专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种设备-CN202110086314.8在审
  • 梁小明 - 梁小明
  • 2021-01-22 - 2021-07-23 - B29C41/20
  • 本发明公开了一种设备,其结构包括储存箱、按钮、显示器、输器,所述按钮安装在储存箱左侧,所述显示器嵌设于储存箱前侧,所述输器两端分别通过焊接连接于储存箱背面与储存箱顶部,本发明的有益效果在于:将放置在支撑块上,在支撑簧的推力下使夹板将夹紧,避免时掉落,同时移动杆受夹板的挤压使得顶块向外张开至压板紧贴于夹板表面,避免夹板在夹持时晃动导致不均,外表面向外挤压夹板,在拉簧的拉力下能够对不同大小的进行夹持,当刮板对表面的液体进行推平时多余的液体能够沿着导管排出至储存腔内部进行储存,避免液体堆积在空槽内导致摆放不平稳。
  • 一种晶圆涂膜设备
  • [发明专利]改善光刻胶覆过程中边缺陷的方法-CN201710652795.8有效
  • 不公告发明人 - 睿力集成电路有限公司
  • 2017-08-02 - 2018-08-14 - G03F7/42
  • 本发明提供一种改善光刻胶覆过程中边缺陷的方法,包括:以覆转速进行光刻胶覆,形成具有预设厚度的光刻胶覆层于待处理上表面;对光刻胶覆层进行多段式主要转速处理,包括第一转速处理和转速小于第一转速的第二转速处理,且使其保持湿润;第二转速处理包括第一阶段的对边缘的稳前水洗处理,以湿润边缘并去除光刻胶覆层在覆后溢流到边缘的部分;及第二阶段的厚稳定化处理;对边缘进行稳后水洗处理,以去除光刻胶覆层扩散到边缘的部分通过上述方案,本发明通过对处理的工艺流程以及清洗管嘴设备的改进,可以有效去除光刻胶覆过程中的边缘的光刻胶,并使产品的良率增加1~2%。
  • 改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷方法
  • [发明专利]改善光刻胶覆过程中边缺陷的方法-CN201810676932.6有效
  • 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2017-08-02 - 2021-06-04 - G03F7/16
  • 本发明提供一种改善光刻胶覆过程中边缺陷的方法,包括:以覆转速进行光刻胶覆;对光刻胶覆层进行多段式主要转速处理,包括第一转速处理和转速小于第一转速的第二转速处理,且使其保持湿润;第二转速处理包括第一阶段的对边缘的稳前水洗处理,采用第一清洗管嘴对覆有光刻胶覆层的边缘进行稳前水洗处理;及第二阶段的厚稳定化处理;对边缘进行稳后水洗处理,采用第二清洗管嘴对覆有光刻胶覆层的边缘进行稳后水洗处理,进行自旋干燥通过上述方案,本发明通过对处理的工艺流程以及清洗管嘴设备的改进,可以有效去除光刻胶覆过程中的边缘的光刻胶,并使产品的良率增加1~2%。
  • 改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷方法
  • [实用新型]一种模具式电子芯片生产设备-CN202122049672.X有效
  • 冯达 - 上海艾深斯科技有限公司
  • 2021-08-29 - 2022-03-08 - B05C11/02
  • 本实用新型涉及电子芯片技术领域,具体地说,涉及一种模具式电子芯片生产设备,包括体,体包括对称设置的支撑柱,支撑柱之间连通有固定杆,固定杆一端安装有盘,盘呈开口向上的圆形结构,固定杆的表面套接有连接板,连接板的一端内安装有固定轴,固定轴的顶部安装有转盘,固定轴的底部设有涂料板,涂料板的一端与盘的中心轴处于同一水平线,涂料板得到尺寸与盘的半径相同。通过涂料板可对于表面的光刻胶涂料进行圆周运动的刮取,使得涂料可一次性平铺于的表面,相对于目前机械转动填的效果更佳,且整个秸秆简单,节约成本;同时本装置还可适用于在机械转动填后,对表面进行二次的精细处理
  • 一种模具电子芯片生产晶圆涂膜设备
  • [发明专利]级芯片封装用环氧树脂薄膜覆台-CN200910030158.2无效
  • 杜彦召 - 昆山西钛微电子科技有限公司
  • 2009-03-20 - 2010-09-22 - B05C13/02
  • 本发明公开了一种级芯片封装用环氧树脂薄膜覆台,包括顶升机构,顶升机构活动穿设于覆台中,以使用方向为基准:顶升机构上部形成若干顶针,顶针可穿设过覆台上端面;覆台上设有一组导轨,顶针位于导轨之间,使用时,放置于覆台上,已覆胶的滚轮沿导轨滑动,将环氧树脂覆于表面;涂胶后,通过顶升机构作用使顶针将圆顶起即可轻松转动或将取下;还可包括载物台,载物台的面积大于等于待级芯片的面积,载物台活动定位于覆台上部中,顶升机构活动穿设于覆台和载物台中,顶针可穿设过载物台,载物台位于导轨之间,使用时,放置于载物台上。
  • 晶圆级芯片封装环氧树脂薄膜涂覆台
  • [实用新型]级芯片封装用环氧树脂薄膜覆台-CN200920042279.4有效
  • 杜彦召 - 昆山西钛微电子科技有限公司
  • 2009-03-20 - 2009-12-30 - H01L21/00
