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[发明专利]具有减小了温度依赖性的AlInGaP LED-CN200680011162.9有效
发明人： M·R·克拉梅斯;N·F·加德纳;F·M·斯特兰卡 -专利权人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：为了将AlInGaP LED层的晶格常数增加到大于GaAs的晶格常数，以用来降低温度灵敏性，在衬底上形成设计的生长层，其中该生长层具有等于或者几乎等于所需AlInGaP层的晶格常数的晶格常数。在层生长过程中增加铟的量，使得最终的晶格常数等于所需的AlInGaP有源层的晶格常数。在另一例中，在GaAs衬底上生长非常薄的InGaP、InGaAs或者AlInGaP层，其中InGaP、InGaAs或者AlInGaP层是应变的(压缩的)。然后从GaAs分离InGaP、InGaAs或者AlInGaP薄层，并松弛，使得薄层的晶格常数增加到所需覆盖AlInGaP LED层的晶格常数。然后在InGaP、InGaAs或者AlInGaP薄层上生长LED层。
具有减小温度依赖性 alingap led

[发明专利]具有键合界面的发光器件-CN200880120873.9有效
发明人： P·N·格里洛特;R·I·阿尔达兹;D·L·科布伦茨;A·芒克霍尔姆;H·赵 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在本发明的一些实施例中，透明衬底AlInGaP器件包括与常规蚀刻停止层相比吸收可以较少的蚀刻停止层。在本发明的一些实施例中，透明衬底AlInGaP器件包括可以被配置成与常规键合界面相比给出更低正向电压的键合界面。降低器件中的吸收和/或正向电压可以提高器件的效率。
具有界面发光器件

[发明专利]RGB热隔离衬底-CN200680014777.7有效
发明人： F·J·小沃尔 -专利权人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2006-04-24 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：描述了一种用于红、绿和蓝LED的底座，其中底座具有底座中的热隔离沟道和/或孔，使得由绿、蓝AlInGaN LED产生的高热量不能传导到红AlInGaP LED。底座包含互连多种结构的LED的导体。在一个实施例中，AlInGaP LED在底座中凹入，使得所有的LED具有相同的光出射平面。底座可以用于产生其它颜色的LED，例如黄色、琥珀色、橙色和青色。
rgb 隔离衬底

[发明专利]半导体发光器件-CN200580010018.9无效
发明人：成塚重弥;丸山隆浩;森分达也 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光器件(10)包括，GaP衬底(1)，位于所述GaP衬底(1)上并包括n－型AlInGaP层和p－型AlInGaP层的有源层(4)，以及位于GaP衬底(1)和有源层(4)之间并通过外延横向生长
半导体发光器件

[发明专利]太阳能电池叠堆-CN201510425205.9有效
发明人： W·古特 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L31/043 文献下载
摘要：，其中第二半导体太阳能电池具有由第二材料构成的pn结，所述第二材料具有第二晶格常数，其中第一晶格常数小于第二晶格常数，所述太阳能电池叠堆具有变质缓冲器，其中变质缓冲器包括下方的第一AlInGaAs层或AlInGaP层和中间的第二AlInGaAs层或AlInGaP层以及上方的第三AlInGaAs层或AlInGaP层的序列，并且变质缓冲器构造在第一半导体太阳能电池和第二半导体太阳能电池之间，并且在变质缓冲器中晶格常数沿着变质缓冲器的厚度延伸变化
太阳能电池

[发明专利]LED外延结构和工艺-CN201110324179.2无效
发明人：何瑞科;吉爱华;马新尚;李虹;芦增辉 -专利权人：西安重装渭南光电科技有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：LED外延结构和工艺，外延结构包括从下至上依次设置的Si衬底、N-GaN接触层、InGaN/GaN蓝光发光层、InGaN/GaN绿光发光层、AlInGaP红光发光层和P+GaN接触层。本发明的LED外延结构由InGaN/GaN蓝光发光层发出蓝光、InGaN/GaN绿光发光层发出绿光，AlInGaP红光发光层直接发出红光，蓝光、绿光和红光合成直接生成白光，无需使用荧光粉，不会光衰，发光质量好
led 外延结构工艺

