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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]分光光度计-CN85101421.6无效
发明人：西村节志 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1990-02-07 - 主分类号： G01J3/42 文献下载
摘要：本发明分光光度计，在暗电流校正电路的前级设置倍增管电极反馈电路，对应于暗电流校正电路校正前的信号量，由倍增管电极反馈电路进行控制光电倍增管的倍增系数，所以与屏蔽盖开闭所造成的射入外光无关，消除了损伤光电倍增管的危险
分光光度计

[发明专利]纳米颗粒及界面层协同的有机光电倍增探测器及制法-CN202310671278.0在审
发明人：石林林;李耀江;滑羽路;崔艳霞;李国辉;冀婷;马佳琪;郝玉英 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10K30/35 文献下载
摘要：所述纳米颗粒及界面层协同的有机光电倍增探测器在实现较高信号对比度的同时，显著改善器件的暗电流，兼具高亮电流和低暗电流的高灵敏度，而且，界面层的引入改善了器件正向不响应的缺点，使得器件在正反偏压下都具有明显的亮暗电流差
纳米颗粒界面协同有机光电倍增探测器制法

[发明专利]一种低暗电流硅基二维材料MRR光电探测器及制备方法-CN202310699072.9在审
发明人：祝连庆;黄煜明;鹿利单;董明利;张旭;夏嘉斌 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供了一种低暗电流硅基二维材料MRR光电探测器，所述光电探测器包括：微环谐振腔结构，所述微环谐振腔结构包括直波导和微环，其中，在所述微环上集成二硫化钨/六方氮化硼/二硒化钯异质结构，其中，六方氮化硼集成在所述微环上本发明基于微环谐振腔结构的微环集成nBn型异质结，形成具有单极性势垒结构的nBn型低暗电流的光电探测器，可以实现抑制暗电流的同时在高温下工作，得到相比当前广泛使用的其他类型集成光电探测器更好的输出电流。
一种电流二维材料 mrr 光电探测器制备方法

[发明专利]一种测量半导体探测器暗电流的方法-CN201010519142.0有效
发明人：李明;薛京谷;谭丽丽 -专利权人：江苏奥雷光电有限公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种测量半导体探测器暗电流的方法，将数个半导体探测器连接于探测器老化检测夹具上并并联后，给探测器老化检测夹具上的半导体探测器加上反向伏电压；当电流表上显示的暗电流小于100纳安培时，则判定所测的半导体探测器均为合格品；否则判定所测的数个半导体探测器中有不合格品，将所测的数个半导体探测器分成两组分别再次按照上述流程检测，直至找出不合格品，本发明测量半导体探测器暗电流的方法可一次同时测量数个半导体探测器，能够显著提高检测效率
一种测量半导体探测器电流方法

[发明专利]光电探测电路以及光电探测器-CN201710414695.1有效
发明人：史永明;马占洁;田慧;王纯 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：该光电探测电路增加一个第二子电路，并通过第二子电路输出暗电流，然后将该暗电流与第一子电路输出的电流信号进行差值处理，从而可以消除光电探测电路中的暗电流噪声，增大信噪比，提高探测精度。
光电探测电路以及探测器

[实用新型]一种PD暗电流测试治具-CN201620488816.8有效
发明人：张文臣;张彩;张亮;崔琳;洪振海 -专利权人：大连藏龙光电子科技有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种测量治具，具体涉及一种PD暗电流测试治具。提出一种PD暗电流测试治具，包括绝缘固定治具、金属块及导线，绝缘固定治具上间隔固定有两个金属块，两个金属块分别与待测PD的正、负极接触，金属块上固定连接有导线。本实用新型同现有治具相比，具有如下优点：不使用传统探针测试PD暗电流的方式，而是直接将PD固定在治具上，同时通过2个金属块给PD正负极供电，通过与两个金属块连接的导线接供电电源及电流表。
一种 pd 电流测试

[发明专利]一种快速减小成像光谱仪反演误差的处理方法-CN202011567515.1在审
发明人：张泉;黄书华;赵欣;邱晓晗;常振;林方;司福祺 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01N21/33 文献下载
摘要：通过CCD暗电流温度校正因子计算暗电流，建立空间维信号成像模型，逆向推算空间维暗电流信号差异，校正后整个像面的暗背景响应值基本保持一致。
一种快速减小成像光谱仪反演误差处理方法

[发明专利]固态成像器件、成像装置和像素驱动方法-CN200980118834.X有效
发明人：工藤成贵 -专利权人：索尼公司
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H04N5/361 文献下载
摘要：提供的是CMOS固态成像器件，其中使得泄漏现象所引起的暗电流的抑制与确保元件的可靠性之间的兼容性成为可能。仅当电荷累积时间长时(其中由于泄漏现象引起的暗电流成为问题)使得负电压电平很大，以便即使当抑制暗电流时，也可以抑制对于像素或其栅极氧化膜的压力或者晶体管的特性恶化。
固态成像器件装置像素驱动方法

