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[发明专利]一种光电传感器及其制备方法-CN201911141965.1有效
发明人：杜建华;李超 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：第一表面和第二表面相对设置且垂直于入射光的方向，第二吸收层的设置位置包括以下至少之一：设置在本征半导体层内；设置在本征半导体层的第一表面；设置在本征半导体层的第二表面：第二吸收层为间隔排列的条状结构，以使得该光电传感器的暗电流小于或等于预设的暗电流阈值本申请实施例提供的光电传感器及其制备方法，通过设置第二吸收层为间隔排列的条状结构，使得光电传感器在保持较低的暗电流水平的同时，可以响应光电流产生更多的载流子空穴对。
一种光电传感器及其制备方法

[发明专利]一种低暗电流的CMOS APD光电器件-CN202010709400.5有效
发明人：霍军;王巍;黎淼;丁立;樊琦;赵汝法;袁军 -专利权人：重庆中易智芯科技有限责任公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明请求保护一种低暗电流的CMOS APD光电器件，属于半导体光电器件领域。器件结构包括P衬底，其还包括在其上离子注入的P阱，所述P阱上离子注入有一个N+层和两个P+层，N+层为阴极，P+层为阳极。并设置一个光照窗口，当光源射入器件内部被光吸收区吸收时，产生光生载流子，光生载流子在电场作用下运动到雪崩区参与倍增；还将所述P阱层的间隙两端掺杂STI保护环和N+层两侧掺杂小尺寸STI保护环，STI的合理设置既能保证暗电流的降低，又可使光电流被有效探测；在器件电极设计上优化了光电效应及电容。该设计技术从PN结、STI保护环、电极设置三方面进行设计，降低器件的暗电流，保证光电流可被探测，电容减小。
一种电流 cmos apd 光电器件

[发明专利]车载控制装置-CN201780040574.3有效
发明人：曾根原理仁;小林洋一郎 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制电路规模的增加并且检测暗电流的异常的车载控制装置。本发明的车载控制装置具备：控制装置(2)，其通过从电池(10)经由电源输入端子(100a)供给的电流来进行动作；以及二极管(11)，配置在连接电源输入端子(100a)与控制装置(2)的电源路径上，并作为防止电池(10)对电源输入端子(100a)的反接时的逆电流的反接保护元件，该车载控制装置根据二极管(11)的电源输入端子(100a)侧的电压与控制装置(2)侧的电压的电压差来检测流至二极管(11)的暗电流的异常
车载控制装置

[发明专利]电源控制系统-CN201580038841.4有效
发明人：丸山晃则;佐竹周二;森田悟史;生田宜范;中村吉秀;重实泰行 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： B60R16/02 文献下载
摘要：当在ECU(5a‑5e)向省电状态的转换中判定异常时，电源控制系统(1)在保持旁路开关(13)接通的同时，顺次接通电流供给开关(19a‑19d)。基于根据在电力供给线(7)中的电流(Isens)在那时的变化量而计算的ECU(5a‑5e)中的暗电流是否大于正常的暗电流，监控控制器(21)判定ECU(5a‑5e)向省电状态的转换中的异常。
电源控制系统

[发明专利]减少背照式图像传感器暗电流的方法及背照式图像传感器-CN201911347538.9在审
发明人：赵立新;黄琨;李杰;付文 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种用于减少背照式图像传感器暗电流的方法，不采用通过P型重掺杂通孔方式连接衬底方式，而采用深层P型掺杂区域连接相邻的像素单元的P型掺杂阱区域，从而减少像素单元间的连通电阻，实现像素阵列上下行的连通，进而得以取消阵列中部的衬底连接，免除像素阵列中接地接触的暗电流影响，经试验数据验证优化了成像质量，提高了图像传感器的整体性能。
减少背照式图像传感器电流方法

[发明专利]一种基于InAs/InAsSb II类超晶格材料的势垒型短中波双色红外探测器-CN202211216724.0在审
发明人：谢莉莉;谢圣文;柴瑞青;韩立镪;姚瑶;戴立群;张旭;潘卫军;张芮萌;陈瑞明 -专利权人：北京空间机电研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：类超晶格材料的势垒型短中波双色红外探测器，包括GaSb衬底、GaSb缓冲层、外延薄膜、上电极、下电极、钝化层，外延薄膜包括下接触层、短波红外吸收层、中波红外吸收层、势垒层、上接触层，能够解决现有双色红外探测器暗电流高、探测性能低的问题，通过将InAs/InAsSb超晶格与本发明的能带结构结合起来，可实现低暗电流、高探测率的双色红外探测。
一种基于 inas inassb ii 晶格材料势垒型短中波红外探测器

[发明专利]一种成像校正方法及装置、智能终端-CN202110591255.X有效
发明人：胡泽 -专利权人：东莞市小精灵教育软件有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H04N5/217 文献下载
摘要：本发明提供了一种成像校正方法及装置、智能终端，包括：通过温度传感器监测图像传感器的当前温度；根据图像传感器的当前温度和已存储的若干预设温度的暗电流标定值，得到背景图像的调整值；根据背景图像和背景图像的调整值本发明可以根据图像传感器的温度自适应调整暗电流的影响，提高成像图像的质量。
一种成像校正方法装置智能终端

[实用新型]一种能够对暗电流放电的LED灯驱动电路-CN201720851105.7有效
发明人：郑海琴;涂添田;黄茁菁;肖恒 -专利权人：惠州良信智能科技有限公司;惠州市敦雅科技有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED灯驱动电路技术领域，尤其涉及一种能够对暗电流放电的LED灯驱动电路，包括LED灯以及用于驱动所述LED灯的驱动电源；在所述LED灯上并联有电容；在所述电容上并联有耗能元件。本实用新型的发明目的在于提供一种能够对暗电流放电的LED灯驱动电路，采用本实用新型提供的技术方案解决了具有储能元件的LED灯会出现微亮或闪烁现象的技术问题。
本实用新型暗电流放电电容并联储能元件方案解决耗能元件驱动电源闪烁现象驱动

