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[发明专利]用于电镀工艺的晶片支撑装置和使用该装置的方法-CN200580048332.6有效
发明人： C·伍兹 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在半导体晶片(“晶片”)上执行电镀工艺的多层晶片支撑装置。这种多层晶片支撑装置包括底薄膜层和顶薄膜层。底薄膜层包括晶片放置区域和包围晶片放置区域的牺牲阳极。顶薄膜层被限定成放置在底薄膜层之上。顶薄膜层包括定位在待处理，即待电镀晶片的表面之上的敞开区域。顶薄膜层提供了在顶薄膜层和晶片之间围绕敞开区域的周边设置的液封。顶薄膜层还包括第一电路和第二电路，它们各自被限定围绕晶片在沿直径相对的位置上与晶片的周边顶面形成电接触。
用于电镀工艺晶片支撑装置使用方法

[发明专利]晶片级封装与制作上盖结构的方法-CN200610006187.1无效
发明人：邵世丰;邱铭彦 -专利权人：探微科技股份有限公司
申请日： 2006-01-25 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片级封装的方法。所述方法包括：提供上盖晶片；在其表面形成图案化薄膜；蚀刻该上盖晶片未被该图案化薄膜覆盖部分形成多个孔。接合具有该图案化薄膜的表面的该上盖晶片与透明晶片。切割该图案化薄膜周围的该上盖晶片，以形成多个上盖结构。提供器件晶片，气密接合所述上盖结构与该器件晶片，以在器件晶片上形成多个气密视窗。
晶片封装制作结构方法

[实用新型]测量模块-CN201120545573.4有效
发明人：李宗昇 -专利权人：友丽系统制造股份有限公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：红外线热传感单元包含测温晶片与反向串联于测温晶片的温度补偿晶片。上述测温晶片与温度补偿晶片各形成有一传感薄膜，且测温晶片的传感薄膜用以接收红外线信号，而测温晶片的传感薄膜及温度补偿晶片的传感薄膜同时分别接收有杂讯。温度补偿晶片所接收的杂讯用以抵消测温晶片所接收的杂讯。滤光单元设置于测温晶片的传感薄膜接收红外线信号的路径上。藉此，提供一种可有效降低杂讯干扰且提高测量精准度的测量模块。
测量模块

[发明专利]晶片盒包装设备-CN201910961882.0有效
发明人：尹泰绸;李致福 -专利权人：爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B65B11/52 文献下载
摘要：本发明提供一种用于包装晶片盒的设备，该设备包括：装载部，晶片盒装载至该装载部；附件检查部，该附件检查部构造成核查附连于晶片盒的密钥部并检查晶片盒的附件；第一标签附连部，该第一标签附连部构造成将第一标签附连至已完成附件检查的晶片盒；主薄膜包装部，该主薄膜包装部构造成根据密钥部接纳主薄膜并使用该主薄膜包装晶片盒；副薄膜包装部，该副薄膜包装部构造成根据密钥部接纳副薄膜并使用该副薄膜二次包装晶片盒；第二标签附连部，该第二标签附连部构造成将第二标签附连至已包装至晶片盒的副薄膜；以及卸载部，该卸载部构造成排出已完全包装的晶片盒。
晶片包装设备

[发明专利]一种薄膜振动装置及其制备方法、应用其的清洗装置-CN202210896480.9有效
发明人：陈云;李彪;宋奥柯;董善坤;赖声宝;侯茂祥;陈新 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N30/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜振动装置的制备方法，包括以下步骤：对硅晶片的表面进行光刻；刻蚀硅晶片上的铝层；对硅晶片进行刻蚀，得到多孔硅晶片；将PET薄片粘附在多孔硅晶片，以多孔硅晶片为掩膜板，击穿PET薄片，得到多孔PET薄膜；将PVDF薄膜粘附在多孔硅晶片的下方，并在多孔硅晶片上方抽真空，同时在多孔硅晶片的下方加热PVDF薄膜，得到具有圆顶微结构的PVDF薄膜；将两块多孔PET薄膜层压在具有圆顶微结构的PVDF薄膜的两侧，得到薄膜振动装置。
一种薄膜振动装置及其制备方法应用清洗

