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- [发明专利]超声传感器-CN202010253611.2在审
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神谷达也;石井格;种村友贵;青木敬;加藤哲弥
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株式会社电装
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2020-04-02
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2020-10-20
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G01S15/931
- 超声传感器(1)包括:元件存储壳体(4),其包括至少一个壳体侧膜片(43a),该壳体侧膜片是厚度方向沿着方向轴(DA)的振动板;和至少一个超声元件(50),其容纳在元件存储壳体中并与壳体侧膜片间隔开。超声元件包括元件侧膜片(54),该元件侧膜片(54)是具有沿方向轴的厚度方向的振动膜,并且由厚度方向沿着方向轴的半导体基板(51)的薄部提供。半导体基板设置为在壳体侧膜片与元件侧膜片之间提供至少一个封闭空间(SC)作为共振空间。半导体基板由元件存储壳体固定和支撑。
- 超声传感器
- [发明专利]带斜槽的定子的制造装置-CN201210216022.2有效
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青木敬
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日特机械工程株式会社
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2012-06-26
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2013-01-23
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H02K15/02
- 本发明的带斜槽的定子的制造装置,能够自由地调整扭转的程度并且使接合时的定子芯的层叠方向的厚度均匀。该带斜槽的定子的制造装置具有:用于载置定子芯的一个端面的基座;以能够相对于基座拆卸并以能够倾斜活动的方式竖立设置,并且插通于沿定子芯的轴向连通的切槽或狭缝的销;以从周围包围定子芯的方式竖立设置于基座的多个支柱;设置于多个支柱的端部且构成为与定子芯的另一个端面抵接,从而能够按压定子芯的按压部件;位于定子芯的另一个端面侧且对销的顶端进行卡止的操作部件;以及设置于操作部件,用于使操作部件以定子芯的中心轴为旋转中心进行旋转的操作手柄,优选具有防止销从切槽脱离的多个环状板。
- 斜槽定子制造装置
- [发明专利]电路基板、电光装置及电子设备-CN200910160313.2有效
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青木敬
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精工爱普生株式会社
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2009-08-05
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2010-02-10
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G02F1/167
- 本发明涉及电路基板、电光装置及电子设备。其具有可以使成品率提高的结构。电路基板具备:在基板上沿第1方向所形成的多条扫描线(14);在基板上沿与第1方向交叉的第2方向所形成的多条信号线(15);分别与多条扫描线之中某1条电连接且与多条信号线之中某1条电连接的多个晶体管(11);覆盖多条扫描线、多条信号线及多个晶体管所形成的绝缘层;和分别与多个晶体管之中某1个晶体管电连接的多个电极(34)。而且,在绝缘层中,以多个电极之中至少2个相邻的电极为1组而按该每1组电极形成1个开口部(35),多个电极的各自通过开口部与1个晶体管电连接。
- 路基电光装置电子设备
- [发明专利]薄膜晶体管、电光装置及电子设备-CN200810186918.4有效
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青木敬
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精工爱普生株式会社
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2008-12-10
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2009-06-17
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H01L51/05
- 本发明的课题在于提供一种薄膜晶体管,其具有有机半导体层,所述有机半导体层含有具有p型半导体特性的有机半导体材料,该薄膜晶体管能够抑制断态电流的增大,且晶体管特性优异;还提供具有该晶体管的可靠性优异的电光装置以及电子设备。本发明的薄膜晶体管具有源电极5与漏电极6、有机半导体层4、第1绝缘层3、栅电极2、第2绝缘层7,有机半导体层4包含具有p型半导体特性的有机半导体材料,且第2绝缘层7包含上述通式(1)所示的化合物,从而形成从第2绝缘层7向有机半导体层4施加电子的构成,式中,R1及R2各自独立地表示取代或未取代的亚烷基,X1、X2、X3及X4表示氢原子或给电子性基团,n表示100~100000,其中,X1、X2、X3及X4中的至少1个为给电子性基团。
- 薄膜晶体管电光装置电子设备
- [发明专利]有机晶体管及有源矩阵基板-CN200810128074.8有效
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青木敬
