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[发明专利]一种快离子导体掺杂包覆改性的三元正极材料及其制备方法-CN202110039662.X有效
发明人：夏妮;周友元;朱健;周春仙;葛龙;黄雨晴;刘玮 -专利权人：湖南长远锂科股份有限公司;金驰能源材料有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于锂离子电池材料制备技术领域，提供了一种快离子导体掺杂包覆改性的三元正极材料及其制备方法，其特征在于，包括：将基体与掺杂包覆物质分别溶于溶剂中通过静电纺丝技术制备金属元素掺杂包覆的锂离子电池三元正极材料，完成正极材料的均匀掺杂包覆。本发明采用静电纺丝技术将金属元素均匀掺杂包覆在正极材料上，与现有机械固相混合技术相比，可缓解因机械应力导致的材料结构破损，同时实现包覆层厚度、种类的可控及提高包覆均匀性，且只需进行一次烧结，即可完成正极材料的掺杂包覆
一种离子导体掺杂改性三元正极材料及其制备方法

[发明专利]一种硫掺杂碳材料及其制备方法-CN201710190759.4在审
发明人：马建民;张丽兰;崔春雨;毛玉华;石桥 -专利权人：深圳新宙邦科技股份有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有较高的放电比容量的硫掺杂碳材料，所述硫掺杂碳材料的碳层厚度为20‑300纳米，硫含量为3‑20wt％。同时，本发明还公开了上述硫掺杂碳材料的制备方法。本发明提供的硫掺杂碳材料具有较高的放电比容量。
一种掺杂材料及其制备方法

[发明专利]一种硫磷掺杂碳材料的制备方法及其产品和应用-CN202011014106.9在审
发明人：荣峻峰;赵红;王厚朋;彭茜;张家康;顾贤睿;谢南宏 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C01B32/194 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫磷掺杂碳材料的制备方法及其产品和应用，其方法包括将硫掺杂碳材料与磷源接触，在惰性气体中高温处理后，得到所述的硫磷掺杂碳材料。以该硫磷掺杂碳材料为载体制造的铂碳催化剂具有优异的催化性能。
一种掺杂材料制备方法及其产品应用

[发明专利]一种Ni掺杂CoO/C复合材料及其制备方法-CN201910630920.4有效
发明人：张春勇;黄琳娜;刘凤洁;夏雨;秦恒飞;苏蕾;舒莉;程洁红;朱炳龙 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明属于电极材料制备技术领域，具体涉及一种Ni掺杂CoO/C复合材料及其制备方法。所述复合材料为掺杂Ni的CoO负载在C的表面，所述C为水稻秸秆生物质碳材料。本发明还提供了一种制备Ni掺杂CoO/C复合材料的制备方法，用该方法制备的Ni掺杂CoO/C复合材料呈针状。有益效果：本发明制备的Ni掺杂CoO/C复合材料具有更大的比表面积大、稳定性好、结晶良好、无团聚的优点，在作为电容的电极材料时，具有较大的应用前景。
一种 ni 掺杂 coo 复合材料及其制备方法

[发明专利]完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件-CN02828545.X有效
发明人： A·C·韦;D·J·瑞斯特;M·B·菲塞利耶 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2002-12-17 - 公布日： 2005-06-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明大致涉及完全耗尽型SOI结构的掺杂方法，以及包含所形成掺杂区的半导体器件。在一个示例的实施例中，该器件包含在包括基体衬底(30A)、埋入氧化物层(30B)和有源层(30C)的绝缘层上硅衬底上形成的晶体管，该晶体管包含栅极电极(36)，并且在第一浓度标准下以一掺杂剂材料掺杂该基体衬底该器件进一步包含在该基体衬底(30A)中形成的第一掺杂区(42A)，且以与该基体衬底掺杂剂材料相同类型的掺杂剂材料掺杂该第一掺杂区(42A)，其中该第一掺杂区(42A)中的掺杂剂材料的浓度标准高于该基体衬底(30A)中之第一掺杂剂浓度标准，且该第一掺杂区(42A)大致与该栅极电极(36)对准。
完全耗尽绝缘层上硅结构掺杂方法包含形成半导体器件

[发明专利]n型氧化镓Si掺杂的方法和n型氧化镓Si掺杂材料-CN202210048361.8在审
发明人：何高航;冯博渊;李政成;伍莹;丁孙安 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/383 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，具体而言，涉及n型氧化镓Si掺杂的方法和n型氧化镓Si掺杂材料。n型氧化镓Si掺杂的方法包括：在基片上外延生长形成氧化镓薄膜的过程中，采用电子束蒸发掺杂Si。该方法可实现硅的连续掺杂，且硅的掺杂比例连续可调，硅元素在形成的材料内均匀分布，同时，该工艺重复性高，制备的材料尺寸不受限制，可以实现工业化生产。
氧化 si 掺杂方法材料

