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[发明专利]一种聚合物薄膜热贴合方法及其在顶栅有机场效应晶体管中的应用-CN200910237346.2无效
发明人：刘云圻;张磊;狄重安;郭云龙;孙向南;温雨耕;于贵;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种在有机半导体薄膜上制备聚合物绝缘薄膜的方法。该方法包括下述步骤：1)在亲水性基片表面制备聚合物薄膜，然后将所述亲水性基片浸入水中，水侵入所述聚合物薄膜与所述亲水性基片之间，使所述聚合物薄膜从所述亲水性基片表面剥落，并自发铺展于水的表面，将所述聚合物薄膜从水的表面转移到框架上，并将支撑着所述聚合物薄膜的框架放入烘箱，使所述聚合物薄膜烘干；2)使有机半导体薄膜表面与所述高分子聚合物薄膜表面相接触，并将它们置于烘箱中，在真度为0.001KPa-1KPa的条件下进行加热，冷却至室温后将薄膜取出，即在有机半导体薄膜表面制备得到高分子聚合物薄膜。采用上述方法可以最大程度上降低顶层绝缘层构建对有机半导体薄膜的负面作用，提高顶栅OFET的性能。
一种聚合物薄膜贴合方法及其有机场效应晶体管中的应用

[发明专利]薄膜晶体管-CN202210301217.0在审
发明人：黄彦杰;陈海清 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本公开提供薄膜晶体管、薄膜晶体管应力感测器、以及其形成方法。一种薄膜晶体管可包含非晶半导体通道层，有机材料压电应力栅极层，与非晶半导体通道层相邻形成，源极电极，耦接于有机材料压电应力栅极层，漏极电极，耦接于有机材料压电应力栅极层，以及栅极电极，耦接于有机材料压电应力栅极层在一些实施例中，非晶半导体通道层为非晶氧化铟镓锌。在一些实施例中，有机材料压电应力栅极层可为有机聚偏二氟乙烯。在一些实施例中，非晶半导体通道层形成于可弯曲的基板之上。
薄膜晶体管

[发明专利]稠合多环芳香族化合物薄膜及稠合多环芳香族化合物薄膜的制造方法-CN200580007572.1有效
发明人：大野荣一;夏日穣;南方尚 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2005-03-09 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明提供具有高移动度的有机半导体薄膜及其制造方法，以及用于该有机半导体薄膜通过湿法工艺制造的材料及其制造方法。另外，提供电子特性优良的有机半导体元件。通过使1，2，4－三氯苯蒸发，形成戊省薄膜，制成晶体管。
稠合多环芳香族化合物薄膜制造方法

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制作方法-CN201610956686.0有效
发明人：刘哲 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括：提供一基板；在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏极图案的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率通过上述方式，本发明能够大大提高源/漏极图案与有机半导体图案的接触性，进而减少有机薄膜晶体管中的漏电问题。
一种有机薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法-CN201510281075.6有效
发明人：杨尊先;郭太良;徐胜;周雄图;钱堃;杨洋 -专利权人：福州大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属量子点层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，作为相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对量子点导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值，因此，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
一种金属量子有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管制备方法

[发明专利]含有有机半导体的组合物、有机半导体层形成用溶液、有机半导体层以及有机薄膜晶体管-CN201980084707.6在审
发明人：森贵裕;福田贵 -专利权人：东曹株式会社
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供一种涂覆性优异的有机半导体层形成用溶液、使用该溶液制成的具有高耐热性的有机半导体及含有该有机半导体的层、以及表现出高的电气性能的有机薄膜晶体管。本发明涉及一种组合物，其含有有机半导体和具有选自式(1‑a)、式(1‑b)及式(1‑c)中的至少1种单元的聚合物(1)。含有有机半导体、聚合物(1)和有机溶剂的组合物可以适合作为有机半导体层形成用溶液使用。
含有有机半导体组合形成溶液以及有机薄膜晶体管

[发明专利]一种有机隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202310671443.2在审
发明人：张秀娟;邓巍;卢正军 -专利权人：苏州大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K10/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机隧穿场效应晶体管及其制备方法，涉及有机隧穿场效应晶体管的技术领域。本发明在有机半导体单晶薄膜层和金属氧化物层之间插入了分子插入层，可以有效阻止金属氧化物层对有机半导体单晶薄膜层的渗透和破坏，避免第一电机层团簇扩散到有机半导体单晶薄膜层中导致大量的缺陷、应变和无序态，减弱有机半导体单晶薄膜层和金属氧化物层的费米能级钉扎效应并减小了隧穿势垒，提高了BTBT的传输概率，从而使得有机隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅明显小于60mV dec‑1，表明器件可以以极快的速度开启。
一种有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]芳香烯二炔衍生物、有机半导体薄膜、生产方法和电子器件-CN200610171899.9无效
发明人：郑银贞;文炫植;韩国珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C07D333/18 文献下载
摘要：公开了芳香烯二炔衍生物、生产由该芳香烯二炔衍生物形成的有机半导体薄膜的方法和制造包括该有机半导体薄膜的电子器件的方法。根据本发明的芳香烯二炔衍生物具有改进的化学和/或电学稳定性，其能提高所制得的半导体器件的可靠性。根据本发明的芳香烯二炔衍生物还可适用于在室温或接近室温的温度下通过基于溶液的方法，例如旋涂，在各种基质上进行沉积以形成涂膜，然后将该涂膜加热以形成有机半导体薄膜。因此，根据本发明的所述有机半导体薄膜可用于薄膜晶体管、电致发光器件、太阳能电池和存储器件中。
芳香烯二炔衍生物有机半导体薄膜生产方法电子器件

