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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于GaN基底应用的磷属元素化物缓冲结构和器件-CN201780034340.8在审
发明人：安德鲁·克拉克;吕蒂斯·达吉斯;迈克尔·莱比;罗德尼·佩尔策尔 -专利权人： IQE公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种结构可包括具有第一晶格常数的III‑N层、在III‑N层上外延生长的具有第二晶格常数的第一稀土磷属元素化物层、在所述第一稀土磷属元素化物层上外延生长的具有第三晶格常数的第二稀土磷属元素化物层和在所述第二稀土磷属元素化物层上外延生长的具有第四晶格常数的半导体层第一晶格常数和第二晶格常数之间的第一差异以及第三晶格常数和第四晶格常数之间的第二差异小于百分之一。
晶格常数磷属元素化物稀土外延生长半导体层缓冲结构应用

[发明专利]用于发光装置的波长转换材料-CN201680076596.0在审
发明人： A-J.霍特彭;A.W.赫克斯特拉;F.皮特拉;L.德特里奇奥;L.曼 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：本发明的实施例包括一种发光结构，其包括InxZnyP核以及置于该核的表面上的壳，其中0晶格常数和与核的晶格常数之间的差异相对于壳的晶格常数小于
晶格常数合金波长转换材料发光结构发光装置

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN200610075283.1有效
发明人：丁世汎;黄正同;洪文瀚;郑礼贤;李坤宪;郑子铭;吴劲昌;沈泽民 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：其中，应变层于邻近开口底部的部分的晶格常数与基底的晶格常数之间的差异小于其远离开口底部的部分的晶格常数与基底的晶格常数之间的差异。第二金属氧化物半导体晶体管配置于第一井区上。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种光电器件、太阳能电池以及探测器-CN202111585241.3在审
发明人：吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电器件、太阳能电池以及探测器，该光电器件包括了衬底以及光电器件有源区，光电器件有源区又包括了至少两个子吸收层，在相邻两个子吸收层之间还设置有多层应力调控层，该应力调控层的晶格常数与吸收层的晶格常数存在较大差异由于应力调控层的晶格常数与吸收层的晶格常数不同，在子吸收层之间设置应力调控层时，应力调控层会提供与吸收层反方向的应力，用来平衡晶格失配产生的应力作用。
一种光电器件太阳能电池以及探测器

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201410440271.9有效
发明人：涂火金 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-01 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成凹槽；在所述凹槽内壁内且填充满所述凹槽的应力层；在所述应力层表面形成过渡层；在所述过渡层表面形成盖帽层，所述盖帽层的表面高于半导体衬底的表面，且所述盖帽层与过渡层的晶格常数差异小于盖帽层与应力层的晶格常数差异
晶体管及其形成方法

[发明专利]AlN薄膜的制备方法及半导体元件-CN202310087517.8在审
发明人：卢国军;沈波;张立胜;杨学林;杨鑫 -专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本申请能够解决由于AlN晶格常数和衬底晶格常数差异较大导致的晶格失配，以及热膨胀系数差异导致的热失配问题，有助于提高AlN层的表面平整度、降低裂纹的产生。
aln 薄膜制备方法半导体元件

[发明专利]用于产生组合物的方法、相关组合物和相关装置-CN202111285633.8在审
发明人：玛丽娜·泽尔纳;安德鲁·弗拉基米尔·克劳德·塞尔温 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：并入有本公开教示的方法可包括，例如：选择钛酸锶钡(BST)材料，其中所述BST材料具有拥有至少第一晶格常数和第二晶格常数的钙钛矿晶格结构；选择铌酸锶钡(SBN)材料，其中所述SBN材料具有拥有至少第三晶格常数和第四晶格常数的晶格结构，其中所述第三晶格常数基本上等于所述第一晶格常数，并且其中所述第四晶格常数基本上等于所述第二晶格常数；以及在所述BST材料的晶界区域上生长所述SBN材料，其中所述生长通过自组装进行，并且其中所述生长因所述SBN材料的所述第三晶格常数基本上等于所述第一晶格常数以及所述SBN材料的所述第四晶格常数基本上等于所述第二晶格常数而得以促进。
用于产生组合方法相关装置

[发明专利]太阳能电池元件及其装置-CN200910266099.9有效
发明人：林义杰;李世昌 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明关于一种多接面太阳能电池元件，其包括具有第一晶格常数的基板、具有第二晶格常数的第一光电转换层、以及具有第三晶格常数的第二光电转换层。其中，第一晶格常数介于第二晶格常数与第三晶格常数之间。
太阳能电池元件及其装置

