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[实用新型]并联支路具有高耐压能力的天线调谐开关-CN202021809491.1有效
发明人：李志 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H04B1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种并联支路具有高耐压能力的天线调谐开关。其包括天线ANT以及射频通路，每条射频通路均包括一串联支路以及一并联支路；并联支路包括若干依次串接的MOSFET器件以及并联支路控制端组，并联支路内所有MOSFET器件的栅极端均与并联支路控制端组内的并联支路栅极控制端VGSH1适配连接；并联支路内，在每个MOSFET器件的源极端与所述MOSFET器件的漏极端之间均连接有并联支路电容以及并联支路源漏电阻。本实用新型在不增加版图面积的情况下，增加并联支路的耐压能力，提高天线调谐开关的稳定性与可靠性。
并联支路具有耐压能力天线调谐开关

[实用新型]一种射频开关-CN201721788521.3有效
发明人：承继;周蕴言;林春艳;陈玉芳 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种射频开关，其包括：衬底；形成于所述衬底内的衬底接触区；形成于衬底内的多个射频开关单元，其中每个射频开关单元包括形成于衬底内的间隔的N+源极区和N+漏极区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极，所述衬底接触区与负直流电压源相连。与现有技术相比，本实用新型中的射频开关单元不设置阱区，而是将衬底与一个负电压相连，这样可以大幅降低射频开关所占的芯片面积，同时也能保证耐受功率能力仍旧能达到中小功率开关的要求。
衬底射频开关单元射频开关本实用新型栅极氧化层衬底接触漏极区源极区多晶硅栅极负直流电压功率能力中小功率负电压耐受阱区芯片保证

[实用新型]一种射频开关-CN201721788629.2有效
发明人：承继 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种射频开关，其包括：衬底；形成于所述衬底内的衬底接触区；形成于所述衬底内的深N阱区；形成于深N阱区内的深N阱接触区；和，形成于深N阱区内的多个射频开关单元，其中每个射频开关单元包括形成于深N阱区内的P阱区、形成于P阱区内的间隔的N+源极区、N+漏极区和P阱接触区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极。这样，多个射频开关单元可以共用同一个深N阱区，从而减小了相邻的射频开关单元之间的间隔，同时又不会降低射频开关的耐压。
深N阱射频开关单元射频开关衬底栅极氧化层接触区漏极区源极区本实用新型多晶硅栅极衬底接触减小耐压

[实用新型]用于NB-IOT技术的射频功率放大器-CN201820039016.7有效
发明人：何江波;张加龙;段永洲;韩科锋 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种射频功率放大器，其包括：基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路。输入匹配电路、级间匹配电路和输出匹配电路中的电感均是由基板上的传输线形成。无需采用SMD电感，设计简单，降低了成本。
射频功率放大器电感射频功率放大输出匹配电路输入匹配电路射频输出端射频输入端匹配电路基板本实用新型传输线形成第一级耦接

[实用新型]用于WI-FI模块的射频功率放大器-CN201820039037.9有效
发明人：何江波;李志;韩科锋 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种用于WI‑FI模块中的射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、第一级间匹配电路、第二级射频功率放大结构、第二级间匹配电路、第三级射频功率放大结构和输出匹配电路。本实用新型中的用于WI‑FI模块的射频功率放大器位于一块芯片上，无需采用SMD电容电感，也不需要采用基板进行封装，设计简单，降低了成本。
射频功率放大器射频功率放大本实用新型射频输出端射频输入端匹配电路第一级电感输出匹配电路输入匹配电路第三级基板耦接封装芯片

[实用新型]射频功率放大电路及其超带宽输出匹配电路-CN201721718172.8有效
发明人：赵罡 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种射频功率放大电路及其超带宽输出匹配电路，所述超带宽输出匹配电路包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端的第一电感、第二电容、第三电容、第四电感；耦接于第一电感的与第二电容耦接的连接端和接地端之间的第一电容；耦接于第二电容的与第三电容耦接的连接端和接地端之间的第二电感；耦接于第三电容的与第四电感耦接的连接端和接地端之间的第三电感。本实用新型中的超带宽输出匹配电路能够覆盖两个不同的频段，为单颗功率放大器实现多频段放大信号打下了良好的基础。
电容电感耦接输出匹配电路带宽接地端连接端射频功率放大电路本实用新型射频输入端功率放大器射频输出端放大信号射频输出多频段频段覆盖

[实用新型]多模式射频功率放大器-CN201721729978.7有效
发明人：赵罡 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的多级射频功率放大单元，每级射频功率放大单元均包括一双极型晶体管；耦接于初级射频功率放大单元的双极型晶体管的集电极和基极之间的反馈电路，该反馈电路包括有模式控制端，通过调整模式控制端的电压值来调整所述反馈电路的阻抗状态，进而调整所述射频功率放大器工作在不同工作模式下。这样使得同一个射频功率放大器能够支持不同的工作模式，比如可以同时支持高功率高增益模式和高线性低增益模式。
射频功率放大器射频功率放大单元反馈电路双极型晶体管射频输出端射频输入端工作模式耦接本实用新型调整模式模式控制阻抗状态低增益多模式高功率高线性高增益集电极

