专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]获取光掩模的补偿掩膜的方法、曝光方法及曝光系统-CN202110948648.1在审
  • 丁德宝 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-18 - 2021-11-16 - G03F1/00
  • 本申请实施例涉及半导体领域,提供一种获取光掩模的补偿掩膜的方法、曝光方法以及曝光系统,获取光掩模的补偿掩膜的方法包括:提供光掩模,光掩膜包括感光层和图形化的遮光层,图形化的遮光层位于感光层表面;利用曝光机台对光掩模进行临界尺寸偏差测试,获取光掩模的特征尺寸的偏差区域以及偏差区域具有的偏差值;基于偏差区域以及偏差值,形成与曝光机台对应的补偿掩膜,补偿掩膜内具有衰减区域,在利用光掩膜进行曝光处理期间,补偿掩膜位于光掩膜与曝光光源之间,且衰减区域与偏差区域正对,衰减区域用于衰减曝光光源发出经由衰减区域到达偏差区域的光线的光照强度,至少可以提高光掩模的临界尺寸均匀性。
  • 获取光掩模补偿方法曝光系统
  • [发明专利]自动曝光方法与装置-CN200810103479.6无效
  • 沈操;王浩 - 北京中星微电子有限公司
  • 2008-04-07 - 2008-09-10 - H04N5/235
  • 本发明公开了一种自动曝光方法,该方法包括,A.在初步曝光并提取图像数据后,根据线性数据中图像亮度值和曝光值之间的关系,计算目标曝光值和当前曝光值;B.根据所述目标曝光值和所述当前曝光值确定曝光值差值,根据所述曝光值差值进行曝光时间偏差值和亮度增益偏差值的计算;C.按照所述曝光时间偏差值和所述亮度增益偏差值,将曝光图像调整到新曝光时间和新亮度增益,判断所述新曝光时间和新亮度增益下的图像的亮度值与目标亮度值之差是否满足条件,若否,继续进行A的计算,直到图像的亮度值与目标亮度值之差满足条件同时,本发明还公开了一种自动曝光装置。本发明实施例采用线性图像数据进行处理,减小了自动曝光的计算量。
  • 自动曝光方法装置
  • [发明专利]测距装置及其控制方法-CN202210289420.0在审
  • 今井猛 - 日立乐金光科技株式会社
  • 2022-03-22 - 2022-10-21 - G01S7/282
  • 测距装置通过照射光被对象物反射到返回为止的飞行时间来测定到该对象物为止的距离,通过曝光栅移位控制部改变曝光栅的移位量的同时通过亮度测定部测定曝光的电荷量作为亮度,将亮度最大的曝光栅的移位量设为其他测距装置的发光曝光定时,通过曝光栅周期控制部改变曝光栅的周期的同时通过亮度测定部计算曝光的电荷量的亮度的偏差,根据偏差的有无判定为曝光栅的周期的值是其他测距装置的发光期间,通过曝光栅周期控制部改变曝光栅的周期的同时通过亮度测定部计算曝光的电荷量的亮度的偏差,判定为偏差最小时的曝光栅的周期的值的1/2是其他测距装置的发光周期。
  • 测距装置及其控制方法
  • [发明专利]数字放射成像曝光剂量的评价方法-CN201310440199.5在审
  • 郭朋;李运祥 - 深圳市蓝韵实业有限公司
  • 2013-09-25 - 2015-03-25 - G03B7/00
  • 本发明公开一种数字放射成像曝光剂量的评价方法,其包括步骤:采集不同曝光电流下的多幅曝光图像,并记录每幅曝光图像对应的曝光剂量Dosei,通过线性拟合公式为Dosei=Slop*Meani+Offset确定每幅曝光图像的灰度均值Meani与对应的曝光剂量Dosei进行线性拟合时的斜率Slop和偏移量Offset;在待评价的曝光图像中提取感兴趣区域并计算感兴趣区域的感兴趣值Value,利用公式EI=Slop*Value+Offset计算曝光指数EI;通过计算曝光偏差指数DI,EIT为预设的目标曝光指数,曝光偏差指数DI为正时表示曝光剂量偏高,曝光偏差指数DI为负时表示曝光剂量偏低本发明通过计算曝光偏差指数DI来对曝光剂量进行客观的量化评估,从而方便后续调整曝光参数,获得曝光剂量适当的图像。
  • 数字放射成像曝光剂量评价方法
  • [发明专利]控制蚀刻偏差的方法-CN200710048000.9有效