[发明专利]防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装构造-CN200710000368.8有效
发明人：陈纬铭;李明勋;梁锦坤 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2007-01-22 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明是关于一种防止薄膜塌陷形成填胶气泡的薄膜覆晶封装构造，主要包含一电路薄膜、复数个非导体间隔块、一凸块化晶片以及一点涂胶体。该晶片的复数个凸块是接合至该电路薄膜在其所定义的一晶片接合区内的复数个内引脚。这些非导体间隔块是可设置于该电路薄膜的该晶片接合区内，或是设置于该晶片上且位于凸块之间。在晶片接合时该电路薄膜产生的塌陷不会直接贴触该晶片，借此，由这些非导体间隔块提供一填胶间隙，以利该点涂胶体流动填满在该电路薄膜与该晶片之间，不会发生气泡。
防止薄膜塌陷形成气泡封装构造

[发明专利]背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法-CN201610274684.3在审
发明人：高本尚英;木村龙一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。第一本发明的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口且能够防止背面保护薄膜露出的背面保护薄膜等。第二本发明的目的在于，提供将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的背面保护薄膜等。第一本发明涉及用于粘贴在半导体晶片背面的背面保护薄膜等。背面保护薄膜的外周小于半导体晶片的外周，背面保护薄膜上设置有缺口。第二本发明涉及波长555nm的总透光率为3％以上的背面保护薄膜等。
背面保护薄膜半导体装置制造方法芯片

[发明专利]贴合晶片的制造方法-CN201080062579.4有效
发明人：加藤忠弘 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种贴合晶片的制造方法，至少贴合外周经过倒角的结合晶片和基体晶片，并将所述结合晶片薄膜化，由此来制造贴合晶片，所述贴合晶片的制造方法的特征在于，所述结合晶片的薄膜化具有：第1工序，将所述结合晶片平面磨削至第1特定厚度；第2工序，去除所述经过平面磨削的结合晶片的外周部；及，第3工序，将所述结合晶片平面磨削并薄膜化至第2特定厚度。由此，本发明提供一种贴合晶片的制造方法，可以在短时间内制造一种贴合晶片，不改变基体晶片的形状，结合晶片的直径减少得以被尽量抑制，并且在SOI层等经过薄膜化的结合晶片外周部上无豁口，而且不会剥落。
贴合晶片制造方法

[发明专利]工件的分割方法-CN201010501974.X无效
发明人：中村胜 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：在分割粘贴有粘接薄膜的晶片的情况下，即使在粘接薄膜为一定厚度以上时，也能够沿着晶片的分割预定线适当地分割粘接薄膜。在晶片(W)的背面粘贴有粘接薄膜，在这种形式的工件的粘接薄膜侧粘贴扩张带，检测晶片(W)表面的分割预定线(L)的位置，根据检测到的分割预定线(L)的信息，从晶片(W)表面侧照射透射晶片(W)的激光光束并使聚光点对准该粘接薄膜的表面或者内部，在表面或者内部形成改性区域，根据检测到的分割预定线的信息，从晶片(W)表面侧照射透射晶片(W)的激光光束并使聚光点对准晶片(W)的内部，在晶片(W)的内部形成改性区域，通过使扩张带扩张，以改性区域为起点沿着分割预定线
工件分割方法

[发明专利]Mini LED显示模组制备方法-CN201911183648.6在审
发明人：肖伟民 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种Mini LED显示模组制备方法，包括：制备垂直结构的红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片，红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧为凸台结构；于一支撑膜表面制备一聚酯薄膜，并于聚酯薄膜中制备分别与红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片P电极一侧凸台结构匹配的凹槽；依次将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片嵌入聚酯薄膜的凹槽内；通过N电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片转移至透明导电基底表面，并去除支撑膜及聚酯薄膜；于红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片之间填充环氧树脂胶；通过P电极一侧将红光晶片、绿光晶片及蓝光晶片与带线路基板焊接，完成Mini LED显示模组的制备。简单方便的实现晶片的巨量转移，且制备得到的Mini LED显示模组机械强度高，可靠性好。
mini led 显示模组制备方法