[发明专利]电介质膜、膜电容器以及电子设备-CN201480042252.9有效
发明人：神垣耕世 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明提供可以提高比介电常数且不会降低击穿电场强度的电介质膜、膜电容器以及电子设备。一种电介质膜，其在有机树脂5中含有陶瓷粒子3，陶瓷粒子3具有形成通过a、b和c的3个轴所形成的晶格并且轴比c/a不同的2种以上的晶相3a、3b。由于晶格形状(尺寸)的差异，因此各晶相3a、3b的介电极化的程度不同，因此陶瓷粒子3具有介电常数不同的区域，可以提高比介电常数且不会降低击穿电场强度。
电介质膜陶瓷粒子比介电常数电子设备膜电容器击穿介电常数晶格形状有机树脂极化介电晶格轴比

[其他]缓变晶格外延层的生长-CN85109212无效
发明人：麦尔文·西莫尔·库克 -专利权人：麦尔文·西莫尔·库克
申请日： 1985-12-16 - 公布日： 1986-07-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：其中外延层的晶格常数从邻接于基片的初始晶格常数缓变至外延层表面上的最终晶格常数，生长表面被形成在基片上。在外延层的晶格常数从初始晶格常数变至最终晶格常数时，便生长成外延层。
晶格外延生长

[发明专利]高晶格匹配性的发光元件-CN02157393.X无效
发明人：赖穆人;章烱煜 -专利权人：威凯科技股份有限公司
申请日： 2002-12-23 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种高晶格匹配性的发光元件。通过包含第一多层缓冲层磷化镓硼化合物与第二多层缓冲层氮化镓铟化合物设置于基底与第一型柬缚层之间，且多层缓冲层晶格常数呈现梯度变化，靠近基底的第一多层缓冲层晶格常数与基底晶格常数匹配，晶格常数可递增或递减，以匹配第二多层缓冲层的晶格常数，使靠近第二多层缓冲层的第一多层缓冲层晶格常数与第二多层缓冲层的晶格常数匹配，达到各磊晶层间的晶格匹配性极佳的功效。
晶格匹配发光元件

[发明专利]光电元件-CN201310154247.4有效
发明人：林宣乐;李世昌 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一光电元件，其包含一第一半导体层具有一第一晶格常数；一第二半导体层具有一第二晶格常数，其中第二晶格常数小于第一晶格常数；及一第一缓冲层位于第一半导体层与第二半导体层之间，其中第一缓冲层于靠近第二半导体层的一侧的一晶格常数小于第二晶格常数
光电元件

[发明专利]正极活性物质、二次电池、电子设备-CN202080089529.9在审
发明人：三上真弓;斉藤丞;落合辉明;门马洋平;中岛佳美;浅田善治;种村和幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：该正极活性物质包含锂、钴、镍、镁及氧，正极活性物质的最表面层的a轴的晶格常数大于内部的a轴的晶格常数，最表面层的c轴的晶格常数大于内部的c轴的晶格常数。优选的是，最表面层的a轴的晶格常数与内部的a轴的晶格常数的变化率大于0且为0.12以下，最表面层的c轴的晶格常数与内部的c轴的晶格常数的变化率大于0且为0.18以下。
正极活性物质二次电池电子设备

[发明专利]具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED-CN200680011162.9有效
发明人： M·R·克拉梅斯;N·F·加德纳;F·M·斯特兰卡 -专利权人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：为了将AlInGaP LED层的晶格常数增加到大于GaAs的晶格常数，以用来降低温度灵敏性，在衬底上形成设计的生长层，其中该生长层具有等于或者几乎等于所需AlInGaP层的晶格常数的晶格常数。在层生长过程中增加铟的量，使得最终的晶格常数等于所需的AlInGaP有源层的晶格常数。然后从GaAs分离InGaP、InGaAs或者AlInGaP薄层，并松弛，使得薄层的晶格常数增加到所需覆盖AlInGaP LED层的晶格常数。
具有减小温度依赖性 alingap led

[发明专利]非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法-CN99100087.0无效
发明人：陈诺夫;林兰英;王玉田;何宏家;钟兴儒 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 1999-01-08 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法；利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数am；采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差，以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品，每次测量晶格常数后，测量标准样品的晶格常数，计算仪器误差：Δa’＝a’-a’0其中，a’0＝5.431058为硅单晶的标准晶格常数；按下式消除仪器的测量误差，得到准确的单晶晶格常数：a＝am-Δa’，am为半绝缘砷化镓单晶晶格常数的测量值
破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比方法

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