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精工爱普生株式会社
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2008-07-29
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2009-02-04
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H01L51/05
- 本发明涉及有机晶体管及有源矩阵基板。使寄生电容均匀。有机晶体管(100)具备:具有预定长度(L)的栅电极(50),源电极(30)及漏电极(60),设置于源电极与漏电极间的有机半导体部(40),和有机半导体部内的沟道区域(45)。漏电极在俯视状态下整体重叠于栅电极,相对于漏电极,带状的连接布线部(61)沿一侧(La)延伸地连接,并且宽度不足连接布线部2倍的带状的虚设连接布线部(62)沿栅电极的长度方向的另一侧(Lb)延伸地连接。连接布线部延伸于栅电极的一侧的端缘或端缘的一侧(La),且虚设连接布线部延伸于栅电极的另一侧的端缘或端缘的另一侧(Lb)。
- 有机晶体管有源矩阵
- [发明专利]有机晶体管、其制造方法及电子设备-CN200810081588.2有效
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青木敬
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精工爱普生株式会社
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2008-03-07
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2008-09-10
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H01L51/05
- 本发明涉及有机晶体管、其制造方法及电子设备。提供迁移率、导通截止比、阈值电压良好且特性的不一致少的有机晶体管。本发明的有机晶体管(1)具备:设置于栅电极(15)与源电极(11)的对向区域(S1)的第1半导体区域(131),设置于栅电极(15)与漏电极(12)的对向区域(S2)的第2半导体区域(132),和设置于第1半导体区域(131)与第2半导体区域(132)之间的区域(S3)的第3半导体区域(133);当设第1半导体区域(131)的厚度的平均值为W1、第2半导体区域(132)的厚度的平均值为W2、第3半导体区域(133)的厚度的平均值为W3时,W1、W2及W3满足W1、W2<W3的关系。
- 有机晶体管制造方法电子设备
- [发明专利]电路基板、电路基板的制造方法、电光学装置和电子设备-CN200710088787.1有效
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青木敬
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精工爱普生株式会社
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2007-03-22
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2007-09-26
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H01L51/05
- 本发明提供一种带有基板、栅电极、栅绝缘层、源电极、漏电极和有机半导体层的电路基板,减小了其反向电流。本发明的电路基板(1)的特征在于其具备:基板(7)、安装在基板(7)的一面侧的源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(2)、使该源电极(5)和漏电极(6)与该栅电极(2)绝缘的栅绝缘层(3)和与该栅绝缘层(3)相接设置的有机半导体层(4),在形成有所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中具有底面位于所述基板(7)的内部或基板(7)侧的凹部(8),所述有机半导体层(4)的所述源电极(5)和漏电极(6)之间的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面设定在比该区域以外的区域中与所述栅绝缘层(3)的界面更靠向所述基板(7)的一侧。
- 路基制造方法光学装置电子设备
- [发明专利]电路基板、电光学装置和电子设备-CN200710085759.4有效
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青木敬
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精工爱普生株式会社
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2007-03-14
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2007-09-19
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H01L51/05
- 本发明提供一种电路基板,是一种不必考虑绝缘层与半导体层之间的电阻关系等而提高半导体层中的迁移率的电路基板,本发明的电路基板的特征在于,包括:设置在基板(2)的一面侧的源电极、漏电极(5)和栅电极(6);使该源电极(5)和漏电极(6)与该栅电极(2)绝缘的第一绝缘层(3);与该第一绝缘层(3)接触设置的有机半导体层(4);与该有机半导体层(4)接触设置的第二绝缘层(7),其中所述第二绝缘层(7)含有由下述通式(1)表示的化合物,【化1】,式中,R1和R2分别独立表示可具有取代基的亚烷基,X1、X2、X3和X4表示氢或吸电子型基团,n表示100~100000,其中,X1、X2、X3和X4全部为氢的情况除外。
- 路基光学装置电子设备
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