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[发明专利]晶圆级键合封装方法以及共晶键合的晶圆结构-CN201510428072.0在审
发明人：徐伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆级键合封装方法以及共晶键合的晶圆结构，所述方法包括提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括切割道和有效器件单元；在第一晶圆待键合面的有效器件单元内形成至少一个第一键合结构，在第二晶圆待键合面上形成与第一键合结构相对应的第二键合结构；在第一晶圆待键合面的切割道内形成支撑层；使所述第一键合结构和第二键合结构相对设置，实现第一晶圆和第二晶圆的共晶键合；最后通过晶圆背面减薄、Al/Cu再布线和Ball Drop技术以形成晶圆级键合封装结构在共晶键合过程中，共晶键合产生的压力抵消作用于所述支撑层，所述支撑层在保护第一键合结构和第二键合结构的键合材料的同时阻止所述键合材料向外流动溢出，进而避免了晶圆的短路问题。
晶圆级键合封装方法以及共晶键合结构

[发明专利]一种用于圆片级封装的共晶键合材料系结构-CN201310611479.8在审
发明人：焦斌斌 -专利权人：江苏艾特曼电子科技有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公布了一种用于圆片级封装的共晶键合材料系结构，其特征在于：该结构包括第一衬底、第二衬底、第一键合材料和第二键合材料；所述的第一与第二衬底以及第一与第二键合材料分别由三种可形成三元共晶合金的材料构成；键合之前第一键合材料附着于第一衬底，第二键合材料附着于第二衬底。本发明提供的用于圆片级气密封装的共晶键合材料系结构，共晶反应不仅发生在衬底表面的键合材料之间，同时发生在衬底与键合材料之间，可避免以共晶合金层为中间介质的传统圆片级共晶键合技术中因衬底与共晶合金层的粘附力低导致的键合失效与可靠性不佳等问题
一种用于圆片级封装共晶键合材料结构

[发明专利]用于晶圆级封装的共晶键合方法-CN202111283824.0在审
发明人：彭鑫林;季宇成;郭松;冯刘昊东;陈朔;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一膜层，所述第一膜层包含第一金属和第二金属，并且所述第一膜层的最表层由所述第一金属构成，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二膜层，所述第二膜层的表层由所述第一金属构成；使所述第一膜层和所述第二膜层中的所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层本发明可减轻共晶键合工艺中氧化膜的形成，可提高键合结构的质量，并且有利于键合条件和结果的可控性。
用于晶圆级封装共晶键合方法

[实用新型]一种室温晶圆共晶键合的硬件配置及模块和系统-CN201921190587.1有效
发明人：卫克拉玛那雅卡苏尼尔 -专利权人：爱莱私人有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种室温晶圆共晶键合的硬件配置及模块和系统，所述的室温晶圆共晶键合的硬件配置包括一个上晶圆，其下表面具有第一半金属膜；一个下晶圆，其上表面具有第二金属膜；以及一个压板，配置在上述上晶圆的上表面之上；其中，上述第一半金属膜和上述压板对红外光透明；上述第一半金属膜和上述第二金属膜通过共晶键合形成共晶金属。所述的室温晶圆共晶键合的模块采用所述的室温晶圆共晶键合的硬件配置，所述的室温晶圆共晶键合的系统采用所述的室温晶圆共晶键合的模块。
一种室温晶圆共晶键合硬件配置模块系统

[发明专利]用于晶圆级封装的共晶键合方法-CN202111283841.4在审
发明人：彭鑫林;季宇成;郭松;冯刘昊东;陈朔;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括步骤：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一叠层，所述第一叠层包括含有第一金属的层和含有第二金属的层，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二叠层，所述第二叠层包括设置于其表层的含有所述第一金属的层；以及使所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层，其中所述第一金属与所述第二金属的质量分数之比为两者在共晶点处的质量比本发明可减轻共晶键合工艺中氧化膜的形成，可以提高键合结构的质量，有利于实现键合工艺和结果的可控性。
用于晶圆级封装共晶键合方法