[发明专利]试料分析芯片以及使用该试料分析芯片的测量系统-CN201080027830.3无效
发明人：白鸟亚希子;矢泽义昭;藤田毅;原田邦男;内田宪孝 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2010-06-15 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G01N21/75 文献下载
摘要：而且，如果在温度上升变为稳定状态，传感器芯片光电二极管暗电流变为恒定的时刻，添加化学发光反应试剂，则依赖于试剂温度，传感器芯片温度发生急剧的变化。此时，传感器芯片光电二极管暗电流发生显著的偏差。通过利用热扩散介质的放热作用使传感器芯片的温度变化为最低限度，从而使传感器芯片光电二极管暗电流的偏差(不稳定化)降低。
分析芯片以及使用测量系统

[发明专利]一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法-CN202111187762.3在审
发明人：文林;刘炳凯;李豫东;周东;冯婕;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于辐照后光电成像器件暗电流激活能测试方法。该方法涉及装置是由高低温箱和样品测试板两部分组成。保证测试样品与高低温箱环境温度一致，通过计算机中的采图软件，找出热像素灰度值达到饱和时对应的积分时间，确定为最大积分时间，等间隔选择10个小于最大值的积分时间，每个积分时间下采集10帧图像，完成不同温度下暗场测试；暗电流与工作温度之间的关系可以用阿伦纽斯公式描述，提取曲线的斜率，计算每个像素的暗电流激活能。本发明可以在实验室条件下完成辐照后暗电流激活能的测试，适用范围广，方法简单有效，计算结果准确。
一种用于辐照光电成像器件电流激活测试方法

[发明专利]PET探测器的测试方法、装置、电子设备及存储介质-CN202111468681.0在审
发明人：付长青;赵健 -专利权人：东软医疗系统股份有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：本申请公开了一种PET探测器的测试方法、装置、电子设备及存储介质，其方法包括：采集PET探测器的光电倍增管簇的第一暗电流信号，并根据第一暗电流信号确定光电倍增管簇的第一状态；或采集PET探测器的硅光电倍增器的第二暗电流信号，并根据第二暗电流信号确定硅光电倍增器的第二状态；采集PET探测器的探测器环的至少一组符合信号，并根据符合信号确定符合信号链路的第三状态；联合第一状态和第二状态中的任意一项，以及第三状态，确定PET探测器的测试结果
pet 探测器测试方法装置电子设备存储介质

[发明专利]线阵CCD像元响应不一致性校正方法-CN201110159297.2有效
发明人：雷宁;李春梅;李涛;王琨 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2011-06-14 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H04N5/361 文献下载
摘要：线阵CCD像元响应不一致性校正方法，根据CCD器件的特点，在正确计算出暗电流噪声的基础上，对现有的两点平面场校正方法进行了改进，根据像元响应不一致性的形成机理，将不一致性校正方法分为暗电流噪声及其不一致性校正和光电响应不一致性校正两个独立的部分本发明方法克服了两点校正方法在CCD部分饱和时暗像元的值无法正确反映当前暗电流噪声的缺点，可以广泛应用于目前的成像设备中，具有易实现、精度高的特点，能够消除暗电流噪声和像元响应不一致性噪声引起的图像退化
线阵 ccd 响应不一致性校正方法

[发明专利]真空管阴极偏心的检测方法-CN200410051974.9有效
发明人：刘兆震 -专利权人：佛山市美的日用家电集团有限公司
申请日： 2004-10-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01J9/42 文献下载
摘要：)将真空管(1)的上下分别安装磁铁(2)、磁铁(3)，组装成磁控管半成品；2)将真空管装在真空管调整机的夹具中；3)在真空管的阴极两端加高压，阴极灯丝发射电子，经高压电场和磁场的相互作用，形成真空管的暗电流；4)测量暗电流，暗电流值在0.3～1.0mA为合格产品。此外，本发明不需要人手放置真空管，可避免因磁场不均造成的暗电流值偏差。
真空管阴极偏心检测方法

[发明专利]一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法-CN202210229027.2有效
发明人：奚超超;蔡信裕;陈建铨 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种降低CMOS图像传感器暗电流的方法，包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构、光电二极管和浮置扩散区，并形成多晶硅转移栅，多晶硅转移栅位于光电二极管和浮置扩散区之间；直接对光电二极管所在的半导体衬底表面以及多晶硅转移栅的表面进行离子注入，以同时消除光电二极管的表面缺陷引起的白点失效以及多晶硅转移栅的漏电引起的白点失效，解决光电二极管表面缺陷引起的暗电流，还解决多晶硅转移栅漏电引起的暗电流，从而有效降低暗电流所导致的白点失效问题，提高了良率
一种降低 cmos 图像传感器电流方法

[实用新型]一种光电元器件暗电流气动测试装置-CN202022558920.9有效
发明人：王志峰 -专利权人：奥兰若科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电元器件暗电流气动测试装置，包括测试装置和钳嘴，所述测试装置的上端面固定连接有钳嘴，所述钳嘴的一侧内部活动连接有钳口，所述测试装置的一侧表面固定连接有调零旋钮，所述测试装置的另一侧表面固定连接有扳机本实用新型所述的一种光电元器件暗电流气动测试装置，当在昏暗的环境中为光电元器件进行暗电流测试时，能够提供光照，有利于快速找到需要进行暗电流测试的光电元器件，提高了工作效率，还可以防止调零旋钮在不需要调零时
一种光电元器件电流气动测试装置

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