[发明专利]晶片卡组合结构及其方法-CN201310374735.6有效
发明人：王本乐 -专利权人：英属维京群岛爱邦卡司有限公司
申请日： 2013-08-24 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明为有关一种晶片卡组合结构及其方法，其包括至少一基板、至少一于侧壁形成与基板对应的固定槽的固定元件、至少一一侧固定设置于固定元件而另一侧处供开蔽固定槽的黏贴膜及至少一设置于固定槽内且与黏贴膜黏合的薄膜晶片；而当欲使用本发明时将黏贴膜及薄膜晶片掀起，且把基板置入固定槽后盖回黏贴膜及薄膜晶片使薄膜晶片与基板结合，并掀起黏贴膜取出经结合的薄膜晶片与基板，使薄膜晶片与基板相对位置正确，借此令本发明达到应用自由且节省生产成本的实用进步性
晶片组合结构及其方法

[发明专利]处理方法和处理装置-CN01820602.6无效
发明人：小岛康彦;有马进;山崎英亮;河野有美子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2001-12-14 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：在将一薄膜沉积在晶片的一处理面上并将该晶片移出处理腔之后，夹具的接触凸台与基座接触从而加热该夹具。下一步，在将其上沿未沉积薄膜的晶片移入时，提升夹具将该晶片布置在基座上。之后，该夹具与晶片接触并且将该晶片稳定到一预定温度。之后，将一薄膜沉积在晶片的处理表面上。
处理方法装置

[发明专利]薄膜电阻器的制造方法-CN97111136.7无效
发明人：陈木元;陈泰铭 -专利权人：国巨股份有限公司
申请日： 1997-05-08 - 公布日： 1997-11-26 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：一种薄膜电阻器的制造方法，先提供绝缘基底，再在其上形成覆盖薄膜电阻层和用烧蚀法除掉其一部分，形成成型薄膜电阻层，用印刷法形成导体引线层，或形成成型导体引线层后，才去掉部分覆盖薄膜电阻层形成成型薄膜电阻层，亦可在形成覆盖薄膜电阻层前后对基底划线，形成相连绝缘基底晶片，并在其上形成成型薄膜电阻层及导体引线层，形成相连薄膜电阻晶片后用物理破裂法从基底分出相连薄膜电阻晶片形成分立薄膜电阻晶片。
薄膜电阻器制造方法

[实用新型]托盘及具有其的载具-CN201921214406.4有效
发明人：张丹丹 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种托盘及具有其的载具，托盘用于放置附有薄膜的晶片，托盘包括：底盘；多个凸台，多个凸台间隔设置在底盘上，底盘与多个凸台围绕形成用于放置晶片的容纳腔，凸台的背离底盘的一面用于承载薄膜凸出于晶片的部分；在底盘的周向上，相邻两个凸台的间隔区域用于避让晶片的角。通过上述设置，将附有薄膜的晶片放置到托盘上后，由于有专门避让晶片的角的区域，因此晶片的角不会与托盘接触，这样避免了晶片的角受到磕碰，从而避免了附有薄膜的晶片在移动时破裂，减少晶片的损耗，节约成本。
托盘具有

[发明专利]半导体晶片的制造方法-CN200410090132.4有效
发明人：荒井一尚 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2004-11-02 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种半导体晶片的制造方法，包括：使该支持衬底和该半导体晶片成为整体的一体化工序；用研磨装置的研磨手段研磨半导体晶片背面使其薄型化的研磨加工工序；和用薄膜生成装置用的薄膜生成手段在半导体晶片背面生成薄膜的薄膜生成工序，在一体化工序中，在支持衬底背面，粘附可剥离的保护带实施上述研磨加工工序，在实施上述薄膜生成工序之前完成剥离除去该保护带的保护带剥离除去工序，即使是100μm以下极其之薄加工也不会使半导体晶片产生弯曲，在其半导体晶片背面能形成均匀不含有杂质的高精度薄膜，能使半导体晶片更加薄型化。
半导体晶片制造方法

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