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[实用新型]Si基改性Ge单片同层光电器件-CN201822145538.8有效
发明人：薛磊;尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/153 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，该器件结构包括：P型Si衬底层；P型Ge层，位于P型Si衬底层上；本征GeSn层，位于P型Ge层上，本征GeSn层包括第一本征GeSn层、第二本征GeSn层和第三本征GeSn层；N型Ge层，位于第一本征GeSn层和第三本征GeSn层上；N型Si层，位于N型Ge层上；SiO₂氧化层，位于N型Si层上；金属电极层，位于SiO_{2本实用新型在Si基改性Ge薄膜上实现了发光器件、波导以及探测器件位于同层结构中，改善了光电器件的集成度，提高了Si衬底层的兼容性，降低了光电器件制备工艺的复杂度和成本。}
本征光电器件衬底层基改性同层本实用新型单片金属电极层发光器件器件结构探测器件制备工艺复杂度集成度兼容性波导薄膜

[发明专利]Si基改性Ge单片同层光电器件-CN201811563099.0在审
发明人：薛磊;尹晓雪 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/153 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，该器件结构包括：P型Si衬底层；P型Ge层，位于P型Si衬底层上；本征GeSn层，位于P型Ge层上，本征GeSn层包括第一本征GeSn层、第二本征GeSn层和第三本征GeSn层，第二本征GeSn层位于第一本征GeSn层与第三本征GeSn层之间；SiO2隔离层，位于P型Ge层上；N型Ge层，位于第一本征GeSn层和第三本征GeSn层上；N型Si层，位于N型Ge层上；SiO2氧化层，位于N型Si层上；α‑Si覆盖层，位于第二本征GeSn层上；金属电极层，位于SiO2Si基改性Ge薄膜上实现了发光器件、波导以及探测器件位于同层结构中，改善了光电器件的集成度，提高了Si衬底层的兼容性，降低了光电器件制备工艺的复杂度和成本。
si 改性 ge 单片光电器件

[发明专利]基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器及其制备方法-CN201910669697.4在审
发明人：陆文强;张昆;付勰;康帅;冯双龙 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于黑硅和量子点的Si‑APD光电探测器及其制备方法,所述Si‑APD光电探测器包括本征Si衬底(1)、位于本征Si衬底(1)中心上方的P区(2)、位于本征Si衬底(1)两侧上方保护环区即N区(3)、位于P区(2)上方的N+区(4)、位于N+区(4)上方的N+黑硅层(5)、位于N+黑硅层(5)上表面的量子点区(9)、位于本征Si衬底(1)下方的P+区(7)、位于量子点区(9)和环形保护区本发明以覆盖了量子点的黑硅层作为光敏层，利用其高的红外吸收特性，解决了传统Si‑APD光电探测器无法响应近红外波段或者近红外响应度低等问题；本发明能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高，过噪声小
量子点本征Si衬底黑硅层近红外波段上表面黑硅制备红外吸收特性光电探测器光谱响应红外响应电极光波保护区光敏层下表面下电极响应度环区噪声响应覆盖吸收加工

[实用新型]基于黑硅和量子点的Si-APD光电探测器-CN201921166813.2有效
发明人：陆文强;张昆;付勰;康帅;冯双龙 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于黑硅和量子点的Si‑APD光电探测器,所述Si‑APD光电探测器包括本征Si衬底(1)、位于本征Si衬底(1)中心上方的P区(2)、位于本征Si衬底(1)两侧上方保护环区即N区(本实用新型以覆盖了量子点的黑硅层作为光敏层，利用其高的红外吸收特性，解决了传统Si‑APD光电探测器无法响应近红外波段或者近红外响应度低等问题；本实用新型能够吸收近红外波段光波，具有光谱响应宽，响应度高
基于量子 si apd 光电探测器

