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[发明专利]晶圆清洗方法、晶圆清洗装置以及晶圆-CN201110391779.0在审
发明人：陈亚威;简志宏 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆清洗方法、一种晶圆清洗装置以及晶圆。所述晶圆清洗方法包括步骤：将带有颗粒的晶圆浸没于清洗槽中的清洗液中；以及旋转晶圆，同时向所述晶圆的中心喷射清洗液，从而利用所产的曳力FD将所述颗粒与所述晶圆分离。利用本发明，可以有效地将晶圆上的颗粒从晶圆上分离出去。
清洗方法装置以及

[发明专利]基于光辐射的晶圆清洗设备和包括其的晶圆清洗系统-CN202010268743.2在审
发明人：赵炳权;朴相真;高镛璿;S·田;郑志薰;洪晟植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了基于光辐射的晶圆清洗设备以及包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统，该晶圆清洗设备能够有效地清洗晶圆上的残留物而不损坏晶圆。该晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，并且包括：光辐射单元，其构造为在光辐射期间将光辐射到晶圆上；晶圆处理单元，其构造为为容纳晶圆并控制晶圆的位置，使得在光辐射期间将光辐射到晶圆上；以及冷却单元，其构造为在已经完成光辐射之后冷却晶圆。光辐射单元、晶圆处理单元和冷却单元顺序地布置在竖直结构中，光辐射单元位于晶圆处理单元上方，并且晶圆处理单元位于冷却单元上方。
基于光辐射清洗设备包括系统

[发明专利]晶圆清洗装置-CN201710527208.2在审
发明人：王雷;刘鲁萍 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆清洗装置，用于对晶圆进行清洗，该晶圆清洗装置包括：主体部；清洗部，清洗部可转动地安装在主体部上，清洗部具有清洗面，晶圆至少部分地可与清洗面接触，清洗部转动以对晶圆进行清洗；清理部，清理部设置在主体部上，清理部抵接在清洗部的清洗面上，用于对清洗部进行清理。工作人员将晶圆放入本发明的晶圆清洗装置中，并通过清洗部的旋转对晶圆进行清洗，具体为清洗部的清洗面旋转，从而对晶圆进行清洗。与此同时，清理部对清洗部进行清洗，以将清洗部上沾到的晶圆上的颗粒物等杂质清理掉，从而有效避免了粘附上颗粒物的清洗面在继续清洗晶圆时，在晶圆表面产生划伤或污染颗粒缺陷的现象的发生。
清洗晶圆清洗面晶圆清洗装置主体部颗粒物晶圆表面清洗装置污染颗粒杂质清理可转动抵接放入划伤粘附种晶转动

[发明专利]晶圆表面的清洗装置和清洗方法-CN201510422418.6在审
发明人：杨贵璞;王坚;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭示了一种晶圆表面的清洗装置，包括清洗刷、喷头和电极。清洗刷设置在晶圆表面附近，清洗刷上具有数个刷头，清洗刷转动，刷头与晶圆表面接触。喷头向晶圆表面喷射碱性清洗液。电极设置在晶圆表面附近，电极的极性与晶圆表面的颗粒所带电荷的极性相反。本发明还揭示了一种晶圆表面的清洗方法，包括在晶圆表面附近设置电极，电极的极性与晶圆表面的颗粒所带电荷的极性相反。向晶圆表面喷射碱性清洗液。旋转清洗刷，清洗刷设置在晶圆表面附近，清洗刷上具有数个刷头，刷头与晶圆表面接触。
表面清洗装置方法

[发明专利]晶圆边缘清洗设备及晶圆边缘清洗方法-CN201911078192.7在审
发明人：张玉静 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施方式提供了一种晶圆边缘清洗设备及晶圆边缘清洗方法，晶圆边缘清洗设备包括：晶圆载板，用于承载晶圆，晶圆边缘具有至少一层待清洗的膜层；第一清洗单元，用于采用湿法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；第二清洗单元，用于采用干法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；控制模块，用于基于当前待清洗的膜层的属性，调用与属性相对应的第一清洗单元或第二清洗单元对晶圆边缘进行清洗。将目前对晶圆边缘的清洗设备进行改进，采用干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺相结合的方式对晶圆边缘进行清洗，对待清洗的膜层进行的具有针对性的清洗。
边缘清洗设备方法