[发明专利]晶圆键合方法以及晶圆键合结构-CN201510011875.6在审
发明人：施林波;陈福成;刘尧;徐伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆、第二晶圆的第一金属垫、第二金属垫中的一个或两个上，形成共晶连接结构；对第一晶圆、第二晶圆进行键合工艺，使第一金属垫、第二金属垫分别与共晶连接结构发生共晶反应。采用共晶反应的键合工艺，第一金属垫和第二金属垫相互连接的效果更好。在键合工艺对第一金属垫和第二金属垫表面平整度要求不高，无需进行平坦化工艺，降低了晶圆边缘位置处的第一金属垫和第二金属垫产生接触不良的风险。共晶反应无需高温退火，对晶圆中半导体器件的影响较小。
晶圆键合方法以及结构

[发明专利]一种基于低熔点铜共晶金属的晶圆混合键合方法-CN201510580189.0有效
发明人：梅绍宁;张国民;陈俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合方法，特别涉及一种基于低熔点铜共晶金属的晶圆混合键合方法。本发明的键合方法通过电镀低熔点铜共晶金属微凸点，并在晶圆键合之后采用高于所述铜共晶金属微凸点熔点的温度退火，使所述铜共晶金属微凸点熔化和并与上下晶圆的金属导体融合形成一个整体的金属层，同时上下晶圆的绝缘层也进行了键合，不仅可以降低Cu‑Cu金属直接键合时对于铜线密度和表面形貌的要求，简化了铜‑铜直接键合工艺，提高了生产效率，而且提高了晶圆键合强度，保证了所制备的半导体产品的良率和稳定性。
一种基于熔点铜共晶金属混合方法

[发明专利]薄膜体声波滤波器、薄膜体声波谐振器及其制造方法-CN202310747880.8在审
发明人：张汪根;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：薄膜体声波谐振器的制造方法将压电层的一侧设置为Bragg反射层，通过设计交替层叠设置的高阻抗层和低阻抗层，使机械波在Bragg反射层中多次反射，利用反射波之间的干涉效应有效的将压电层产生的机械波反射回压电层，从而减少了机电损耗；键合层和第二衬底层之间采用Si‑Si键合技术键合，摒弃了传统晶圆级封装技术中的共晶键合技术的滤波器在电磁应用环境下产生的寄生电容效应，无需传统晶圆级封装中的共晶键合所需要的双面镀Au，解决了材料成本高的问题，同时避免了传统晶圆级封装工艺中的双面套准技术
薄膜声波滤波器谐振器及其制造方法

[发明专利]一种晶圆级三层结构的封装方法-CN201910188367.3有效
发明人：魏晓莉;范继;饶康;涂良成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆级三层结构的封装方法，包括：制备上层晶圆结构、中间层晶圆结构和下层晶圆结构；对中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面进行等离子体活化处理；利用键合机将中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面对准，对中间层晶圆结构和下层晶圆结构进行预键合，实现常温下的硅硅直接键合；利用键合机将中间层晶圆结构的正面和上层晶圆结构的背面对准，对中间层晶圆结构和上层晶圆结构进行热压键合，得到晶圆级三层结构，所述热压键合使得中间层晶圆结构和上层晶圆结构键合在一起，同时为所述预键合提供退火的过程，使所述预键合达到需求的键合强度和键合区域。本发明仅通过一次具有压力和温度的键合过程即可获得晶圆级三层结构。
一种晶圆级三层结构封装方法

[发明专利]一种非制冷红外成像器件的圆片级封装方法-CN200910087316.8无效
发明人：焦斌斌;陈大鹏;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-06-17 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非制冷红外成像器件的圆片级封装方法，该方法是将具有非制冷红外成像器件3的晶圆1与具有对8～14微米波长红外光线具有透过能力的封盖2通过共晶合金键合技术在真空条件下进行键合，完成器件的封装在封盖2的黏附层6上涂敷共晶键合剂8，然后将封盖2放置在高真空容器内的热板上加热将吸气剂7激活，再将热板温度调节到共晶合金的熔融温度150度～300度，待温度稳定后将待封装晶圆1从上至下与封盖2对准压合，实现非制冷红外成像器件的圆片级封装。
一种制冷红外成像器件圆片级封装方法