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310607338.9在审
发明人：周明杰;黄辉;陈吉星;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述散射层由钙的化合物材料掺杂层和二元掺杂层组成，所述钙的化合物材料掺杂层包括钙的化合物材料及掺杂在所述钙的化合物材料中的发光材料，所述钙的化合物材料选自氧化钙、氯化钙、碳酸钙及氟化钙中至少一种，所述二元掺杂层包括有机硅小分子材料及掺杂在所述有机硅小分子材料中的铜的化合物材料。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]电容器结构的制造方法-CN202110429776.5在审
发明人：李翔;陈鼎龙;姚长达 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：在基底上形成第一经掺杂的硅材料层。通过等离子体处理对第一经掺杂的硅材料层进行表面平坦化工艺。在进行表面平坦化工艺之后，在第一经掺杂的硅材料层上形成绝缘材料层。在绝缘材料层上形成第二经掺杂的硅材料层。将第一经掺杂的硅材料层图案化成第一电极。将绝缘材料层图案化成绝缘层。将第二经掺杂的硅材料层图案化成第二电极。上述电容器结构的制造方法可制作出具有较佳可靠度的电容器，且可提升电容密度。
电容器结构制造方法

[发明专利]一种基于钙固硫策略的硫掺杂硬碳材料及其制备方法和应用-CN202211050422.0在审
发明人：宁梦;李争晖;段智华;邱国健;张明露;陈静旬;杨倩 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于杂原子掺杂碳材料制备技术领域，公开了一种基于钙固硫策略的硫掺杂硬碳材料及其制备和在钠离子电池负极材料中的应用。该制备方法包括步骤：将碳源、钙源和浓硫酸混合磺化，经高能振动球磨、碳化再酸洗得到高硫含量的硬碳材料。本发明发现，钙元素具有关键的固硫作用，当添加钙元素，所制硫掺杂碳材料的硫含量可达10％以上，而不添加钙元素，所制硫掺杂碳材料的硫含量低于5％。当用作钠离子电池负极材料，所制硫掺杂碳材料表现出大可逆容量、高首次库伦效率等优点。本发明所述硫掺杂硬碳材料制备工艺简单、原料廉价易得，具有规模化应用。
一种基于钙固硫策略掺杂材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有变斜率浓度梯度掺杂结构的锂离子电池正极材料及其制备-CN201810463496.4在审
发明人：杜春雨;徐星;鉴纪源;耿天凤;贺晓书;尹鸽平;左朋建;程新群;霍华;马玉林;高云智 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了具有变斜率浓度梯度掺杂结构的锂离子电池正极材料及其合成方法，为了解决常规掺杂方法带来的容量和倍率性能的衰减等问题，本发明通过具有变斜率浓度梯度结构的元素掺杂获得从材料颗粒中心到表面掺杂元素的浓度持续变化的锂离子电池正极材料，且变化的速率由内到外逐渐加快，因此在材料内部掺杂元素的浓度变化缓慢，在材料表面掺杂元素的浓度迅速变化，掺杂元素浓度的变化主要集中在表面层，本发明方法在不引入副作用的前提下同时提升了材料内部结构和表面的稳定性，降低充放电循环过程中材料的相变、体积变化、过渡金属元素溶解等问题，大幅提升材料的循环寿命和安全性能。
锂离子电池正极材料掺杂元素浓度梯度掺杂充放电循环过程材料内部结构过渡金属元素安全性能倍率性能表面掺杂材料颗粒材料内部浓度变化体积变化循环寿命元素掺杂表面层衰减制备溶解合成引入

[发明专利]一种红外透明导电薄膜掺杂方法-CN202111438600.2在审
发明人：尚鹏;刘华松;庄克文;邢宇哲 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本申请提供有一种红外透明导电薄膜掺杂方法，通过将掺杂材料和薄膜材料蒸发沉积，形成稳定的掺杂材料雾化层和导电薄膜沉积层；薄膜材料蒸发的粒子上升过程中与掺杂材料雾化层中的粒子之间反复碰撞、复合，实现掺杂材料与薄膜材料的大范围掺杂均匀化在蒸发雾化和沉积过程中，采用第一石英晶振仪和第二石英晶振仪分别实时监控掺杂材料生长速率和导电薄膜生长速率。
一种红外透明导电薄膜掺杂方法