[发明专利]一种晶圆清洗装置及清洗方法-CN201811458538.1在审
发明人：俞力洋 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本申请提供的晶圆清洗装置，包括：清洗腔、旋转机构、清洗液喷嘴、至少两个晶圆盒驱动装置和至少两个晶圆盒干燥气喷嘴；所述旋转机构，设置在所述清洗腔内，所述旋转机构包括驱动器和旋转盘，所述旋转盘设置在所述驱动器上，所述驱动器驱动所述旋转盘旋转；所述清洗液喷嘴与所述晶圆盒驱动装置均固定设置在所述旋转盘上，所述晶圆盒驱动装置用于驱动晶圆盒自转；所述晶圆盒固定设置在所述晶圆盒驱动装置上。通过在所述旋转盘上设置晶圆盒驱动装置，以驱动所述晶圆盒自转，从而使所述晶圆盒与所述清洗液喷嘴的相对发生改变，这样，所述清洗液喷嘴能够使待清洗晶圆与晶圆盒接触的区域被有效的清洗，使待清洗晶圆清洗均匀，从而提高晶圆的清洗效果
晶圆盒驱动装置清洗液喷嘴旋转盘驱动器旋转机构清洗固定设置清洗腔驱动自转晶圆晶圆清洗装置晶圆清洗清洗效果清洗装置干燥气喷嘴种晶盘旋申请

[发明专利]用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统-CN201510446545.X在审
发明人：胡建群;张振涼;谢忠儒;陈柏嘉;庄舜宇;林威佐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，通过晶圆洗涤器清洗晶圆或第二晶圆。本发明的实施例还涉及用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统。
用于清洗洗涤器方法系统

[发明专利]用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统-CN202010268296.0在审
发明人：胡建群;张振涼;谢忠儒;陈柏嘉;庄舜宇;林威佐 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了在半导体制造中清洗晶圆的方法。该方法包括使用晶圆洗涤器清洗晶圆。该方法还包括将晶圆洗涤器移入搅动的清洗液内。该方法也包括在搅动的清洗液中，在晶圆洗涤器和清洗工作台之间产生接触。此外，该方法包括在通过搅动的清洗液清洗晶圆洗涤器之后，通过晶圆洗涤器清洗晶圆或第二晶圆。本发明的实施例还涉及用于清洗晶圆和洗涤器的方法和系统。
用于清洗洗涤器方法系统

[发明专利]消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法-CN202111453357.1在审
发明人：连坤;王金翠;刘桂银;张秀全;孙丙瑞;王有贵;李道玉 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除抛光后晶圆表面残留印记及微小颗粒的清洗方法包括：用纯水对晶圆进行初级清洗；用乙醇对晶圆表面进行擦拭清洁；清洁完成后用纯水浸泡去除乙醇；采用第一清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第一清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；采用第二清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第二清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；采用第三清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第三清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；再次采用第一清洗溶液对晶圆进行浸泡清洗，经过第一清洗溶液浸泡的晶圆再用纯水浸泡；最后将晶圆浸泡在纯水中，进行兆声清洗的同时通二氧化碳气体，清洗完毕进行甩干操作。
消除抛光后晶圆表面残留印记微小颗粒清洗方法

[发明专利]一种清洗装置-CN202210148676.X在审
发明人：朴英植;卢一泓;李琳;胡艳鹏;张月;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种清洗装置，该清洗装置用于清洗晶圆。该清洗装置包括清洗腔、以及设置在清洗腔内且用于固定晶圆的支撑台，且支撑台能够带动晶圆旋转。在清洗腔内还设置有用于向晶圆喷洒清洗剂的喷嘴组件，还设置有用于收集喷洒在晶圆表面后从晶圆表面溅起的清洗剂的吸附装置。在上述的方案中，通过设置吸附装置，以吸附喷嘴在晶圆表面后从晶圆表面溅起的清洗剂，从而防止从晶圆表面溅起的清洗剂附着在清洗腔或喷嘴组件上或逆向重新回到晶圆表面，防止污染清洗腔，防止晶圆被污染。
一种清洗装置

