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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于在热处理过程中支撑半导体晶片的支撑环、热处理这种半导体晶片的方法及半导体晶片-CN201410392443.X有效
发明人： E·道布;R·凯斯;M·科勒斯勒;T·洛赫 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在半导体晶片的热处理过程中支撑由单晶硅构成的半导体晶片的支撑环，包括：外侧表面、内侧表面、和从外侧表面延伸到内侧表面的用于放置半导体晶片的弯曲表面，如果弯曲表面被设计用于放置具有300mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于6000mm、不大于9000mm，或如果弯曲表面被设计用于放置具有450mm的直径的半导体晶片，则所述弯曲表面的曲率半径不小于9000mm、不大于14000mm本发明还公开了一种用于这种半导体晶片的热处理的方法和一种由单晶硅构成的热处理后的半导体晶片。
用于热处理过程支撑半导体晶片这种方法

[发明专利]半导体晶片用干燥机的导向装置-CN201980065262.7在审
发明人：赵仁淑;安钟八 -专利权人：爱捷株式会社;赵仁淑
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体晶片用干燥机的导向装置，为了对用去离子水清洗的经过洗涤溶液等化学溶液处理的半导体晶片进行干燥，在为进行马兰哥尼干燥而以升降的形式从冲洗用槽移动至干燥用槽时，为了防止在使用弯曲较大的3D工艺较多的存储器设备的工艺或晶片再生过程中发生微小的扭曲或弯曲的晶片脱离水面时因表面张力梯度而相互粘住，在冲洗用槽内周面构成晶片导向装置，从而防止微小的扭曲或弯曲的晶片损伤到正常的晶片。
半导体晶片干燥机导向装置

[发明专利]一种高结晶质量碳化硅单晶片及其制备方法-CN202110909300.1有效
发明人：娄艳芳;刘春俊;王光明;姚静;雍庆;赵宁;彭同华;杨建 -专利权人：北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶片，所述碳化硅单晶片的原子面向C面弯曲，Si面原子面的弯曲度大于C面原子面的弯曲度。本发明提供了一种(0001)原子面向C面弯曲，且Si面原子面弯曲度大于C面原子面弯曲度的碳化硅单晶片，以本发明提供的SiC单晶片为衬底进行Si面外延，高温时，原子面都向铺平方向形变，且Si面变形量大于C本发明还提供了一种碳化硅单晶片的制备方法。
一种结晶质量碳化硅晶片及其制备方法

[发明专利]浮动晶片夹盘-CN201880029392.0有效
发明人： A·巴朗;V·维尚 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：所述边缘夹持器中的每一者包含：指形件，其经配置以围绕一点枢转；接触垫，其经配置以接触所述晶片；以及弯曲部，其安置于所述接触垫与所述指形件之间。所述弯曲部经配置以朝向和远离所述夹盘而弯曲。所述夹盘可使用设计成使晶片保持浮动在所述夹盘上方的真空和压力喷嘴矩阵。所述边缘夹持器可在边缘固持所述晶片，同时最小化所述晶片的变形，或不影响所述晶片的z抖动。
浮动晶片

[发明专利]垂直腔表面发射激光器薄晶片弯曲控制-CN201810298359.X有效
发明人：埃里克·R·海格布罗姆 -专利权人：朗美通运营有限责任公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：垂直腔表面发射激光器(VCSEL)晶片可以包括：基底层、在基底层上生长的外延层以及应变补偿层，所述应变补偿层用于在VCSEL晶片的变薄之后控制VCSEL晶片的弯曲。应变补偿层可以通过至少部分地补偿VCSEL晶片的外延层中的压缩应变来控制变薄的VCSEL晶片的弯曲。
垂直表面发射激光器晶片弯曲控制

[发明专利]弯曲晶片台的膜框架载体-CN202310104528.2在审
发明人：琼普·斯托克曼斯;吉斯·范德费恩;贾斯珀·韦塞林;帕特里克·霍本 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开的另外方面涉及在这种装置中使用的晶片台、将与这种装置一起使用的膜框架载体、以及包括膜框架载体和布置在膜框架载体上的半导体管芯布置的组件。根据本公开的方面，晶片卡盘包括可以布置有半导体管芯布置的旋转安装的弯曲壳体，并且晶片台还包括使弯曲壳体绕旋转轴线旋转的第一电机。弯曲构造允许提高晶片台的产量。与该晶片台一起使用的膜框架载体包括具有非对称弯曲刚度的环形主体，这允许环形主体弯曲成使得环形主体的安装表面从具有第一形状变为更凹的第二形状，并且防止或限制环形主体弯曲成使得安装表面的形状变得比第一形状更凸
弯曲晶片框架载体

[发明专利]晶片的制造方法-CN201711257763.4有效
发明人：松崎荣 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供晶片的制造方法，能够以短时间制造具有去疵层的晶片。该晶片的制造方法对在正面侧具有器件的晶片进行加工而制造在背面侧具有去疵层的晶片，该晶片的制造方法包含如下的步骤：保持步骤，隔着粘贴于正面上的保护部件而利用具有呈凸状弯曲的保持面的保持工作台的保持面对晶片进行保持；以及去疵层形成步骤，在保持步骤之后，使将氩气等离子化而得的氩离子与沿着保持面的形状呈凸状弯曲的晶片的背面侧碰撞，从而在晶片的背面侧形成去疵层。
晶片制造方法