[发明专利]有机半导体组合物、有机薄膜晶体管的制造方法及有机薄膜晶体管-CN201780017060.6有效
发明人：后藤崇;山本阳介;渡边哲也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供一种含有下述(a)～(c)的有机半导体组合物、使用了该组合物的有机薄膜晶体管的制造方法以及在有机半导体层具有上述(a)及(b)的有机薄膜晶体管：(a)特定分子量且特定结构的有机半导体聚合物；(b)特定分子量的绝缘性聚合物；(c)溶剂，上述有机半导体聚合物的重均分子量Mw1和上述绝缘性聚合物的重均分子量Mw2满足下述关系式：0.1≤Mw1/Mw2≤10，上述有机半导体组合物中的上述有机半导体聚合物的含量
有机半导体组合有机薄膜晶体管制造方法

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置-CN201410505119.4有效
发明人：黄维 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管制备技术领域，公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置。所述有机薄膜晶体管的有机半导体层形成在各向异性的绝缘层上，保证了有机半导体层具有高有序度的晶化方向，并使得有机半导体层具有特定的取向，能够提高载流子迁移率，提升有机薄膜晶体管的性能。而且制备所述绝缘层的工艺具备工艺简单、可大面积化、成本低廉等优势，制得的各向异性绝缘层厚度较薄，由于没有机械摩擦，也不存在摩擦产生的颗粒导致的不良。
一种有机薄膜晶体管及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、电光装置及电子设备-CN200810186918.4有效
发明人：青木敬 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种薄膜晶体管，其具有有机半导体层，所述有机半导体层含有具有p型半导体特性的有机半导体材料，该薄膜晶体管能够抑制断态电流的增大，且晶体管特性优异；还提供具有该晶体管的可靠性优异的电光装置以及电子设备本发明的薄膜晶体管具有源电极5与漏电极6、有机半导体层4、第1绝缘层3、栅电极2、第2绝缘层7，有机半导体层4包含具有p型半导体特性的有机半导体材料，且第2绝缘层7包含上述通式(1)所示的化合物，从而形成从第2绝缘层7向有机半导体层4施加电子的构成，式中，R¹及R²各自独立地表示取代或未取代的亚烷基，X¹、X²、X
薄膜晶体管电光装置电子设备

[发明专利]双功能光敏-光记忆有机晶体管及其制备方法-CN201911338893.X在审
发明人：黄佳;施谦谦;刘大鹏 -专利权人：同济大学
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种双功能光敏‑光记忆有机晶体管，包括衬底、双层薄膜以及电极，设置于第二薄膜层的上表面，其中，双层薄膜为有机半导体‑光致变色材料双层薄膜，第一薄膜层为光致变色材料薄膜层，第二薄膜为有机半导体层材料薄膜层还提供了制备方法，包括如下步骤：制作衬底；使用丙酮、异丙醇依次对衬底进行超声清洗，再用乙醇和去离子水冲洗，而后用氮气吹干衬底的表面，得到处理后的衬底；在处理后的衬底上旋涂二芳基乙烯DAE，得到第一膜层，再在第一薄膜层上蒸镀二萘并噻吩酮DNTT，得到第二膜层，从而得到双层薄膜；在第二薄膜层上沉积金属，从而得到电极，进而得到有机半导体‑光致变色双层薄膜的双功能光敏‑光记忆有机晶体管。
功能光敏记忆有机晶体管及其制备方法

[发明专利]顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置-CN201210347746.0无效
发明人：野本和正;米屋伸英;大江贵裕 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述顶栅型有机薄膜晶体管包括：基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层被形成在各自都用所述第一层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方；以及栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜沉积在所述有机半导体层上。本发明公开的电子装置中设置有上述顶栅型有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。
顶栅型有机薄膜晶体管制造方法电子装置

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法-CN201110126581.X无效
发明人：张学辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制造方法，涉及有机半导体器件领域。本发明制造方法包括：在衬底上形成有机半导体层；在有机半导体层上形成由光敏材料制成的栅绝缘层；对所述栅绝缘层进行曝光；对曝光后的所述栅绝缘层进行显影，获得图案化的栅绝缘层；在形成有所述图案化的栅绝缘层的所述有机半导体层上形成金属膜本发明简化了有机薄膜晶体管制造工艺，降低了有机薄膜晶体管的制造成本。
有机薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]一种空穴传输型有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201110278744.6无效
发明人：蒋亚东;于军胜;蔡欣洋;于欣格 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种空穴传输型有机薄膜晶体管及其制备方法。所述空穴传输型有机薄膜晶体管，其结构为底栅顶接触式或底栅底接触式，包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、第一过渡层、P型有机半导体层、源电极和漏电极，所述P型有机半导体层包括第一有机半导体层和第二有机半导体层，在第一有机半导体层和第二有机半导体层间设有空穴阻挡层，在空穴阻挡层和第二有机半导体层间设有第二过渡层。本发明采用一层空穴阻挡层插入有机功能层中间将传统的单沟道传输变为双层沟道传输，在绝缘层及空穴阻挡层上分别制备一层过渡层提高了两层有机功能层结晶程度来达到接近单晶有机晶体管的高迁移率特性，从而大幅的降低了制备成本
一种空穴传输有机薄膜晶体管及其制备方法

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