[实用新型]晶圆清洗花篮及晶圆清洗系统-CN201821308964.2有效
发明人：程谦;王虎;陈贤辉 -专利权人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及半导体晶圆清洗技术领域，具体涉及一种晶圆清洗花篮及晶圆清洗系统，所述晶圆清洗花篮包括置物台和阻挡结构。可以将晶圆放置于凸起上，降低了晶圆与晶圆清洗花篮的接触面积，进一步的，置物台上设有预设尺寸的通孔，使得晶圆清洗花篮底部是中空的，漏液性好，因此，使得利用晶圆清洗花篮清洗晶圆时，晶圆不会粘在晶圆清洗花篮上
晶圆清洗花篮置物台晶圆晶圆清洗系统阻挡结构凸起清洗半导体晶圆本实用新型表面设置清洗技术置物空间凸出中空的漏液通孔外壁预设置物种晶取出

[发明专利]清洗装置及清洗方法-CN202010212697.4在审
发明人：汪亚;蒋阳波;杨俊铖;黄振伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗装置及清洗方法，所述清洗装置包括：旋转部，用于放置待清洗的晶圆，并带动所述晶圆旋转；第一清洗部，用于清洗所述晶圆的边缘部，所述第一清洗部设有第一清洗刷，所述第一清洗刷设在所述晶圆的边缘处以对所述晶圆的边缘部进行清洗；第二清洗部，所述第二清洗部设有第二清洗刷，所述第二清洗刷可转动地设在所述晶圆的至少一侧对所述晶圆的表面进行清洗。根据本发明实施例的清洗装置，通过设置第一清洗部，第一清洗部可对晶圆的边缘部进行清洗，从而可去除边缘部隐藏的异物颗粒，使得晶圆清洗更加干净，避免在后道工艺中引起的晶圆缺陷，进而提高晶圆的良率。
清洗装置方法

[发明专利]弯曲晶圆的清洗液及清洗方法-CN202111117828.1有效
发明人：葛威威;韩鹏帅;申朋举;葛永恒;葛林四 -专利权人：上海提牛机电设备有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆的清洗液及清洗方法。其中方法包括将晶圆经上料区上料；将晶圆从上料区置于第一清洗槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面进行刻蚀清洗；将晶圆置于第一溢流槽内进行第一次清洗；将晶圆置于第二清洗槽内，晶圆浸入混合液中，对晶圆的背面再次进行刻蚀清洗；将晶圆置于第二溢流槽内进行第二次清洗；将晶圆置于氢氟酸槽，晶圆浸入氢氟酸液中去除表面的自然氧化膜；将晶圆置于第三溢流槽内进行第三次清洗；将晶圆经下料区下料，完成晶圆的清洗。本发明极其适用于翘曲或弯曲的晶圆的清洗，既能加快刻蚀速度，又具有成本低廉的优点。
弯曲清洗方法

[发明专利]晶圆清洗方法-CN202010253671.4在审
发明人：吴远华;刘跃;王莹莹;封贻杰;刘宁 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆清洗方法，涉及半导体制造领域。该方法包括将待清洗的晶圆固定于承载台；将单片式晶圆清洗机台的运行参数中的至少一种调整为预定值，运行参数包括清洗液喷射区域、氮气流量、晶圆转速；预定值用于令清洗晶圆时清洗液远离晶圆底部；通过背面管路向晶圆底部喷氮气；通过旋转底座带动晶圆旋转；通过承载台上方的喷射管路向待晶圆表面喷射清洗液；解决了利用单片清洗机台清洗晶圆时，清洗液容易进入晶圆不需要清洗的一面造成特殊图形缺陷的问题；达到了避免晶圆不需要清洗的一面出现特殊图形缺陷，提高晶圆的良率的效果。
清洗方法

[发明专利]晶圆清洗方法-CN202310579888.8在审
发明人：王永;杨谊;刘鹏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆清洗方法，属于集成电路制造技术领域，该晶圆清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的晶圆放置在承载机构上，所述晶圆上积累有第一导电类型电荷；预处理所述晶圆：使用第二喷淋组件向所述晶圆喷淋第二清洗液进行清洗，第三喷淋组件使用第三清洗液喷淋清洗所述晶圆，经第四喷淋组件向所述晶圆喷淋第二清洗液进行清洗，其中，所述第二清洗液中含有第二导电类型电荷，以中和所述第一导电类型电荷；预处理所述晶圆后，所述第三喷淋组件喷出所述第三清洗液对所述晶圆的表面进行清洗通过对晶圆进行预处理，减少晶圆表面积累的电荷和管道中积累的电荷，降低晶圆表面电弧损伤的概率。
清洗方法