[发明专利]多层独石压电陶瓷弯曲致动器-CN200910023804.2无效
发明人：陈耀强;季叶 -专利权人：西安康弘新材料科技有限公司
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层独石压电陶瓷弯曲致动器，其特征在于所述致动器由多层压电陶瓷片叠合共烧而成独石结构的晶片，所述叠层可以是两层或更多层，各层之间设有内电极。由于采用了多层结构且各叠层之间有内电极，晶片在极化时各叠层可加载不同方向的极化电压，当加载适当的交变驱动电压时，单一晶片即可产生弯曲振动，较之同样厚度的单层陶瓷晶片具有更大的弯曲形变量。
多层压电陶瓷弯曲致动器

[发明专利]晶片的分离方法-CN202111079214.9在审
发明人：野本朝辉;平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供晶片的分离方法，能够将外周部进行了倒角的晶片稳定地分离。在本发明中，在晶片的内部形成分离起点之前，按照沿着外周面的弯曲部(进行了倒角的外周部)将晶片的一部分去除的方式对晶片进行加工。由此，能够不产生外周面的弯曲部中的激光束的漫反射和/或聚光点的偏移而在晶片的内部形成作为分离起点的改质层和裂纹。其结果是，能够将晶片稳定地分离。
晶片分离方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110100061.1有效
发明人：浦野裕一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-04-13 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：根据本发明的半导体装置的制造方法包括以下步骤：在半导体晶片(20)的背面上形成背面电极(4)，半导体晶片(20)由于在半导体晶片(20)的背面上形成的背面电极(4)弯曲成朝正面侧凸出；对半导体晶片(20)的背面进行等离子体处理，用于去除附着在半导体晶片(20)的背面上的沉积物；沿着半导体晶片(20)的翘曲向半导体晶片(20)的背面粘贴可去除胶带(23)，用于在粘贴步骤后，维持半导体晶片(20)的弯曲成朝正面侧凸出的弯曲状态；进行无电极镀覆以在半导体晶片(20)的正面上形成镀膜(26)；从半导体晶片(20)剥离可去除胶带(23)；从半导体晶片(20)切出半导体芯片；通过用焊料进行焊接来安装该半导体芯片，以制造半导体装置。
半导体装置制造方法

[发明专利]使用真空吸盘固持晶片或晶片子堆叠-CN201380035447.6有效
发明人：哈特穆特·鲁德曼;斯蒂芬·海曼加特纳;约翰·A·维达隆 -专利权人：赫普塔冈微光有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述用于固持晶片或晶片子堆叠以便于进一步处理所述晶片子堆叠的技术。在一些实施中，晶片或晶片子堆叠由真空吸盘以可帮助减少所述晶片或晶片子堆叠的弯曲的方式固持。
使用真空吸盘晶片堆叠

[发明专利]用于改善晶片平面度的方法和由该方法制成的接合晶片组件-CN201680081960.2在审
发明人： G.巴蒂尼卡;K.亚达瓦利;范谦;B.A.哈斯克尔;H.S.埃尔-古劳里 -专利权人：奥斯坦多科技公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种用以改善半导体晶片的平面度的方法和由该方法制成的组件。在该方法的一个优选实施例中，具有预定厚度或图案的诸如SiO2的压缩PECVD氧化物层被沉积在具有不合意的翘曲或弯曲的半导体晶片的第二表面上。沉积的氧化物层的厚度或图案由测量的半导体晶片的翘曲或弯曲来确定。压缩氧化物层在半导体晶片的第二表面上引发抵消的压缩力，以降低跨半导体晶片的主表面的翘曲和弯曲。
半导体晶片氧化物层翘曲第二表面沉积图案压缩接合晶片晶片平面平面度压缩力主表面优选抵消测量

[发明专利]材料分析方法-CN202111665027.9在审
发明人：王上棋;徐文庆;蔡佳琪;李依晴 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：经由测量仪器测量由多个晶锭经加工而成的多个晶片，以获得各晶锭经加工后的晶片的弯曲度平均值以及各晶片的多个半高宽。基于各晶片的半高宽来计算各晶锭对应的关键因子。利用这些关键因子以及弯曲度平均值来获得回归方程式。
材料分析方法

[发明专利]晶片清洗系统-CN03107357.3有效
发明人：吕寅准;金坰显;南廷林;尹炳文;赵显镐;河商录 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-03-20 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。
晶片清洗系统

[发明专利]包括半导体晶片层叠体的半导体封装件-CN202210449893.2在审
发明人：朴正现 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请涉及包括半导体晶片层叠体的半导体封装件。一种半导体封装件包括：在第一方向上偏移地层叠的下半导体晶片和上半导体晶片，其中，下半导体晶片包括在第二方向上布置的多个下焊盘，第二方向垂直于第一方向，并且其中上半导体晶片包括在第二方向上布置的多个上焊盘半导体封装件还包括弯曲布线，该弯曲布线在第一方向上将下半导体晶片的下焊盘中电连接至上半导体晶片的上焊盘。半导体封装件还包括垂直布线，使得垂直布线设置在通过弯曲布线电连接的每个焊盘对中的下焊盘和上焊盘中的任何一个上。
包括半导体晶片层叠封装

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