  • 本实用新型公开了一种级芯片封装用环氧树脂薄膜覆台,包括顶升机构,顶升机构活动穿设于覆台中,以使用方向为基准:顶升机构上部形成若干顶针,顶针可穿设过覆台上端面;覆台上设有一组导轨,顶针位于导轨之间,使用时,放置于覆台上,已覆胶的滚轮沿导轨滑动,将环氧树脂覆于表面;涂胶后,通过顶升机构作用使顶针将圆顶起即可轻松转动或将取下;还可包括载物台,载物台的面积大于等于待级芯片的面积,载物台活动定位于覆台上部中,顶升机构活动穿设于覆台和载物台中,顶针可穿设过载物台,载物台位于导轨之间,使用时,放置于载物台上。
  • 晶圆级芯片封装环氧树脂薄膜涂覆台
  • [发明专利]一种用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法-CN202110685143.0在审
  • 夏小峰;彭翔 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2021-06-21 - 2021-10-15 - H01L27/146
  • 本发明提供一种用于改善堆栈式图像传感器键合缺陷的工艺方法,逻辑设有第一、第二逻辑区;像素设有像素区;逻辑的第二逻辑区的高度低于像素的像素区的高度;在逻辑上旋一层镀层填充于第二逻辑区;待镀层硬化后,在逻辑上形成一层具有第一厚度的氧化硅层;将第一厚度的氧化硅层进行化学机械研磨至第二厚度;将逻辑与像素进行键合,第二逻辑区与像素区的边缘为键合边界。本发明增加旋镀层工艺,后续利用化学气相沉积补镀氧化硅层,保证CMP平坦化之前的层厚度不变,使逻辑边区域被后续工艺修复,实现对键合工艺缺陷降低,提升产品良率。
  • 一种用于改善堆栈图像传感器缺陷工艺方法
  • [发明专利]一种的处理方法-CN202111481507.X在审
  • 石峰;万远涛;廖世容 - 浙江光特科技有限公司
  • 2021-12-06 - 2022-03-22 - H01L21/027
  • 本发明公开了一种的处理方法,属于处理技术领域,包括:提供一;在所述的上表面覆光刻胶;所述上表面边缘具有至少一个无胶区域,去除位于所述无胶区域的所述光刻胶;让掩版与所述贴合;光刻处理;让所述与所述掩版分离。通过去除无胶区域的光刻胶,这样就会在表面形成台阶差,边缘与掩版之间就会存在间隙。在光刻后,在与掩版脱离过程中,外部空气较容易从间隙处进入到贴合的界面处,让与掩版界面处负压能够正常释放,与掩版可以很顺利脱离。
  • 一种处理方法
  • [实用新型]一种半导体集成电路装置-CN202120085904.4有效
  • 侯进山 - 苏州怡特欧新材料科技有限公司
  • 2021-01-13 - 2022-01-18 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及装置技术领域,且公开了一种半导体集成电路装置,包括底板,所述底板的顶部设置有工作台、限位环、支撑架和主控器,所述主控器的正面设置有急停按钮和电源开关,所述主控器的顶部设置有显示屏,所述显示屏为触摸显示屏;所述台的顶部开设有安装孔,所述安装孔的内部设置有压制环;所述支撑架的一侧设置有安装架,所述安装架的底部安装有升降电机,所述升降电机的底部设置有台。该半导体集成电路装置,通过辊对胶膜进行张贴,可以通过辊直接将胶膜进行安装,从而可以直接将胶膜进行使用,并且辊可以避免设备运行时造成的精度误差,从而可以减少设备的生产成本。
  • 一种半导体集成电路晶圆涂膜装置
  • [发明专利]一种增加边缘玻璃导流的新型PG工艺-CN202010643692.7在审
  • 汪良恩;汪曦凌;杨庄生;李建利 - 安徽芯旭半导体有限公司
  • 2020-07-07 - 2020-11-06 - H01L21/033
  • 本发明公开了一种增加边缘玻璃导流的新型PG工艺,属于芯片加工领域。包括以下步骤:在片上形成光掩层,采用新型的掩版对光掩层曝光,所述掩版的图案由正常区域和辅助区域组成,正常区域为若干正常芯片大小的矩形组合,其辅助区域为在正常区域的边缘增加一圈辅助矩形,所述辅助矩形的长度与正常芯片大小相同,其宽度为正常芯片大小的1/3~2/3,再对曝光后的进行开沟形成沟道,对开沟后的依次进行正常的玻璃覆、曝光、显影;本发明在边缘形成了导流槽,确保后续玻璃覆中,片上的玻璃粉厚度一致,提高了芯片成品率
  • 一种增加边缘玻璃导流新型pg工艺
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202211485241.0在审
  • 吴天成;李蒙 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-11-24 - 2023-03-10 - B05D1/00
  • 该制作方法包括:提供一固定于旋转涂布装置的基板上,旋转涂布装置具有出液端,出液端与基板相对设置;出液端对表面输出覆液;旋转涂布装置以第一旋转速度带动做旋转运动,使覆液沿半径方向由内至外布满表面;旋转涂布装置以第二旋转速度带动做旋转运动,第二旋转速度小于第一旋转速度,覆液在表面由外至内回缩,使覆液均匀分布于表面,形成覆层。通过控制以不同的转速进行转动,利用不同转速之间变换时产生交替的离心力以及回缩力,使覆液在表面均匀分布,为器件后续制程提供平坦的层面,克服了器件的制造缺陷。
  • 半导体器件及其制作方法

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