集成度。
图形结构及其形成方法

[发明专利]一种双掺杂型正极材料及其制备方法与应用-CN202211688628.6在审
发明人：张祖豪 -专利权人：惠州亿纬锂能股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种双掺杂型正极材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：混合氟源、正极材料前驱体和溶剂，所得混合液反应后得到氟掺杂的正极材料前驱体；将锂源、掺杂金属源和所述氟掺杂的正极材料前驱体进行混合，然后煅烧，得到所述双掺杂型正极材料；本发明所述制备方法能够在体相中掺杂阴离子和阳离子，相对于常规的一步多元素同时掺杂方法，防止了同时掺杂带来的晶格缺陷，提升了材料的结构稳定性，进而降低了材料循环过程中容量的损失
一种掺杂正极材料及其制备方法应用