[发明专利]近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法-CN202110240656.0有效
发明人：王利明;魏颖;孙浩;胡辉勇;张一驰;王博;张蓓;邵际芳;苑西西;王斌;舒斌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括本征Si衬底层，位于本征Si衬底层上方的绝缘反射层，位于绝缘反射层上方的本征Ge衬底层，位于本征Ge衬底层表面两侧的金属电极本发明通过在本征Ge衬底层上形成包括Ge纳米结构和金属纳米结构复合纳米结构阵列，实现了Ge材料的本征吸收以及Ge上金属内部电子热吸收的双吸收机制，扩大了吸收范围，提高了探测效率；同时可通过调整结构参数实现红外通信波段的不同双波段响应
红外波段等离子体 ge 光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于GeSn材料的LED-CN201710348696.0有效
发明人：刘晶晶 -专利权人：厦门科锐捷半导体科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于GeSn材料的LED，包括：单晶Si衬底、P型晶化Ge层、本征Ge层及SiO₂钝化层；其中，所述单晶Si衬底、P型晶化Ge层、本征Ge层和钝化层依次层叠。采用本发明实施例提供的基于GeSn材料的LED，采用GeSn代替Ge作为光电集成电路中的光源，提高了发光效率，有效抑制缺陷的扩展从而获得高质量的Ge/Si虚衬底；并且，在Ge掺杂层和GeSn本征层之间引入
基于 gesn 材料 led

[发明专利]一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法-CN201510504418.0在审
发明人：李伟;盛浩;钟豪;卢满辉;郭国辉;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：一种基于MEMS微结构硅的Si-PIN四象限光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述四象限光电探测器的每个象限的Si-PIN光电探测器包括硅本征衬底1、位于硅本征衬底正面中央上方的P型区4、位于硅本征衬底正面中央上方四周的环形P⁺区3、位于硅本征衬底下方的N型本发明比传统Si-PIN四象限光电探测器具有响应度高、响应波段范围宽、象限间信噪比大等特点，可拓展Si-PIN四象限光电探测器的功能和使用范围，满足大规模市场化应用的需求。
一种基于 mems 微结构 si pin 象限光电探测器及其制备方法

[发明专利]异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构-CN201110141775.7无效
发明人：宋建军;王冠宇;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;周春宇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构，自上而下依次包括：异质金属堆叠栅结构；栅绝缘层；本征或者n-掺杂应变Si沟道层；本征或者n-掺杂组分渐变的应变Si1-xGex层；n掺杂弛豫Si1-yGey层；台阶式埋氧层；n掺杂衬底部分，由n+掺杂弛豫Si1-yGey层，n-掺杂弛豫Si1-yGey缓冲层、n掺杂驰豫SiGe渐变层以及n-掺杂单晶Si(100)衬底四部分构成。该器件结构简单，与常规体Si SOI工艺完全兼容，集成了“栅极工程”“应变工程”及“衬底工程”三者的优点，并易于CMOS结构工艺集成。
金属堆叠 ssgoi pmosfet 器件结构

[发明专利]PbS量子点Si-APD红外探测器及其制备方法-CN201910669611.8在审
发明人：陆文强;张昆;付勰;康帅;冯双龙 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提出一种PbS量子点Si‑APD红外探测器及其制备方法，所述探测器包括本征Si衬底(1)、减反膜区(4)、N+掺杂区(3)、P掺杂区(2)、P+掺杂区(6)、PbS量子点层(7)、上电极(5)和下电极(8)，减反膜区(4)位于本征Si衬底(1)正上方、N+掺杂区(3)位于反射区(4)下方、P掺杂区(2)位于N+掺杂区(3)下方、P+掺杂区(6)位于本征Si衬底(1)下方、PbS量子点层(7)位于P+
掺杂区量子点层本征Si衬底红外探测器反射区量子点下电极电极膜区制备近红外波段电子注入光谱响应光波上表面吸收层下表面响应度探测器噪声吸收加工