[实用新型]白光LED外延结构-CN201120314404.X有效
发明人：吉爱华;谢卫国 -专利权人：环科电子有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：一种白光LED外延结构，包括从下至上依次设置的SiC衬底、N-GaN接触层、GaN外延层、InGaN/GaN发光层、AlInGaP半导体复合物发光层和P+GaN接触层。本实用新型由GaN外延层、InGaN/GaN发光层发出蓝光，AlInGaP半导体复合物发光层则可以直接发出黄光，蓝光和黄光合成直接生成白光，无需使用荧光粉，不会光衰，发光质量好，提高了工作稳定性和使用寿命
白光 led 外延结构

[发明专利]白光LED外延结构及其生产工艺-CN201110247623.5无效
发明人：吉爱华;谢卫国 -专利权人：环科电子有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：一种白光LED外延结构及其生产工艺，外延结构包括从下至上依次设置的SiC衬底、N-GaN接触层、GaN外延层、InGaN/GaN发光层、AlInGaP半导体复合物发光层和P+GaN接触层。本发明的LED外延结构由GaN外延层、InGaN/GaN发光层发出蓝光，AlInGaP半导体复合物发光层则可以直接发出黄光，蓝光和黄光合成直接生成白光，无需使用荧光粉，不会光衰，发光质量好，提高了工作稳定性和使用寿命
白光 led 外延结构及其生产工艺

[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法以及这样的半导体芯片-CN201180056609.5有效
发明人： P.施托斯;A.贝雷斯 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：说明了一种用于制造具有基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）的光电子半导体芯片（10）的方法，其中提供生长衬底（2），所述生长衬底具有硅表面。
用于制造光电子半导体芯片方法以及这样

[发明专利]超高亮度发光二极管及其制备方法-CN201210287977.7无效
发明人：戴菁甫;张君逸;界晓菲 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高亮度发光二极管及其制备方法，其解决了上述AlInGaP四元系LED结构中亮度与电性难以同时兼顾的问题。
超高亮度发光二极管及其制备方法

[实用新型]超高亮度发光二极管-CN201220401044.1有效
发明人：戴菁甫;张君逸;界晓菲 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种超高亮度发光二极管，解决了上述AlInGaP四元系LED结构中亮度与电性难以同时兼顾的问题。
超高亮度发光二极管

[发明专利]发光器件、照明装置以及发光器件的制备方法-CN202211107234.7在审
发明人：曹成科;陈斌;孙艳芳;齐红柱;张紫阳;陈洪闯;马方军;陈岩;押思梦 -专利权人：郑州森源新能源科技有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明技术方案中，所述发光器件的金黄光由蓝光LED芯片发出的蓝光经与所述绿色荧光粉以及所述红色荧光粉的光线混合后形成，相较于直接使用AlInGaP作为主要成分的芯片单色光，混合金黄光制作更简单、成本更低
发光器件照明装置以及制备方法

[发明专利]具有多孔漫反射器的LED-CN200880010085.4有效
发明人： J·埃普勒;H·赵;M·克拉梅斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在一个实施例中，AlInGaP LED包括底部n-型层(16)、活性层(18)、顶部p-型层(22)和位于顶部p-型层上的厚n-型GaP(24)层。
具有多孔漫反射 led

[发明专利]太阳能电池组-CN201510243852.8有效
发明人： W·古特;M·莫伊泽尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：其中所述第一晶格常数小于所述第二晶格常数，并且所述太阳能电池组具有变质缓冲器，其中所述变质缓冲器包括第一下层和第二中层以及第三上层的序列，并且所述变质缓冲器包括InGaAs化合物或者AlInGaAs化合物或者InGaP化合物或者AlInGaP
太阳能电池组

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