[发明专利]用于获取晶圆级键合结构电阻的方法及其半导体结构-CN201310430011.9有效
发明人：陈政;张海芳;戚德奎;李新;陈晓军;刘煊杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及采用该结构获取晶圆级键合结构电阻的方法。关于获取方法，包括通过对两晶圆键合前后的电阻分别进行测量，后依据两晶圆键合前后的电阻、晶圆级键合结构的电阻之间的串并联关系获取晶圆级键合结构的电阻。获取方法不依赖焊盘、金属互连线以及连接两者的导电插塞的电阻的经验值，因而所获取的晶圆级键合结构的电阻较为精准。
用于获取晶圆级键合结构电阻方法及其半导体

[发明专利]芯片的键合方法及系统-CN201910825436.7有效
发明人：陈勇辉;唐世弋 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片的键合方法及系统，首先获取若干晶圆的良率，然后将良率大于第一设定值的若干晶圆进行晶圆级键合，或者将若干所述晶圆进行两两预匹配并得到预匹配晶圆组的良率，挑出良率大于第三设定值的预匹配晶圆组进行晶圆级键合，而在剩余的所述晶圆中，将良率较大的作为衬底晶圆，良率较小的作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，本发明将良率较高的晶圆进行晶圆级键合从而提高了键合的产率，将良率较低的晶圆切成键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，可以剔除部分不良芯片，从而提高了最终键合芯片的良率，从而降低了产品的制造成本。
晶圆键合良率晶圆级衬底匹配单个芯片芯片划片不良芯片键合芯片制造成本产率成键剔除

[发明专利]一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法-CN202211098655.8有效
发明人：王伟豪;李顺斌;刘冠东;张汝云 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法，包括：基于提供的待键合的半导体晶圆衬底、n个芯粒以及预键合晶圆衬底，将待键合晶圆衬底上的对准标记的图形转移到预键合晶圆衬底；利用临时键合胶将n个芯粒按照对准标记依次贴合在预键合晶圆衬底上构成预键合晶圆；经CMP处理半导体晶圆衬底和芯粒表面后，将待键合半导体晶圆衬底与预键合晶圆对准后进行键合形成晶圆组；最后将晶圆组进行退火热处理，实现半导体晶圆衬底与芯粒的稳定键合，同时去除预键合晶圆衬底，完成多芯粒的晶圆级集成本发明实现多芯粒集成的一次性混合键合，避免D2W多次键合的铜表面氧化，提高多芯粒键合的质量和精度，提高键合良率及可靠性。
一种多芯粒晶圆级集成混合方法

[发明专利]晶圆‑晶圆、芯片‑晶圆和芯片‑芯片键合方法-CN201410034813.2有效
发明人：蔡坚;魏体伟;王谦 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆‑晶圆、芯片‑晶圆和芯片‑芯片键合方法。一种晶圆‑晶圆键合方法，该方法包括：在支撑片的一个表面上形成支撑凸点，将第一晶圆的正面与所述支撑片的具有支撑凸点的表面进行键合；在所述第一晶圆的背面上形成键合凸点，其中所述第一晶圆的背面上形成的键合凸点的位置与所述支撑片的表面上形成的支撑凸点的位置相对应；以及将所述第一晶圆的背面上的键合凸点与第二晶圆的键合凸点进行键合。通过本发明的这些方法能够解决晶圆级键合、芯片级键合过程中因临时键合胶软化造成的晶圆、芯片拱起、翘曲等现象。
晶圆芯片方法

[发明专利]一种声表面波器件气密性晶圆级封装结构和工艺-CN201711459208.X在审
发明人：米佳;朱勇;冷俊林;陶毅 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面波器件气密性晶圆级封装结构和工艺，在功能芯片工作面的外围镀有一圈键合层金属，封盖晶圆上与每块芯片键合层金属对应位置分别镀有一圈键合层金属，功能芯片与封盖晶圆通过金‑金键合或者共晶键合对应结合在一起；在封盖晶圆背向功能芯片工作面那面设有外部电路布线结构和外电极；在外电极上制作有外部焊球；封盖晶圆上设有导通孔以将功能芯片工作面电路依次通过导通孔、外部电极和外部焊球电连接。本发明能够实现高芯片剪切强度、散热性好、封装内部气氛可控的晶圆级（WLP）声表面波器件的气密性封装，具有可靠性高的特点。
一种表面波器件气密性晶圆级封装结构工艺

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