[发明专利]Si衬底上GeSn及Ge雪崩光电二极管及其制造方法-CN202210718214.7在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;苗渊浩 -专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si衬底上GeSn/Ge雪崩光电二极管及其制造方法。一种Si衬底上GeSn/Ge雪崩光电二极管，包括由下至上依次堆叠的：下部掺杂硅区，本征硅倍增层，中间掺杂硅层，本征锗吸收层，本征锗锡吸收层，上部掺杂锗锡层，其中，所述本征锗吸收层、本征锗锡吸收层和上部掺杂锗锡层中的至少上部掺杂锗锡层为黑锗锡
si 衬底 gesn ge 雪崩光电二极管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011205204.0有效
发明人：黄文军;唐昭焕;陈世杰;张斌 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内包含成对的P型掺杂区以及N型掺杂区，所述P型掺杂区以及N型掺杂区相互隔离；形成多个本征Ge结构，所述本征Ge结构位于各对P型掺杂区以及N型掺杂区之间的半导体衬底的表面；自所述半导体衬底的背面进行刻蚀，以在每个本征Ge结构形成一个或多个孔洞，其中，每个本征Ge结构的孔洞的截面积之和小于所述本征Ge结构的截面积，且自所述半导体衬底与所述本征Ge结构之间的界面起，所述孔洞在所述本征Ge结构内的深度小于所述本征Ge结构的深度；形成填充所述孔洞的介质层。本发明可以减少Si上外延生长Ge结构的界面缺陷。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]纵向PiNGe发光二极管-CN201710347364.0有效
发明人：刘晶晶 -专利权人：厦门科锐捷半导体科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该发光二极管10包括：P型Si衬底11以及依次层叠于所述P型Si衬底11上的本征Ge层12及N型Si层13。本发明具有Ge外延层位错密度低的优点，且利用其作为Si衬底上Ge LED有源区，能够很好地提高器件发光效率。
纵向 pinge 发光二极管

[发明专利]一种HIT太阳能电池及其制备方法-CN201410161505.6有效
发明人：陈贵锋;王弘;张辉;曹哲;张浩恩;张娇;贾少鹏;罗鸿志 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明一种HIT太阳能电池，该电池的组成包括P型多晶硅衬底（P p-Si），在P型多晶硅衬底正面依次沉积的第一本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、N型氢化非晶硅层（N a-Si:H）和第一透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上面为正面电极；在P型多晶硅衬底背面依次沉积的本征氢化非晶硅层（i a-Si:H）、P型氢化非晶硅层（P a-Si:H）和第二透明导电薄膜层，第二透明导电薄膜层下面为背面电极。本发明大大降低了电池生产成本，且使得太阳能电池不再受限于圆形的单晶硅衬底，可有效提高太阳能电池组件的平面利用率。
一种 hit 太阳能电池及其制备方法

[实用新型]n型锗生长结构和半导体器件-CN201520886096.6有效
发明人：周志文;叶剑锋;李世国 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种n型锗生长结构和半导体器件。本实用新型n型锗生长结构包括Si衬底和依次生长在所述Si衬底表面的Si_1-xGe_x缓冲层、Ge本征层、Si阻挡层和n型Ge掺杂层；其中，所述x为0＜x≤1。本实用新型半导体器件包括本实用新型n型锗生长结构。本实用新型n型锗生长结构中的Si阻挡层能够有效阻碍n型杂质向Ge本征层扩散，从而提高n型Ge掺杂层的电子浓度，形成陡峭的掺杂界面。本实用新型半导体器件性能优异。
生长结构半导体器件

[发明专利]一种Si衬底上Ge雪崩光电二极管及其制造方法-CN202210705577.7在审
发明人：亨利·H·阿达姆松;苗渊浩 -专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si衬底上Ge雪崩光电二极管及其制造方法。一种Si衬底上Ge雪崩光电二极管，包括由下至上依次堆叠的：下部掺杂硅区，本征硅倍增层，中间掺杂硅层，本征锗吸收层，上部掺杂锗层，其中，所述本征锗吸收层和所述上部掺杂锗层中的至少所述上部掺杂锗层为黑锗；所述下部掺杂硅层和所述上部掺杂锗层还分别连接有电极
一种 si 衬底 ge 雪崩光电二极管及其制造方法

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