  • 罗大杰 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-11-08 - 2009-05-13 - G05D3/20
  • 本发明提供一种控制蚀刻偏差的方法,蚀刻偏差是光刻后特定图形尺寸的大小ADI CD与蚀刻后介质层尺寸的大小AEI CD的差值;其中,该方法包括建立数据库步骤和自动控制步骤,首先建立不同曝光焦距对应的不同蚀刻偏差的数据库,然后在实际工艺中可以执行自动控制的步骤,该自动控制步骤包括如下子步骤:a1.先获取ADI CD的测量值和AEI CD的测量值,然后获取对应的蚀刻偏差;a2.搜索数据库找到与该蚀刻偏差最匹配的曝光焦距;a3.将现有的曝光焦距设定为搜索到的最匹配的曝光焦距。本发明有效克服曝光焦距在使用过程中由于漂移导致这一缺陷;还可以实时监控蚀刻偏差,根据蚀刻偏差实时调整曝光焦距。
  • 控制蚀刻偏差方法
  • [发明专利]曝光机镜组条纹的改善方法-CN201610504092.6有效
  • 丁磊 - 武汉华星光电技术有限公司
  • 2016-06-29 - 2017-12-29 - G03F7/20
  • 本发明提供一种曝光机镜组条纹的改善方法,该方法通过设有测量标记图案的测试光罩和选定的两个相邻的投影镜头对基板进行两次曝光,该两次曝光时,通过改变两个投影镜头的相对位置,使得用该两个投影镜头对基板进行第二次曝光时投影到基板上的图像相对于第一次曝光时投影到基板上的图像形成一定的偏差,通过测量形成在基板上两层测量标记之间的实际偏差量,再计算实际偏差量与理论偏差量之间的差值,得出该选定的两投影镜头的接续部偏差量,最后将得到的接续部偏差量输入曝光机,进行接续部偏差量补正,从而改善接续部的特征线宽和重合精度
  • 曝光机镜组条纹改善方法
  • [发明专利]曝光工艺及曝光-CN202110972435.2在审
  • 倪沁心;陈铁玉;陈建明;梁添贵 - 广东华恒智能科技有限公司
  • 2021-08-24 - 2021-11-23 - G03F9/00
  • 本申请公开了一种曝光工艺及曝光机。在柔性线路板与菲林片之间的尺寸偏差值大于对位精度公差时,可以对柔性线路板进行分区曝光,通过分区曝光的方法,使区域与菲林片相对应部分之间的尺寸偏差值同比例缩小,使得区域与菲林片相对应部分之间的尺寸偏差值能够≤对位精度公差,使区域能够进行曝光,然后通过多次曝光,即可将原本无法曝光的柔性线路板进行曝光,提高了产品生产速率。
  • 曝光工艺
  • [发明专利]一种掩膜版图形关键尺寸精度优化方法-CN202210205001.4在审
  • 徐智俊;李文;徐兵;杜晓威 - 合肥清溢光电有限公司
  • 2022-03-02 - 2022-05-27 - G03F1/36
  • 本发明涉及掩膜版光刻曝光,具体涉及一种掩膜版图形关键尺寸精度优化方法,设计具有不同图形缝隙面积占比ε的图形,并进行曝光量δ设计;采用固定的湿法制程工艺和CD测量系统,并计算关键尺寸偏差,建立曝光量δ与图形缝隙面积占比ε的关键尺寸偏差模型;截取客户订单主图形,分析计算对应的图形缝隙面积占比ε;基于关键尺寸偏差模型选择合适的曝光量δ,并根据关键尺寸偏差结果进行优化;本发明提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的光刻曝光图形在关键尺寸上与设计值之间存在不稳定偏差的缺陷
  • 一种版图关键尺寸精度优化方法
  • [发明专利]拍摄装置和拍摄方法-CN201710196016.8在审
  • 野田雅隼 - 奥林巴斯株式会社
  • 2017-03-29 - 2017-10-20 - H04N5/235
  • 执行根据摄像部输出的摄像信号计算适当曝光量与当前设定的实际曝光量之间的偏差曝光偏差计算步骤(S1)、变更光圈的开口而控制摄像部的曝光的第1曝光控制步骤(S11、S17、S27、S33)、不变更光圈的开口而控制摄像部的曝光的第2曝光控制步骤(S13、S19、S29、S35)、根据偏差选择第1曝光控制步骤或第2曝光控制步骤来控制曝光的控制步骤(S3、S5、S21)。
  • 拍摄装置方法

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