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[发明专利]一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜气体传感器-CN201110073530.5无效
发明人：闫东航;王秀锦;纪世良 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： G01N27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种气敏层采用弱外延有机半导体薄膜的气体传感器，利用弱外延生长的有机半导体单晶薄膜在单分子层厚度时依然保持较高的电导率的特点，采用厚度仅为几个纳米的弱外延生长的有机半导体薄膜作为气敏层，可以有效减少敏感气体进出薄膜的路径，克服现有有机半导体气体传感器中气敏层多为多晶或非晶薄膜，电导率低，厚度通常在几百甚至上千纳米，敏感气体进出薄膜路径长，器件响应/回复时间长的缺点。本发明提供的有机半导体气体传感器在室温条件下即可以检测体积分数为百万分之五二氧化氮气体，并且响应/回复时间不大于5分钟。
一种气敏层采用外延有机半导体薄膜气体传感器

[发明专利]有机薄膜太阳能电池半导体薄膜及其形成方法、制造方法-CN200810097580.5无效
发明人：王式禹;黄炳综;许秀治;蓝钏漫 -专利权人：铼德科技股份有限公司
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机薄膜太阳能电池元件，至少包含一具粗糙表面的半导体薄膜层，及其形成方法、制造方法。该具粗糙表面的半导体薄膜层可为一P型半导体层或一N型半导体层，以在P型半导体层及N型半导体层接面产生一粗糙形貌。
有机薄膜太阳能电池半导体及其形成方法制造

[发明专利]有机薄膜的形成方法-CN201480020235.5在审
发明人：酒井正俊;工藤一浩;贞光雄一;滨田雅裕 -专利权人：日本化药株式会社
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供通过简易的工艺形成晶体沿一定方向生长的有机半导体薄膜的方法。一种有机薄膜的形成方法，其为在两个树脂基材之间形成有机半导体材料的有机薄膜的方法，其中，所述方法包括通过使用热层压法对配置有所述有机半导体材料的一个树脂基材和另一个树脂基材进行压制而将其贴合。
有机薄膜形成方法

[发明专利]包含有机受体膜的有机薄膜晶体管-CN200510054705.2有效
发明人：徐旼彻;杨南喆;金慧东 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-03-14 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：一种有机薄膜晶体管(TFT)，其包括：有机半导体膜；与该有机半导体膜电接通的源极和漏极；与源极和漏极以及有机半导体膜电绝缘的栅电极；和插入源极和漏极与有机半导体膜之间的有机受体膜。
包含有机受体薄膜晶体管

[发明专利]一种高迁移率各向异性有机场效应管的制备方法-CN200610083998.1无效
发明人：王丛舜;商立伟;涂德钰;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体器件领域，一种结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，首先沉积生长第一层有机半导体薄膜，然后通过氧气等离子体干法刻蚀技术把设计好的图形转移到第一层有机薄膜表面上，再沉积生长第二层有机半导体薄膜。其步骤如下：1.在导电基底上制备绝缘介质层；2.在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜；3.利用镂空模板采用氧气等离子体干法刻蚀有机薄膜，把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上；4.沉积生长第二层同质有机物薄膜；5.通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极，完成各向异性有机场效应管的制备。
一种迁移率各向异性有机场效应制备方法

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201410818567.X在审
发明人：方汉铿;谢应涛;欧阳世宏;蔡述澄;石强;刘则 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，涉及有机半导体器件领域，通过该制备方法，可以降低有机薄膜晶体管的关态电流，进而提高其开关比。一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，还包括：至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理。用于有机薄膜晶体管、包含该有机薄膜晶体管的显示面板或者显示装置的制备。
一种有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用-CN202010100313.X有效
发明人：李荣金;刘璇宇;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用，制备方法包括：将10～20μl半导体溶液滴加至第一基液中，静置，得到第二基液，将PTS修饰载体垂直插入第二基液中，再以5～10um/s的速度将PTS修饰载体向上垂直提拉，在PTS修饰载体的表面获得超薄晶态连续有机半导体薄膜，其中，半导体溶液为半导体和有机溶剂的混合物，半导体溶液中半导体的浓度为0.5～1mg/mL，第一基液为四丁基溴化铵和水的混合物，第一基液中四丁基溴化铵的浓度为8～10mg/mL，有机溶剂为甲苯或氯苯。本发明运用较少的有机半导体生成了大面积连续半导体薄膜，可以应用到大面积集成电路的制备。
超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法-CN201811078943.0有效
发明人：卢珂鑫;刘兆平 -专利权人：宁波石墨烯创新中心有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，属于有机电子和光电子技术领域。有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：(1)、在形成有源漏极的基板上形成有机半导体层。(2)、在有机半导体层的远离基板的一侧形成有机绝缘层。(3)、干刻有机半导体层和有机绝缘层的凸起边缘。(4)、在有机绝缘层的远离有机半导体层的一侧形成栅极。此制备方法能够避免有机层脱膜，可获得高质量、厚度均一的有机绝缘层，得到的有机薄膜晶体管的电学性能更佳。
一种有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]有机薄膜晶体管的制作方法-CN201710245003.5有效
发明人：梁博;王威 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公布了一种有机薄膜晶体管的制作方法，包括：在金属基板的表面形成石墨烯层；覆盖有机溶液于所述石墨烯层的表面，并加热所述石墨烯层以在所述石墨烯层表面形成有机半导体纳米线；转移所述有机半导体纳米线至目标基板在金属基板表面大规模形成石墨烯层，以石墨烯层为基底大规模生长有机半导体纳米线(单晶半导体)，有机半导体纳米线转印于目标基板后形成有机薄膜晶体管的有机半导体层，大面积的金属基板表面可以一次性形成大量的有机半导体纳米线，可以快速、高质量的将金属基板的有机半导体纳米线大规模的转移到目标基板，降低制作过程耗时，满足大规模生产需求，显示设备的产能高，降低了生产成本。
有机薄膜晶体管制作方法