[发明专利]一种稀土/硫共掺杂氮化硼材料及其制备方法-CN202310080899.1在审
发明人：赵兴举;李顺方;任晓燕;张丽丽;吴汉超 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于氮化硼材料技术领域，提供了一种稀土/硫共掺杂氮化硼材料及其制备方法。本发明通过在氮化硼中引入稀土元素和硫元素，减小了氮化硼材料的禁带宽度，提高了稀土/硫共掺杂氮化硼材料的光吸收能力；稀土作为掺杂剂能使稀土/硫共掺杂氮化硼材料产生载流子倍增效应，从而提高稀土/硫共掺杂氮化硼材料的光催化效率；硫元素的掺杂调整了氮化硼的带隙，提高了氮化硼材料的可见光催化降解活性。实施例的结果显示，本发明制备的稀土/硫共掺杂氮化硼材料对甲基橙的降解率在90min时可达96.34％～99.21％，对罗丹明B的降解率在90min时可达到95.45％～98.76％。
一种稀土掺杂氮化材料及其制备方法

[发明专利]基于银纳米颗粒掺杂材料的全息三维显示屏的制备方法-CN201610653016.1有效
发明人：高洪跃;姚秋香;刘攀;刘吉成;郑志强;郑华东;于瀛洁 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G03H1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于银纳米颗粒掺杂材料的全息三维显示屏的制备方法，其包括以下步骤：步骤一，制备银纳米颗粒掺杂液晶材料；步骤二，制备银纳米颗粒掺杂液晶材料的液晶盒；步骤三，将步骤二所制备的银纳米颗粒掺杂液晶材料的液晶盒放置于室温条件下，在纳米颗粒掺杂液晶材料的液晶盒的两端施加电压，用一激光干涉来记录，用另一激光衍射来读出全息图。本发明的操作流程简单，光路容易实现，为后续实现动态图像刷新奠定了基础，由于在液晶材料里掺杂银纳米颗粒，使得最终所得的银纳米颗粒掺杂液晶材料的液晶盒具有响应时间达到20ms的特性并出现衍射图像突然增强的效应，全息显示材料的衍射效率高。
基于纳米颗粒掺杂材料全息三维显示屏制备方法

[发明专利]一种碳掺杂海泡石复合多孔吸附材料及其制备方法和应用-CN202110239963.7有效
发明人：龚玲婷;胡夏一;杨婧源;谭建杰;廖祥;陈龙 -专利权人：湘潭海泡石科技有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳掺杂海泡石复合多孔吸附材料及其制备方法，包括：（1）以海泡石为载体，葡萄糖为碳源，尿素为氮源，硼酸为硼源，合成得到海泡石和碳掺杂氮化硼的前驱体复合材料；（2）将前驱体复合材料在氮气保护气氛下，高温热裂解，得到海泡石负载碳掺杂多孔氮化硼复合吸附材料；（3）将无机黏土矿物粉体进行有机胺改性，得到胺官能团化的无机黏土矿物粘结剂；（4）将无机黏土矿物粘结剂掺杂到海泡石负载碳掺杂多孔氮化硼复合吸附材料中，经造粒、过筛后，得到碳掺杂海泡石复合多孔吸附材料。本发明还公开了该碳掺杂海泡石复合多孔吸附材料作为甲醛吸附剂的应用。该吸附材料极大地提高了对甲醛气体的吸附量和吸附速率。
一种掺杂海泡石复合多孔吸附材料及其制备方法应用

[发明专利]一种氮掺杂多孔碳材料及其制备方法和应用-CN202211359676.0有效
发明人：石劲松;崔红敏;徐建国;晏南富;柳跃伟;邹吉勇;章力 -专利权人：江西省科学院应用化学研究所
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明属于多孔碳材料技术领域，具体涉及一种氮掺杂多孔碳材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种氮掺杂多孔碳材料的制备方法，包括以下步骤：将生物质材料进行碳化，得到碳源；将所述碳源和4‑氨基苯甲酸钾水溶液混合后依次进行干燥和在保护气氛下煅烧，得到所述氮掺杂多孔碳材料。本发明以4‑氨基苯甲酸钾作为制备氮掺杂多孔碳材料的氮源和活化剂，在活化过程中同步完成氮掺杂，经过一步煅烧即可制备得到氮掺杂多孔碳材料，制得的氮掺杂多孔碳材料具有较高的比表面积和氮含量，具有优异的CO
一种掺杂多孔材料及其制备方法应用