[发明专利]具有氮化栅极氧化物的CMOS成像器和制造方法-CN200680038612.3有效
发明人：李久滔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种具有减少的暗电流的CMOS成像器和形成所述CMOS成像器的方法。在CMOS成像器的光传感器区上方提供厚度约为典型氮化栅极氧化物的厚度的两倍的氮化栅极氧化层。所述栅极氧化层提供改进的污染物障壁以保护光传感器，在所述光传感器的p+钉扎区的表面中包含p+植入物分布，并减少所述光传感器表面处的光子反射，借此减少暗电流。
具有氮化栅极氧化物 cmos 成像制造方法

[发明专利]一种Al组分过渡型日盲紫外探测器及其制备方法-CN201810902431.5在审
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明主要是解决现有AlGaN日盲紫外探测器存在的暗电流较高、AlGaN薄膜龟裂、载流子效率低的问题，通过设置缓冲层、过渡层、进行器件退火来避免AlGaN薄膜龟裂、降低暗电流，提供了一种暗电流低、响应速度快
制备紫外探测器日盲过渡型暗电流过渡层缓冲层退火掺杂层龟裂掩膜载流子电极制备探测效率抑制比衬底生长响应

[发明专利]降低背照式图像传感器暗电流的方法及结构-CN202010796186.1在审
发明人：黄文军;夏春秋;唐昭焕;张斌 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低背照式图像传感器暗电流的方法及结构，方法包括如下步骤：1)提供SOI衬底，所述SOI衬底包括硅衬底、埋氧层和顶层硅；2)在所述顶层硅中形成通过掺杂构成的钉扎层；3)在所述顶层硅上方形成外延层通过引入钉扎层作为光电二极管的电荷捕获层，降低了电荷流入光电二级管形成暗电流的几率，钉扎层能在减薄工艺中得到埋氧层的保护。此外，通过配合背面生长高K介质层，更进一步降低了界面暗电流。
降低背照式图像传感器电流方法结构

[发明专利]一种势垒阻挡型非对称能带碲镉汞雪崩探测器及设计方法-CN201911093481.4在审
发明人：王芳;何家乐;胡伟达;王鹏;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：该方法在雪崩探测器上耦合非对称能带结构的势垒阻挡型设计，可以有效降低吸收区的载流子浓度而抑制俄歇复合，在300K下对暗电流有1～2个数量级的降低；同时通过对器件的结构参数进行优化，可以获得保持雪崩特性的同时，大幅抑制雪崩反偏电压下的暗电流。本发明的优点在于，该非对称能带结构利用势垒阻止电子导电，可有效抑制高温碲镉汞红外雪崩光电探测器的暗电流；同时可以通过数值方法对关键结构参数进行优化，从而提高了产品的可靠性和性能，并大幅减少开发费用。
一种阻挡对称能带碲镉汞雪崩探测器设计方法

[发明专利]一种用于消除电导率分析仪信号噪声的方法及装置-CN202011163862.8在审
发明人：程晓亮 -专利权人：天津市英贝特航天科技有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：自适应电路包括单片机和数字电位器，电导率信号放大电路的输入端与电导率传感器相连，电导率信号放大电路与基线扣除电路中的比较电路正相输入端相连，比较电路反相输入端与数字电位器相连，比较电路输出端与信号处理电路相连；电导率传感器中设有暗电流检测装置，暗电流检测装置与单片机输入端相连，单片机输出端与数字电位器相连。本发明的优点和有益效果是：将数字电位器替代机械电位器，可以通过暗电流的实时变化，来控制数字电位器的电阻值，从而实时的调整扣除的基线，保证基线扣除的精确程度。
一种用于消除电导率分析信号噪声方法装置

[发明专利]有源短波红外成像系统及生成短波红外图像的方法-CN202210349715.2在审
发明人：阿里尔·达南;俄梅尔·卡帕奇;乌利尔·利维;乌拉罕·巴卡尔;纳达夫·梅拉穆德;约尼·普罗斯珀·沙利波;罗尼·多布林斯基;希莱尔·希莱尔 -专利权人：趣眼有限公司
申请日： 2020-10-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01S17/02 文献下载
摘要：包括多个锗光电二极管(PD)，所述锗PD可操作以检测所述被反射的SWIR辐射，其中所述成像接收器为每个锗PD生成代表冲击在所述相应锗PD上的所述被反射的SWIR辐射的相应检测信号、大于50微安/平方厘米的暗电流、有关时间的暗电流噪声及无关时间的读出噪声；及控制器，可操作以于积分时间控制所述成像接收器的激活，在所述积分时间期间，累积暗电流噪声不超过所述无关时间的读出噪声。
有源短波红外成像系统生成图像方法

[发明专利]烟雾探测器的校准方法及装置-CN202310273095.3在审
发明人：丁维贤 -专利权人：芯翼信息科技（上海）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：将第一运算单元调整为积分模式，并在第二预设时长后，关闭第一运算单元的积分模式；等待第三预设时长，通过模数转换器对第二运算单元的输出进行第二次采样，以获取第二采样结果；根据第二采样结果和第一采样结果，获取暗电流误差；根据暗电流误差对烟雾探测器的输出进行校准。本发明消除了暗电流对于相应结构下的烟雾探测器的探测精度的影响。
烟雾探测器校准方法装置