[发明专利]有机薄膜太阳能电池及其制造方法-CN201080014191.7无效
发明人：罗永春;岩本祐子;永元公市;近藤健 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜太阳能电池，其光电转换效率更高并且易于制造，实现了大规模生产和成本降低。本发明还提供了用于制造这种有机薄膜太阳能电池的方法。太阳能电池(100-102)包括混合P型有机半导体层(12M)、混合N型有机半导体层(14M)或两者。混合P型和混合N型有机半导体层(12M，14M)中混合了多种类型的有机半导体材料。通过选择适当的有机半导体材料并且以这种方式混合所述材料来形成有机半导体层，提高了太阳能电池的光电转换效率。
有机薄膜太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法-CN201910948299.6在审
发明人：李明亮;李硕;王国治;魏峰 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法，包括以下步骤：将熔融拉膜法或碾膜法获得的高度取向的高分子薄膜覆盖于硅衬底上作为介电层；将功能有机半导体材料涂敷在取向高分子薄膜表面；通过溶液退火法获得高度取向的有机半导体晶体阵列。本发明的方法，能够提高有机半导体器件响应。
高度取向取向半导体技术领域高分子薄膜表面功能有机半导体有机半导体晶体有机半导体器件高分子薄膜器件阵列有机晶体硅衬底介电层拉膜法退火法膜法熔融涂敷制备响应覆盖

[发明专利]有机半导体单晶复合取向聚合物薄膜及制备方法、光电器件及应用-CN202310256385.7有效
发明人：李寒莹;于冠雄;钟志翔 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C08L65/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机半导体单晶复合取向聚合物薄膜及制备方法、光电器件及应用，其中复合薄膜包括取向聚合物和有机半导体单晶，取向聚合物为有机聚合物沿单一方向排列而成的聚合物纤维，有机半导体单晶紧密包裹聚合物纤维其中本发明还提供了复合薄膜的制备方法，包括通过空间限域和定向结晶方法制备取向聚合物薄膜，并在取向聚合物薄膜上通过溶液法生长有机半导体单晶。采用本发明提供的方法制备的复合薄膜，同时兼顾体异质结较大异质结界面面积和长程有序性，在保证激子高效解离的同时，实现高载流子迁移率和长激子扩散距离。与有机半导体单晶复合无序聚合物相比，通过聚合物取向进一步增加体系长程有序性，荧光寿命降低27％。
有机半导体复合取向聚合物薄膜制备方法光电器件应用

[发明专利]一种有机半导体薄膜及其制备方法-CN202110077398.9有效
发明人：王向华 -专利权人：上海比英半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开一种有机半导体薄膜及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：制备具有壳层结构的无机纳米晶；对具有壳层结构的无机纳米晶中的阴离子及金属离子进行同步离子交换，获得具有壳层结构的结构相对稳定的改性无机纳米晶；将所述具有壳层结构的改性无机纳米晶与共轭有机小分子共同分散于有机溶剂中，获得分散液；通过所述分散液形成所述有机半导体薄膜。本发明通过独立调控有机半导体薄膜材料的光电性能和结晶形貌，获得同时具有优异光学性能和载流子输运性能的有机半导体薄膜材料。
一种有机半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]有机薄膜晶体管制备方法和制备装置-CN201610384814.9有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括在绝缘基底上制备有机半导体层、源极、漏极、栅极及绝缘层的步骤，该制备有机半导体层的步骤包括：提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机半导体层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机半导体层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机半导体层源材料为该有机半导体层的材料或者用于形成该有机半导体层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机半导体层；以及将该蒸发源与绝缘基底相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该有机半导体层源材料蒸发，在该绝缘基底上蒸镀形成有机半导体层。本发明还提供一种有机薄膜晶体管的制备装置。
有机薄膜晶体管制备方法装置

[发明专利]有机薄膜晶体管和包括有机薄膜晶体管的平板显示装置-CN200610058909.8无效
发明人：杨南喆 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-03-08 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：提供了一种有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管提供了空穴在源极或漏极与p型有机半导体层之间的更平滑的移动，和包括所述有机薄膜晶体管的平板显示装置。所述有机薄膜晶体管包括基板、设置在所述基板上的栅极、与所述栅极绝缘的p型有机半导体层、彼此隔开且与所述栅极绝缘的源极和漏极、和插置在所述源极和所述漏极与所述p型有机半导体层之间的空穴注入层。
有机薄膜晶体管包括平板显示装置