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- [发明专利]功率放大电路-CN201810160395.X有效
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本多悠里;播磨史生;田中聪
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株式会社村田制作所
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2018-02-26
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2022-04-29
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H03F1/32
- 功率放大电路具备：放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大信号；偏置电路，对放大晶体管的基极供给偏置电流或电压；以及第一电阻元件，连接在放大晶体管的基极与偏置电路之间，偏置电路具备：电压生成电路；第一晶体管，在基极被供给第一直流电压，并从发射极供给偏置电流或电压；第二晶体管，在基极被供给第二直流电压，发射极与第一晶体管的发射极连接；信号供给电路，设置在放大晶体管的基极与第二晶体管的基极之间，对第二晶体管的基极供给输入信号；以及阻抗电路，设置在第一晶体管的基极与第二晶体管的基极之间。
- 功率放大电路
- [发明专利]RF放大器-CN201610457770.8在审
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吉安·霍赫扎德
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恩智浦有限公司
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2016-06-22
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2017-01-25
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H03F1/26
- 一种RF放大器(200)包括输入晶体管(202)，所述输入晶体管(202)具有输入晶体管基极端子、输入晶体管集极端子和输入晶体管发射极端子；简并组件(206)，所述简并组件(206)连接在所述输入晶体管发射极端子与接地端子之间；以及保护晶体管(204)，所述保护晶体管(204)具有保护晶体管基极端子、保护晶体管集极端子和保护晶体管发射极端子。所述输入晶体管基极端子连接到所述保护晶体管发射极端子，且所述保护晶体管基极端子连接到所述输入晶体管发射极。
- rf放大器
- [发明专利]信号输出电路及具有该电路的电源电压监视装置-CN200480038940.4无效
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安坂信
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罗姆股份有限公司
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2004-12-20
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2007-01-17
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H03K17/22
- 提供一种可确保NPN型双极性晶体管的输出晶体管的基极电流并降低消耗电流的信号输出电路。该信号输出电路(2)包括：NPN型双极性晶体管的输出晶体管(10)；若导通则使输出晶体管(10)截止的接地侧输出控制晶体管(11)；对输出晶体管(10)的基极供给电流的基极电流供给用电阻元件(12)；插入安装于基极电流供给用电阻元件(12)与输出晶体管(10)的基极间的电源侧输出控制晶体管(13)；根据输入信号而与接地侧输出控制晶体管(11)同样地导通·截止，若导通则流入基极电流供给用电阻元件(12)的电流的接地侧电流分流用晶体管(14)；和插入安装于接地侧电流分流用晶体管(14)与基极电流供给用电阻元件(12)间的电流限制用电阻元件(15)。
- 信号输出电路具有电源电压监视装置
- [发明专利]高压半导体功率开关器件-CN201410584966.4有效
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谢潮声;陈安邦;邓志强
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科域半导体有限公司
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2014-10-27
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2019-05-10
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H03K19/0944
- 本发明公开了一种三端子高压达林顿双极型晶体管功率开关器件，其包括:两个高压双极型晶体管，两者的集电极连接在一起作为集电极端子,第一高压双极型晶体管的基极作为基极端子,第一高压双极型晶体管的发射极连接到第二高压双极型晶体管的基极(内部基极),并且第二高压双极型晶体管的发射极作为发射极端子；二极管,其正极连接到所述内部基极(第一高压双极型晶体管的发射极,或第二高压双极型晶体管的基极)，并且其负极连接到所述基极端子。类似地，可以通过将前述的开关器件的第一高压双极型晶体管替换为高压MOSFET来形成三端子MOSFET/双极型晶体管混合高压开关器件。
- 高压半导体功率开关器件
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