[实用新型]CMOS工艺的悬浮衬底的射频开关-CN201721788522.8有效
发明人：承继 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种射频开关，其包括：衬底；电阻；形成于所述衬底内的衬底接触区，其通过所述电阻连接至接地端；和形成于衬底内的多个射频开关单元；其中每个射频开关单元包括形成于所述衬底内的深N阱区、形成于深N阱区内的P阱区、形成于深N阱区内的深N阱接触区、形成于P阱区内的间隔的N+源极区、N+漏极区和P阱接触区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极。本实用新型中的衬底通过一个大电阻与接地端相连，这样就阻止了交流信号泄放到地，即将衬底的交流电位悬浮，提高了射频开关的正向通路和反向通路的耐压，也提高了射频开关的最大耐受功率。
衬底射频开关深N阱射频开关单元本实用新型栅极氧化层接触区接地端漏极区源极区悬浮多晶硅栅极衬底接触电阻连接反向通路交流电位交流信号正向通路大电阻电阻耐受耐压

[实用新型]一种天线射频电路及射频装置-CN201721696259.X有效
发明人：向坤;祁威;雷良军 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种天线射频电路，其包括：多个射频支路端；一射频公共端；分别设置于各个射频支路端与射频公共端之间的多条射频支路；藕接于所述多个射频支路端和所述射频公共端之间的射频支路开关组合；藕接于所述多个射频支路端和接地端之间的接地开关组合；其中：所述射频支路开关组合被控制的进入一种射频开关组合状态，使得射频公共端与一个射频支路端连通、射频公共端与其余射频支路端断开，同步的，所述接地开关组合被控制的进入一种接地开关组合状态，使得与射频公共端断开的射频支路端与接地端连通、与射频公共端连通的射频支路端与接地端断开。本实用新型在射频支路上设置接地开关以降低了射频支路的关断电容，提高了射频支路之间的隔离度。
射频支路射频公共端接地开关接地端断开连通本实用新型开关组合天线射频组合状态电路关断电容射频开关射频装置隔离度同步的组合被

[发明专利]射频功率放大电路及其超带宽输出匹配电路-CN201711314625.5在审
发明人：赵罡 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明揭露了一种射频功率放大器及其输出匹配电路，所述输出匹配电路包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端的第一电感、第二电容、第三电容、第四电感；耦接于第一电感的与第二电容耦接的连接端和接地端之间的第一电容；耦接于第二电容的与第三电容耦接的连接端和接地端之间的第二电感；耦接于第三电容的与第四电感耦接的连接端和接地端之间的第三电感。本发明中的输出匹配电路能够覆盖两个不同的频段，为单颗功率放大器实现多频段放大信号打下了良好的基础。
电容电感耦接输出匹配电路接地端连接端射频输入端射频功率放大电路射频功率放大器功率放大器射频输出端放大信号射频输出多频段频段带宽覆盖

[发明专利]多模式射频功率放大器-CN201711314662.6在审
发明人：赵罡 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明揭露了一种射频功率放大器，其包括：射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的多级射频功率放大单元，每级射频功率放大单元均包括一双极型晶体管；耦接于初级射频功率放大单元的双极型晶体管的集电极和基极之间的反馈电路，该反馈电路包括有模式控制端，通过调整模式控制端的电压值来调整所述反馈电路的阻抗状态，进而调整所述射频功率放大器工作在不同工作模式下。这样使得同一个射频功率放大器能够支持不同的工作模式，比如可以同时支持高功率高增益模式和高线性低增益模式。
模式射频功率放大器

[发明专利]一种天线调谐电路-CN201711371523.7在审
发明人：祁威;向坤;王阳;周春晖 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种天线调谐电路，其包括:天线；多条射频通路，所述多条射频通路均包括一串联支路和一并联支路，所述串联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述串联支路的后端与所述天线连接，所述并联支路的前端与其所在的所述射频通路的射频信号端口连接，所述并联支路的后端接地。其中：所述天线调谐电路被控制进入一种射频开关状态，使得一条所述射频通路的串联支路导通、其余所述射频通路的串联支路均断开，同步地，串联支路被导通的所述射频通路的并联支路断开、其余所述射频通路的并联支路导通。本发明大幅度地降低了各射频通路上的关断电容，最终提高了不同射频通路之间的隔离度、降低了不同频段之间的干扰。
一种天线调谐电路

[发明专利]用于WI-FI模块的射频功率放大器-CN201810022582.1在审
发明人：何江波;李志;韩科锋 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明揭露了一种用于WI‑FI模块中的射频功率放大器，其包括射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、第一级间匹配电路、第二级射频功率放大结构、第二级间匹配电路、第三级射频功率放大结构和输出匹配电路。本发明中的用于WI‑FI模块的射频功率放大器位于一块芯片上，无需采用SMD电容电感，也不需要采用基板进行封装，设计简单，降低了成本。
用于 wi fi 模块射频功率放大器

[发明专利]用于NB‑IOT技术的射频功率放大器-CN201810023026.6在审
发明人：何江波;张加龙;段永洲;韩科锋 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明揭露了一种射频功率放大器，其包括基板；射频输入端；射频输出端；依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、级间匹配电路、第二级射频功率放大结构和输出匹配电路。输入匹配电路、级间匹配电路和输出匹配电路中的电感均是由基板上的传输线形成。无需采用SMD电感，设计简单，降低了成本。
用于 nb iot 技术射频功率放大器

[实用新型]3G射频功率放大器-CN201621461880.3有效
发明人：钱永兵;雷良军;何江波 -专利权人： 无锡中普微电子有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种3G射频功率放大器模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
3g 射频功率放大器

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